圆相

摘要： "言意之辨"是文学理论中一个永恒的话题,其焦点不在于语言能否表达意义,而在于语言能否穷尽意义.循此思路,我们不禁思考:既然语言能够表达意义,那么无言能否表达意义?从符号学角度看,无言也是"携带意义的感知".沉默不语是一种空符号,但空符号的表现形态不仅仅是不言不语,它具有临时生成的多种可能性.禅宗公案是生产空符号的重要"工厂","无对""无语""良久""圆相"等都是极为典型的空符号,在特定语境中表示特定意义.空符号表意不仅涉及符号学问题,而且是阐释学理应讨论的重要议题.

摘要： 题目 如图1所示，AB，CD是中心为点O的椭圆的两条相交弦，交点为P．两弦AB，CD与椭圆长轴的夹角分别为〈1，〈2，且〈1=〈2．求证：｜PA｜·｜PB｜=｜PC｜·｜PD｜．

摘要： 平均变化率公式在直线斜率、线性规划、直线与圆锥曲线、函数单调性和导数定义中都有应用,熟知其公式,能很好的助力解题.1.直线斜率例1若过两点A（-a,0）,B（5,-a）的直线的斜率为1,求实数a的值.

摘要： 圆是初中数学教学的重点之一,也是中考的热点,因这一部分知识概念杂,公式多,在学习中易出现错误,下面从同学们平时学习中易出现错误的知识点进行举例分析,希望对同学们学习圆的相关知识有所帮助.

摘要： 一、试题呈现（2016年淄博中考题）如图1,⊙O的半径为2,圆心O到直线l的距离为4,有一内角为60°的菱形.当菱形的一边在直线l上,另有两边所在的直线恰好与⊙O相切,此时菱形的边长为____.二、题目特点及学生失误类型本题是试卷填空题最后一题,具有选拔功能,区分度强.问题中涉及到菱形的性质、圆与直线的位置关系、解直角三角形等核心知识,是一道体现综合素质的创新题,

摘要： 复习是整合知识、提升认知的系统工程.本文就＂直线与圆相切＂专题复习课作教学尝试,供参考.一、教学目标（1）通过具体问题的解决,进一步理解直线与圆的三种位置：相交、相切、相离.（2）熟练掌握切线判定的几种常用方法：已知半（直）径,证垂直;连半径,证垂直或作垂线,证半径.（3）在教学过程中渗透分类讨论,数形结合等数学思想.（4）养成良好的审题习惯,培养思维的缜密性.

摘要： 圆锥曲线问题是高中数学的难点,也是每年高考数学必考的内容之一.利用椭圆的参数方程进行求解时,实质上把代数问题转化为三角函数的问题,从而可以降低运算难度,提高学生的运算准确度.本文笔者结合自己的教学实践谈点思考.

摘要： 唐、宋时期,将范畴及学说进行图型表达的哲学发展过程中,儒释道也有近似的发展趋向,其中,以“圆相”为基础图型的佛学阐释和易学图型“太极图”及其学说,便是哲学图型发展中的典型案例.虽然,佛学圆相大致是由本体论层面的图型诠释而落实到具体修行次第及勘验方式,易学太极图及其学说则由尽可能完善图型诠释而至充实宇宙本体论,但儒释道不同形式的图型演绎,却有异曲同工之妙,更在提高传统哲学思辨水平及丰富思想资源上各有贡献.本文尝试通过述说太极图所出渊源之历史疑问,由此引出相关图型演进问题,进而述说佛学圆相法的运用,以两相陈述相关学说具体发展脉络的方式,尝试对传统哲学图型法的逻辑演进做个初步展示,并联系康德哲学图型法阐释,略窥所涉图型演进问题的意义.

摘要： 一、平面内与两个定点的距离之比为不等于1的正数的点的轨迹是一个圆例1如右图所示,在平面直角坐标系x Oy中,点A的坐标为（0,3）,直线l：y=2x-4,设圆C的半径为1,圆心在l上.（Ⅰ）若圆心C在直线y=x-1上,过点A作圆C的切线,求切线的方程.（Ⅱ）若圆C上存在点M,使｜MA｜=2｜MO｜,求圆心C的横坐标a的取值范围。

摘要： 一、教学设计思路＂直线和圆的位置关系＂是九年级上册《圆》这一章的重点内容之一.它既是点与圆的位置关系的延续与提高,又是学习切线的判定定理、圆和圆的位置关系的基础.本节课重点：掌握直线和圆三种位置的判定和性质。

摘要： 本发明提供了一种针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法。针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔包括：封闭真空腔室、安装在所述封闭真空腔室的侧壁上的等离子体喷头、用于对所述等离子体喷头进行供电的电源、布置在所述封闭真空腔室内用于加热晶圆的加热板、以及布置在所述封闭真空腔室内的等离子体挡板。其中，所述等离子体挡板处于所述加热板上方。在晶圆被布置在所述加热板上的状态下，所述等离子体挡板遮挡晶圆而仅仅暴露晶圆的晶圆边缘。

摘要： 本发明提供了一种针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法。针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔包括：封闭真空腔室、安装在所述封闭真空腔室的侧壁上的等离子体喷头、用于对所述等离子体喷头进行供电的电源、布置在所述封闭真空腔室内用于加热晶圆的加热板、以及布置在所述封闭真空腔室内的等离子体挡板。其中，所述等离子体挡板处于所述加热板上方。在晶圆被布置在所述加热板上的状态下，所述等离子体挡板遮挡晶圆而仅仅暴露晶圆的晶圆边缘。

摘要： 本发明公开了一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,所述包括静电吸盘、反应腔体、晶圆支撑架，所述静电吸盘通过三个提升销与晶圆支撑架连接，静电吸盘依据静电原理吸引晶圆片；所述反应腔体左侧接入反应气体管道并配有压力计，底部连接尾气管路，配有压力计，并通过节流阀连接于涡轮泵上；所述反应腔体顶部连接远程等离子体源，中间为清洁气体管路，清洁气体管路穿过陶瓷钟罩，且尾部接有喷头；所述晶圆支撑架底部与反应腔体密封连接。本发明在于不仅可以对晶圆进行升降动作，还可以通过驱动马达来对晶圆进行旋转作业，通过旋转晶圆来达到改善工艺均匀性的目的，进而提高了产品良率。

摘要： 本发明涉及晶圆表面清洗技术领域，具体为一种用于晶圆清洗的两相流喷射装置和清洗方法，其包括载台、旋转支杆、固定于旋转支杆上的转臂、固定于转臂上的两相流喷嘴，液体管道和气体管道。该装置采用低温助推气体对晶圆表面进行预冷却，将晶圆表面温度降低至接近液体二氧化碳微液滴温度后，再向晶圆表面喷射二氧化碳微液滴，该方法有效消除了莱顿弗罗斯特现象，令二氧化碳液滴进入晶圆表面高深宽比结构内部成为可能；进一步地，采用两相流喷嘴可以在喷嘴和晶圆表面形成低温环境，起到稳定二氧化碳液滴，提高液滴撞击晶圆表面速度的效果，实现了晶圆表面清洗效果的有效提升。

摘要： 本申请涉及一种基于微波光子鉴相器的均匀圆阵相关干涉仪测向方法。所述方法包括：通过微波光子鉴相器中的双平行马赫曾德尔调制器实现两路射频信号的光域干涉，通过光陷波滤波器对双平行马赫曾德尔调制器输出的光信号进行载波抑制，通过光功率计测量光陷波滤波器输出的光信号的光功率值，由信号处理单元得到两路信号的相位差测量值；在相关干涉仪测向模块以基于三角函数的相关函数最大化为目标，根据相位差的测量值确定来波信号的方向。本发明基于微波光子学和相关干涉仪测向技术将电域和光域结合起来实现微波信号的测向，系统能够实现0°～360°相位的精确测量，能够适应高频段、大带宽微波信号的测向，满足相关干涉仪测向系统的性能要求。

摘要： 本发明提供一种多功能晶圆预处理腔及化学气相沉积设备。预处理腔包括腔体、晶圆承载装置、预热装置、导热装置、冷却装置、第一驱动装置、第二驱动装置及控制器；晶圆承载装置包括承载盘及若干个支撑销；导热装置位于预热装置下方，且位于晶圆正上方，包括导热盘及隔热涂层，导热盘上间隔分布有多个导热孔；预热装置包括灯盘及两个以上加热灯，灯盘包括盘面部和遮挡部，加热灯固定于盘面部的下表面；冷却装置包括冷却管，位于承载盘内，与冷却源相连通；控制器与第一驱动装置和第二驱动装置相连接；当处于预热模式时，支撑销升起以支撑晶圆，预热装置启动；当处于冷却模式时，支撑销下降，晶圆放置于承载盘上。本发明有助于提高工艺效率。

摘要： 本发明公开了激光技术领域的一种利用时间分辨阴影成像技术辅助激光液相烧蚀切割硅晶圆的加工方法，通过搭建的时间分辨阴影成像系统捕捉空化气泡和持续性气泡的阴影图像，建立空化气泡和持续性气泡的动态模型。根据空化气泡的动态模型优化烧蚀激光的重复频率，减轻空化气泡折射对硅晶圆表面造成的不良影响。根据持续性气泡的动态模型优化液体介质类型和浓度，调控持续性气泡滞留时间，避免长时间滞留在硅晶圆表面的持续性气泡与后续激光脉冲反应，减轻持续性气泡破溃冲击作用对硅晶圆表面带来的不良影响。利用本发明提出的加工方法加工硅晶圆，获得的切缝窄、热影响区小、微纳颗粒溅射沉积范围小、诱导气泡负面影响小。

摘要： 本发明的实施例提供了一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备，涉及半导体技术领域。晶圆加热转移装置包括加热盘、转移手指和驱动机构，加热盘中部开设有通孔，在通孔的周围还开设有多个凹槽，加热盘用于承载晶圆、并对晶圆加热；转移手指安装在凹槽内，转移手指用于转移晶圆；驱动机构安装在通孔内，驱动机构与转移手指连接，驱动机构用于带动转移手指相对于加热盘升降、旋转。其中，凹槽的形状与转移手指的形状相适配，转移手指包括主干和多个分支，多个分支连接在主干的同一侧，相邻两个转移手指的分支用于支撑起同一个晶圆。晶圆加热转移装置能够提高晶圆受热的均匀性，使晶圆上产生的沉积膜的厚度均匀。

摘要： 本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。

摘要： 本实用新型揭示了一种柱圆轭方的三相五柱铁芯，包括第一铁芯柱、第二铁芯柱、第三铁芯柱、第四铁芯柱、第五铁芯柱、方形轭铁；所述第二铁芯柱、第三铁芯柱、第四铁芯柱的结构相同；第二铁芯柱的中部为柱体，第二铁芯柱两端的纵向剖面为等腰直角三角形；第二铁芯柱、第三铁芯柱、第四铁芯柱的两端嵌入于方形轭铁的对应侧；所述第一铁芯柱、第五铁芯柱的中部为柱体，第一铁芯柱、第五铁芯柱分别为第二铁芯柱的一半，第一铁芯柱、第五铁芯柱拼合在一起能形成第二铁芯柱；所述方形轭铁包括八个轭铁单元，各轭铁单元的纵向剖面均为梯形。本实用新型提出的柱圆轭方的三相五柱铁芯，可降低变压器高度，提高变压器散热效率，同时提高运输便捷性。