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Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International
Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International
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1.
Enhanced ballisticity in nano-MOSFETs along the ITRS roadmap: a Monte Carlo study
机译:
沿着ITRS路线图增强纳米MOSFET的弹道性:蒙特卡洛研究
作者:
Eminente S.
;
Esseni D.
;
Palestri P.
;
Fiegna C.
;
Selmi L.
;
Sangiorgi E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
2.
A 65 nm CMOS technology for mobile and digital signal processing applications
机译:
适用于移动和数字信号处理应用的65 nm CMOS技术
作者:
Chatterjee A.
;
Yoon J.
;
Zhao S.
;
Tang S.
;
Sadra K.
;
Crank S.
;
Mogul H.
;
Aggarwal R.
;
Chatterjee B.
;
Lytle S.
;
Lin C.T.
;
Lee K.D.
;
Kim J.
;
Hong Q.Z.
;
Kim T.
;
Olsen L.
;
Quevedo-Lopez M.
;
Kirmse K.
;
Zhang G.
;
Meek C.
;
Aldrich D.
;
Mair H.
;
Mehrotra M.
;
Adam L.
;
Mosher D.
;
Yang J.Y.
;
Crenshaw D.
;
Williams B.
;
Jacobs J.
;
Jain M.
;
Rosal J.
;
Houston T.
;
Wu J.
;
Nagaraj N.S.
;
Scott D.
;
Ashburn S.
;
Tsao A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
3.
A novel low cost 65nm CMOS process architecture with self aligned isolation and W cladded source/drain
机译:
一种新颖的低成本65nm CMOS工艺架构,具有自对准隔离和W覆盖的源极/漏极
作者:
Blosse A.
;
Ramkumar K.
;
Gopalan P.
;
Hsu C.T.
;
Narayanan S.
;
Narasimhan G.
;
Gettle R.
;
Kapre R.
;
Sharifzadeh S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
4.
A capacitor-less DRAM cell on 75nm gate length, 16nm thin fully depleted SOI device for high density embedded memories
机译:
栅极长度为75nm的无电容器DRAM单元,16nm薄的全耗尽SOI器件,用于高密度嵌入式存储器
作者:
Ranica R.
;
Villaret A.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Malinge P.
;
Mazoyer P.
;
Masson P.
;
Delille D.
;
Charbuillet C.
;
Candelier P.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
5.
A novel methodology on tuning work function of metal gate using stacking bi-metal layers
机译:
利用堆叠双金属层调整金属栅极功函数的新方法
作者:
Jeon I.S.
;
Lee J.
;
Zhao P.
;
Sivasubramani P.
;
Oh T.
;
Kim H.J.
;
Cha D.
;
Huang J.
;
Kim M.J.
;
Gnade B.E.
;
Kim J.
;
Wallace R.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
6.
A new cell-based performance metric for novel CMOS device architectures
机译:
针对新型CMOS器件架构的基于单元的新性能指标
作者:
Christie P.
;
Heringa A.
;
Doornbos G.
;
Kumar A.
;
Nguyen V.H.
;
Ng R.K.M.
;
Garg M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
7.
A 100-W high-gain AlGaN/GaN HEMT power amplifier on a conductive n-SiC substrate for wireless base station applications
机译:
导电n-SiC衬底上的100W高增益AlGaN / GaN HEMT功率放大器,用于无线基站应用
作者:
Kanamura M.
;
Kikkawa T.
;
Joshin K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
8.
350V/150A AlGaN/GaN power HFET on silicon substrate with source-via grounding (SVG) structure
机译:
具有源极接地(SVG)结构的硅衬底上的350V / 150A AlGaN / GaN功率HFET
作者:
Hikita M.
;
Yanagihara M.
;
Nakazawa K.
;
Ueno H.
;
Hirose Y.
;
Ueda T.
;
Uemoto Y.
;
Tanaka T.
;
Ueda D.
;
Egawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
9.
45 nm nMOSFET with metal gate on thin SiON driving 1150 μA/μm and off-state of 10nA/μm
机译:
45 nm nMOSFET,在薄SiON上具有金属栅极,驱动1150μA/μm,关态10nA /μm
作者:
Henson K.
;
Lander R.J.P.
;
Demand M.
;
Dachs C.J.J.
;
Kaczer B.
;
Deweerd W.
;
Schram T.
;
Tokei Z.
;
Hooker J.C.
;
Cubaynes F.N.
;
Beckx S.
;
Boullart W.
;
Coenegrachts B.
;
Vertommen J.
;
Richard O.
;
Bender H.
;
Vandervorst W.
;
Kaiser M.
;
Everaert J.-L.
;
Jurczak M.
;
Biesemans S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
10.
A highly manufacturable nano-metallic particle based DNA micro-array
机译:
高度可制造的基于纳米金属粒子的DNA微阵列
作者:
Jiong Li
;
Chen Xu
;
Yijin Wang
;
Huajun Peng
;
Zuhong Lu
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
11.
A systematic study of trade-offs in engineering a locally strained pMOSFET
机译:
对局部应变pMOSFET进行折衷设计的系统研究
作者:
Nouri F.
;
Verheyen P.
;
Washington L.
;
Moroz V.
;
De Wolf I.
;
Kawaguchi M.
;
Biesemans S.
;
Schreutelkamp R.
;
Kim Y.
;
Shen M.
;
Xu X.
;
Rooyackers R.
;
Jurczak M.
;
Eneman G.
;
De Meyer K.
;
Smith L.
;
Pramanik D.
;
Forstner H.
;
Thirupapuliyur S.
;
Higashi G.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
12.
An organic semiconductor based process for photodetecting applications
机译:
基于有机半导体的光电检测工艺
作者:
Kymissis I.
;
Sodini C.G.
;
Akinwande A.I.
;
Bulovic V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
13.
Integration of ALD TaN barriers in porous low-k interconnect for the 45 nm node and beyond; solution to relax electron scattering effect
机译:
在45 nm及更高节点的多孔低k互连中集成ALD TaN势垒;缓解电子散射效应的解决方案
作者:
Besling W.F.A.
;
Arnal V.
;
Guillaumond J.R.
;
Guedj C.
;
Broekaart M.
;
Chapelon L.L.
;
Farcy A.
;
Arnaud L.
;
Torres J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
14.
Intrinsic characteristics of high-k devices and implications of fast transient charging effects (FTCE)
机译:
高k器件的固有特性以及快速瞬态充电效应(FTCE)的含义
作者:
Lee B.H.
;
Young C.D.
;
Choi R.
;
Sim J.H.
;
Bersuker G.
;
Kang C.Y.
;
Harris R.
;
Brown G.A.
;
Matthews K.
;
Song S.C.
;
Moumen N.
;
Barnett J.
;
Lysaght P.
;
Choi K.S.
;
Wen H.C.
;
Huffman C.
;
Alshareef H.
;
Majhi P.
;
Gopalan S.
;
Peterson J.
;
Kirsh P.
;
Li H.-J.
;
Gutt J.
;
Gardner M.
;
Huff H.R.
;
Zeitzoff P.
;
Murto R.W.
;
Larson L.
;
Ramiller C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
15.
Transient-induced latchup in CMOS technology: physical mechanism and device simulation
机译:
CMOS技术中的瞬态感应闩锁:物理机制和设备仿真
作者:
Ming-Dou Ker
;
Sheng-Fu Hsu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
16.
Comprehensive study of soft errors in advanced CMOS circuits with 90/130 nm technology
机译:
使用90/130 nm技术全面研究高级CMOS电路中的软错误
作者:
Tosaka Y.
;
Ehara H.
;
Igeta M.
;
Uemura T.
;
Oka H.
;
Matsuoka N.
;
Hatanaka K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
17.
Investigation of soft error rate including multi-bit upsets in advanced SRAM using neutron irradiation test and 3D mixed-mode device simulation
机译:
使用中子辐照测试和3D混合模式器件仿真研究高级SRAM中的软错误率,包括多位翻转
作者:
Kawakami Y.
;
Hane M.
;
Nakamura H.
;
Yamada T.
;
Kumagai K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
18.
Low power device technology with SiGe channel, HfSiON, and poly-Si gate
机译:
具有SiGe沟道,HfSiON和多晶硅栅极的低功耗器件技术
作者:
Wang H.C.-H.
;
Shang-Jr Chen
;
Ming-Fang Wang
;
Pang-Yen Tsai
;
Ching-Wei Tsai
;
Ta-Wei Wang
;
Ting S.M.
;
Tuo-Hung Hou
;
Peng-Soon Lim
;
Huan-Just Lin
;
Ying Jin
;
Hun-Jan Tao
;
Shih-Chang Chen
;
Diaz C.H.
;
Mong-Song Liang
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
19.
Performance comparison and channel length scaling of strained Si FETs on SiGe-on-insulator (SGOI)
机译:
绝缘体上锗硅(SGOI)上应变硅FET的性能比较和沟道长度定标
作者:
Cai J.
;
Rim K.
;
Bryant A.
;
Jenkins K.
;
Ouyang C.
;
Singh D.
;
Ren Z.
;
Lee K.
;
Yin H.
;
Hergenrother J.
;
Kanarsky T.
;
Kumar A.
;
Wang X.
;
Bedell S.
;
Reznicek A.
;
Hovel H.
;
Sadana D.
;
Uriarte D.
;
Mitchell R.
;
Ott J.
;
Mocuta D.
;
ONeil P.
;
Mocuta A.
;
Leobandung E.
;
Miller R.
;
Haensch W.
;
Leong M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
20.
High performance and high reliability polysilicon thin-film transistors with multiple nano-wire channels
机译:
具有多个纳米线通道的高性能和高可靠性多晶硅薄膜晶体管
作者:
Yung-Chun Wu
;
Chun-Yen Chang
;
Ting-Chang Chang
;
Po-Tsun Liu
;
Chi-Shen Chen
;
Chun-Hao Tu
;
Hsiao-Wen Zan
;
Ya-Hsiane Tai
;
Simon Min Sze
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
21.
Electron spin qubits in quantum dots
机译:
量子点中的电子自旋量子位
作者:
Hanson R.
;
Elzerman J.M.
;
Willems van Beveren L.H.
;
Vandersypen L.M.K.
;
Kouwenhoven L.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
22.
Influence of nitrogen in ultra-thin SiON on negative bias temperature instability under AC stress
机译:
超薄SiON中的氮对AC应力下负偏压温度不稳定性的影响
作者:
Mitani Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
23.
Key differences for process-induced uniaxial vs. substrate-induced biaxial stressed Si and Ge channel MOSFETs
机译:
工艺诱导的单轴应力与衬底诱导的双轴应力Si和Ge沟道MOSFET的主要区别
作者:
Thompson S.
;
Sun G.
;
Wu K.
;
Lim J.
;
Nishida T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
24.
In-plane mobility anisotropy and universality under uni-axial strains in nand p-MOS inversion layers on (100), 110, and (111) Si
机译:
(100),110和(111)Si上的n和p-MOS反转层中单轴应变下的面内迁移率各向异性和通用性
作者:
Irie H.
;
Kita K.
;
Kyuno K.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
25.
SiGe HBT technology with f
max
/f
T
=350/300 GHz and gate delay below 3.3 ps
机译:
f
max sub> / f
T sub> = 350/300 GHz且栅极延迟低于3.3 ps的SiGe HBT技术
作者:
Khater M.
;
Rieh J.-S.
;
Adam T.
;
Chinthakindi A.
;
Johnson J.
;
Krishnasamy R.
;
Meghelli M.
;
Pagette F.
;
Sanderson D.
;
Schnabel C.
;
Schonenberg K.T.
;
Smith P.
;
Stein K.
;
Strieker A.
;
Jeng S.-J.
;
Ahlgren D.
;
Freeman G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
26.
3.3 ps SiGe bipolar technology
机译:
3.3 PSS IgE bipolar technology
作者:
Bock J.
;
Schafer H.
;
Knapp H.
;
Aufinger K.
;
Wurzer M.
;
Boguth S.
;
Bottner T.
;
Stengl R.
;
Perndl W.
;
Meister T.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
27.
255 nm interconnected micro-pixel deep ultraviolet light emitting diodes
机译:
255 nm互连的微像素深紫外发光二极管
作者:
Asif Khan M.
;
Shuai Wu
;
Wenhong Sun
;
Chitnis A.
;
Adivarahan V.
;
Shatalov M.
;
Yang J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
28.
High-responsivity, high-speed, and high-saturation-power performances of evanescently coupled photodiodes with partially p-doped photo-absorption layer
机译:
具有部分P掺杂光吸收层的e逝耦合光电二极管的高响应性,高速和高饱和功率性能
作者:
Shi J.W.
;
Wu Y.S.
;
Huang F.H.
;
Chan Y.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
29.
Experimental extraction of the electron impact-ionization coefficient at large operating temperatures
机译:
大工作温度下电子碰撞电离系数的实验提取
作者:
Reggiani S.
;
Gnani E.
;
Rudan M.
;
Baccarani G.
;
Corvasce C.
;
Barlini D.
;
Ciappa M.
;
Fichtner W.
;
Denison M.
;
Jensen N.
;
Groos G.
;
Stecher M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
30.
Electro-thermal comparison and performance optimization of thin-body SOI and GOI MOSFETs
机译:
薄体SOI和GOI MOSFET的电热比较和性能优化
作者:
Pop E.
;
Chi On Chui
;
Dutton R.
;
Sinha S.
;
Goodson K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
31.
Transport properties of sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices
机译:
低于10纳米的平面体CMOS器件的传输特性
作者:
Wakabayashi H.
;
Ezaki T.
;
Hane M.
;
Yamagami S.
;
Ikarashi N.
;
Takeuchi K.
;
Yamamoto T.
;
Mogami T.
;
Ikezawa T.
;
Sakamoto T.
;
Kawaura H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
32.
Double SiGe:C diffusion barrier channel 40nm CMOS with improved short-channel performances
机译:
具有改善的短通道性能的双SiGe:C扩散阻挡通道40nm CMOS
作者:
Ducroquet F.
;
Ernst T.
;
Hartmann J.-M.
;
Weber O.
;
Andrieu F.
;
Holliger P.
;
Laugier F.
;
Rivallin P.
;
Guegan G.
;
Lafond D.
;
Laviron C.
;
Carron V.
;
Brevard L.
;
Tabone C.
;
Bouchu D.
;
Toffoli A.
;
Cluzel J.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
33.
Record RF performance of standard 90 nm CMOS technology
机译:
记录标准90 nm CMOS技术的RF性能
作者:
Tiemeijer L.F.
;
Havens R.J.
;
de Kort R.
;
Scholten A.J.
;
van Langevelde R.
;
Klaassen D.B.M.
;
Sasse G.T.
;
Bouttement Y.
;
Petot C.
;
Bardy S.
;
Gloria D.
;
Scheer P.
;
Boret S.
;
Van Haaren B.
;
Clement C.
;
Larchanche J.-F.
;
Lim I.-S.
;
Duvallet A.
;
Zlotnicka A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
34.
RF power potential of 90 nm CMOS: device options, performance, and reliability
机译:
90 nm CMOS的RF功率潜力:器件选件,性能和可靠性
作者:
Scholvin J.
;
Greenberg D.R.
;
del Alamo J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
35.
Low leakage reliability characterization methodology for advanced CMOS with gate oxide in the 1nm range
机译:
具有1nm范围栅氧化层的先进CMOS的低泄漏可靠性表征方法
作者:
Chung S.S.
;
Feng H.J.
;
Hsich Y.S.
;
Liu A.
;
Lin W.M.
;
Chen D.F.
;
Ho J.H.
;
Huang K.T.
;
Yang C.L.
;
Cheng O.
;
Sheng Y.C.
;
Wu D.Y.
;
Shiau W.T.
;
Chien S.C.
;
Kuan Liao
;
Sun S.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
36.
Careful examination on the asymmetric Vfb shift problem for poly-Si/HfSiON gate stack and its solution by the Hf concentration control in the dielectric near the poly-Si interface with small EOT expense
机译:
用EOT费用少的多晶硅界面附近的电介质中的Hf浓度控制,仔细研究了多晶硅/ HfSiON栅堆叠的不对称Vfb漂移问题及其解决方案
作者:
Koyama M.
;
Kamimuta Y.
;
Ino T.
;
Nishiyama A.
;
Kaneko A.
;
Inumiya S.
;
Eguchi K.
;
Takayanagi M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
37.
Implementation of HfSiON gate dielectric for sub-60nm DRAM dual gate oxide with recess channel array transistor (RCAT) and tungsten gate
机译:
HfSiON栅极电介质用于带有凹沟道阵列晶体管(RCAT)和钨栅极的60nm以下DRAM双栅极氧化物
作者:
Seong Geon Park
;
Beom Jun Jin
;
Hye Lan Lee
;
Hong Bae Park
;
Taek Soo Jeon
;
Hag-Ju Cho
;
Sang Yong Kim
;
Soo Ik Jang
;
Sang Bom Kang
;
Yu Gyun Shin
;
U-In Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
38.
First demonstration of sub-0.25μm-width emitter InP-DHBTs with > 400 GHz f
t
and > 400 GHz f
max
机译:
首次演示了具有> 400 GHz f
t sub>和> 400 GHz f
max sub>的0.25μm宽以下发射极InP-DHBT
作者:
Hussain T.
;
Royter Y.
;
Hitko D.
;
Montes M.
;
Madhav M.
;
Milosavljevic I.
;
Rajavel R.
;
Thomas S.
;
Antcliffe M.
;
Arthur A.
;
Boegeman Y.
;
Sokolich M.
;
Li J.
;
Asbeck P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
39.
Highly scalable nonvolatile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses
机译:
使用非对称单极性电压脉冲驱动的简单二进制氧化物实现高度可扩展的非易失性电阻存储器
作者:
Baek I.G.
;
Lee M.S.
;
Seo S.
;
Lee M.J.
;
Seo D.H.
;
Suh D.-S.
;
Park J.C.
;
Park S.O.
;
Kim H.S.
;
Yoo I.K.
;
Chung U.-In.
;
Moon J.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
40.
Direct plating of Cu on ALD TaN for 45nm node Cu BEOL metallization
机译:
在ALD TaN上直接镀铜以实现45nm节点Cu BEOL金属化
作者:
Shih C.H.
;
Su H.W.
;
Lin C.J.
;
Ko T.
;
Chen C.H.
;
Huang J.J.
;
Chou S.W.
;
Peng C.H.
;
Hsieh C.H.
;
Tsai M.H.
;
Shue W.
;
Yu C.H.
;
Liang M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
41.
Low-voltage flexible organic circuits with molecular gate dielectrics
机译:
具有分子门电介质的低压柔性有机电路
作者:
Klauk H.
;
Halik M.
;
Eder F.
;
Schmid G.
;
Dehm C.
;
Rohde D.
;
Brederlow R.
;
Briole S.
;
Maisch S.
;
Effenberger F.
;
Zschieschang U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
42.
Charge trapping in aggressively scaled metal gate/high-k stacks
机译:
大规模捕获的金属栅/高k堆栈中的电荷陷阱
作者:
Gusev E.P.
;
Narayanan V.
;
Zafar S.
;
Cabral C. Jr.
;
Carrier E.
;
Bojarczuk N.
;
Callegari A.
;
Carruthers R.
;
Chudzik M.
;
DEmic C.
;
Duch E.
;
Jamison P.
;
Kozlowski P.
;
LaTulipe D.
;
Maitra K.
;
McFeely F.R.
;
Newbury J.
;
Paruchuri V.
;
Steen M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
43.
3D quantum modeling and simulation of multiple-gate nanowire MOSFETs
机译:
多栅极纳米线MOSFET的3D量子建模和仿真
作者:
Bescond M.
;
Nehari K.
;
Autran J.L.
;
Cavassilas N.
;
Munteanu D.
;
Lannoo M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
44.
High performance and low power transistors integrated in 65nm bulk CMOS technology
机译:
集成在65nm体CMOS技术中的高性能和低功率晶体管
作者:
Luo Z.
;
Steegen A.
;
Eller M.
;
Mann R.
;
Baiocco C.
;
Nguyen P.
;
Kim L.
;
Hoinkis M.
;
Ku V.
;
Klee V.
;
Jamin F.
;
Wrschka P.
;
Shafer P.
;
Lin W.
;
Fang S.
;
Ajmera A.
;
Tan W.
;
Park D.
;
Mo R.
;
Lian J.
;
Vietzke D.
;
Coppock C.
;
Vayshenker A.
;
Hook T.
;
Chan V.
;
Kim K.
;
Cowley A.
;
Kim S.
;
Kaltalioglu E.
;
Zhang B.
;
Marokkey S.
;
Lin Y.
;
Lee K.
;
Zhu H.
;
Weybright M.
;
Rengarajan R.
;
Ku J.
;
Schiml T.
;
Sudijono J.
;
Yang I.
;
Wann C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
45.
Customer oriented technologies for innovative leading edge foundry manufacturing
机译:
以客户为导向的技术,用于创新的前沿铸造制造
作者:
Yang S.
;
Chen J.
;
Chen S.
;
Chen Z.
;
Fan A.
;
He B.
;
Jiang Q.
;
Kuang E.
;
Lin Y.-F.
;
Liu Y.
;
Ning J.
;
Pai C.-H.
;
Sun P.
;
Tang D.
;
Wu H.-M.
;
Xing G.-Q.
;
Xu J.
;
Yu X.
;
Zhang J.
;
Zheng W.
;
Zhi C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
46.
On-chip transmission line for long global interconnects
机译:
片上传输线,用于长距离全局互连
作者:
Ito H.
;
Inoue J.
;
Gomi S.
;
Sugita H.
;
Okada K.
;
Masu K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
47.
Novel carbon nanotube FET design with tunable polarity
机译:
极性可调的新型碳纳米管FET设计
作者:
Yu-Ming Lin
;
Appenzeller J.
;
Avouris P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
48.
Electrical deactivation and diffusion of boron in preamorphized ultrashallow junctions: interstitial transport and F co-implant control
机译:
硼在预非晶化超浅结中的失活和扩散:间质转运和F共植入控制
作者:
Colombeau B.
;
Smith A.J.
;
Cowern N.E.B.
;
Lerch W.
;
Paul S.
;
Pawlak B.J.
;
Cristiano F.
;
Hebras X.
;
Bolze D.
;
Ortiz C.
;
Pichler P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
49.
Substituted aluminum metal gate on high-k dielectric for low work-function and Fermi-level pinning free
机译:
高k电介质上的替代铝金属栅极,以实现低功函和费米级无钉扎
作者:
Chang Seo Park
;
Byung Jin Cho
;
Lei Jun Tang
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
50.
Demonstration of an extendable and industrial 300mm BEOL integration for the 65-nm technology node
机译:
演示用于65纳米技术节点的可扩展的工业300mm BEOL集成
作者:
Hinsinger O.
;
Fox R.
;
Sabouret E.
;
Goldberg C.
;
Verove C.
;
Besling W.
;
Brun P.
;
Josse E.
;
Monget C.
;
Belmont O.
;
Van Hassel J.
;
Sharma B.G.
;
Jacquemin J.P.
;
Vannier P.
;
Humbert A.
;
Bunel D.
;
Gonella R.
;
Mastromatteo E.
;
Reber D.
;
Farcy A.
;
Mueller J.
;
Christie P.
;
Nguyen V.H.
;
Cregut C.
;
Berger T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
51.
Self-aligned carbon nanotube transistors with novel chemical doping
机译:
具有新型化学掺杂的自对准碳纳米管晶体管
作者:
Chen J.
;
Klinke C.
;
Afzali A.H.
;
Chan K.
;
Avouris P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
52.
Capacitance modeling of laterally non-uniform MOS devices
机译:
横向非均匀MOS器件的电容建模
作者:
Aarts A.C.T.
;
van der Hout R.
;
Paasschens J.C.J.
;
Scholten A.J.
;
Willemsen M.
;
Klaassen D.B.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
53.
An efficient surface potential solution algorithm for compact MOSFET models
机译:
紧凑型MOSFET模型的有效表面电势解决算法
作者:
Rios R.
;
Mudanai S.
;
Wei-Kai Shih
;
Packan P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
54.
GaN double heterojunction field effect transistor for microwave and millimeterwave power applications
机译:
用于微波和毫米波功率应用的GaN双异质结场效应晶体管
作者:
Micovic M.
;
Hashimoto P.
;
Ming Hu
;
Milosavljevic I.
;
Duvall J.
;
Willadsen P.J.
;
Wong W.-S.
;
Conway A.M.
;
Kurdoghlian A.
;
Deelman P.W.
;
Jeong-S Moon
;
Schmitz A.
;
Delaney M.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
55.
Ultra-fast measurements of the inversion charge in MOSFETs and impact on measured mobility in high-k MOSFETs
机译:
MOSFET中反向电荷的超快速测量及其对高k MOSFET中迁移率的影响
作者:
Singh D.V.
;
Solomon P.
;
Gusev E.P.
;
Singco G.
;
Ren Z.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
56.
Electrothermal and phase-change dynamics in chalcogenide-based memories
机译:
基于硫族化物的存储器中的电热和相变动力学
作者:
Lacaita A.L.
;
Redaelli A.
;
Ielmini D.
;
Pellizzer F.
;
Pirovano A.
;
Benvenuti A.
;
Bez R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
57.
MOSFETs and high-speed photodetectors on Ge-on-insulator substrates fabricated using rapid melt growth
机译:
使用快速熔体生长在绝缘体上的Ge衬底上的MOSFET和高速光电探测器
作者:
Yaocheng Liu
;
Gopalakrishnan K.
;
Griffin P.B.
;
Kai Ma
;
Deal M.D.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
58.
Label-free detection of DNA hybridization with Au/SiO
2
/Si diodes and poly-Si TFTs
机译:
用Au / SiO
2 sub> / Si二极管和多晶TFT进行DNA杂交的无标记检测
作者:
Estrela P.
;
Stewart A.G.
;
Migliorato P.
;
Maeda H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
59.
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates
机译:
直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上AlGaN / AlN / GaN HEMT的生长和表征
作者:
Miyoshi M.
;
Imanishi A.
;
Ishikawa H.
;
Egawa T.
;
Asai K.
;
Mouri M.
;
Shibata T.
;
Tanaka M.
;
Oda O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
60.
Universal signature of ballistic transport in nanoscale field effect transistors
机译:
纳米级场效应晶体管中弹道传输的通用特征
作者:
Schliemann A.
;
Worschech L.
;
Forchel A.
;
Curatola G.
;
Iannaccone G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
61.
Drastic suppression of thermally induced leakage of NiSi silicided shallow junctions by pre-SALICIDE fluorine implantation
机译:
通过前SALICIDE氟注入来彻底抑制NiSi硅化浅结的热致泄漏
作者:
Tsuchiaki M.
;
Ohuchi K.
;
Nishiyama A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
62.
Highly scalable sub-50nm vertical double gate trench DRAM cell
机译:
高度可扩展的低于50nm的垂直双栅沟槽DRAM单元
作者:
Schloesser T.
;
Manger D.
;
Weis R.
;
Slesazeck S.
;
Lau F.
;
Tegen S.
;
Sesterhenn M.
;
Muemmler M.
;
Nuetzel J.
;
Temmler D.
;
Kowalski B.
;
Scheler U.
;
Stavrev M.
;
Koehler D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
63.
Nanowires: building blocks for the assembly of integrated nanosystems
机译:
纳米线:集成纳米系统组装的基础
作者:
Lieber C.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
64.
Mechanical compution, redux? Nanoelectromechanical systems
机译:
机械计算,redux? 纳米机电系统
作者:
Roukes M.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
65.
Novel ferroelectrics-based micro-acoustic devices and their ultrasonic applications
机译:
基于铁电体的新型微声器件及其超声应用
作者:
Yi-Ping Zhu
;
Tian-Ling Ren
;
Yi Yang
;
Xiao-Ming Wu
;
Ning-Xin Zhang
;
Li-Tian Liu
;
Zhi-Min Tan
;
Hai-Ning Wang
;
Jian Cai
;
Shui-Di Wang
;
Zhi-Jian Li
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
66.
Advanced gate stacks with fully silicided (FUSI) gates and high-κ dielectrics: enhanced performance at reduced gate leakage
机译:
具有全硅化(FUSI)栅极和高κ电介质的高级栅极叠层:在降低栅极泄漏的情况下提高了性能
作者:
Gusev E.P.
;
Cabral C. Jr.
;
Under B.P.
;
Kim Y.H.
;
Maitra K.
;
Carrier E.
;
Nayfeh H.
;
Amos R.
;
Biery G.
;
Bojarczuk N.
;
Callegari A.
;
Carruthers R.
;
Cohen S.A.
;
Copel M.
;
Fang S.
;
Frank M.
;
Guha S.
;
Gribelyuk M.
;
Jamison P.
;
Jammy R.
;
Ieong M.
;
Kedzierski J.
;
Kozlowski P.
;
Ku K.
;
Lacey D.
;
LaTulipe D.
;
Narayanan V.
;
Ng H.
;
Nguyen P.
;
Newbury J.
;
Paruchuri V.
;
Rengarajan R.
;
Shahidi G.
;
Steegen A.
;
Steen M.
;
Zafar S.
;
Zhang Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
67.
Performance enhancement of partially- and fully-depleted strained-SOI MOSFETs and characterization of strained-Si device parameters
机译:
部分耗尽和完全耗尽的应变SOI MOSFET的性能增强以及应变硅器件参数的表征
作者:
Numata T.
;
Irisawa T.
;
Tezuka T.
;
Koga J.
;
Hirashita N.
;
Usuda K.
;
Toyoda E.
;
Miyamura Y.
;
Sugiyama N.
;
Shin-ichi Takagi
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
68.
Implant damage and gate-oxide-edge effects on product reliability
机译:
植入物损坏和门氧化物边缘对产品可靠性的影响
作者:
Yung-Huei Lee
;
Nachman R.
;
Sam Hu
;
Mielke N.
;
Liu J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
69.
What we have learned on flash memory reliability in the last ten years
机译:
过去十年中我们对闪存可靠性的了解
作者:
Cappelletti P.
;
Bez R.
;
Modelli A.
;
Visconti A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
70.
Fully-depleted FBC (floating body cell) with enlarged signal window and excellent logic process compatibility
机译:
完全耗尽的FBC(浮体电池),具有更大的信号窗口和出色的逻辑过程兼容性
作者:
Shino T.
;
Higashi T.
;
Kusunoki N.
;
Fujita K.
;
Ohsawa T.
;
Aoki N.
;
Tanimoto H.
;
Minami Y.
;
Yamada T.
;
Morikado M.
;
Nakajima H.
;
Inoh K.
;
Hamamoto T.
;
Nitayama A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
71.
Challenges for the integration of metal gate electrodes
机译:
金属栅电极集成面临的挑战
作者:
Schaeffer J.K.
;
Capasso C.
;
Fonseca L.R.C.
;
Samavedam S.
;
Gilmer D.C.
;
Liang Y.
;
Kalpat S.
;
Adetutu B.
;
Tseng H.-H.
;
Shiho Y.
;
Demkov A.
;
Hegde R.
;
Taylor W.J.
;
Gregory R.
;
Jiang J.
;
Luckowski E.
;
Raymond M.V.
;
Moore K.
;
Triyoso D.
;
Roan D.
;
White Jr B.E.
;
Tobin P.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
72.
Scaling study of Si and strained Si n-MOSFETs with different high-k gate stacks
机译:
具有不同高k栅极堆叠的Si和应变Si n-MOSFET的缩放研究
作者:
Lianfeng Yang
;
Watling J.R.
;
Adam-Lema F.
;
Asenov A.
;
Barker J.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
73.
Sub 30 nm multi-bridge-channel MOSFET (MBCFET) with metal gate electrode for ultra high performance application
机译:
具有金属栅电极的低于30 nm的多桥沟道MOSFET(MBCFET),用于超高性能应用
作者:
Eun-Jung Yoon
;
Sung-Young Lee
;
Sung-Min Kim
;
Min-Sang Kim
;
Sung Hwan Kim
;
Li Ming
;
Sungdae Suk
;
Kyounghawn Yeo
;
Chang Woo Oh
;
Jung-dong Choe
;
Donguk Choi
;
Dong-Won Kim
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
74.
Modulation of drain current by redox-active molecules incorporated in Si MOSFETs
机译:
Si MOSFET中的氧化还原活性分子对漏极电流的调制
作者:
Gowda S.
;
Mathur G.
;
Li Q.
;
Surthi S.
;
Zhao Q.
;
Lindsey J.S.
;
Bocian D.F.
;
Misra V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
75.
Front end stress modeling for advanced logic technologies
机译:
先进的逻辑技术的前端压力建模
作者:
Cea S.M.
;
Armstrong M.
;
Auth C.
;
Ghani T.
;
Giles M.D.
;
Hoffmann T.
;
Kotlyar R.
;
Matagne P.
;
Mistry K.
;
Nagisetty R.
;
Obradovic B.
;
Shaheed R.
;
Shifren L.
;
Stettler M.
;
Tyagi S.
;
Wang X.
;
Weber C.
;
Zawadzki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
76.
High-speed MEMS-based gas chromatography
机译:
高速MEMS气相色谱
作者:
Agah M.
;
Lambertus G.R.
;
Sacks R.D.
;
Wise K.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
77.
Challenge of low-k materials for 130, 90, 65 nm node interconnect technology and beyond
机译:
低k材料对于130、90、65 nm节点互连技术的挑战
作者:
Miyajima H.
;
Watanabe K.
;
Fujita K.
;
Ito S.
;
Tabuchi K.
;
Shimayama T.
;
Akiyama K.
;
Hachiya T.
;
Higashi K.
;
Nakamura N.
;
Kajita A.
;
Matsunaga N.
;
Enomoto Y.
;
Kanamura R.
;
Inohara M.
;
Honda K.
;
Kamijo H.
;
Nakata R.
;
Yano H.
;
Hayasaka N.
;
Hasegawa T.
;
Kadomura S.
;
Shibata H.
;
Yoda T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
78.
Recent advances in III-V nitride electronic devices
机译:
III-V氮化物电子器件的最新进展
作者:
Pavlidis D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
79.
Experimental determination of mobility scattering mechanisms in Si/HfO
2
/TiN and SiGe:C/HfO
2
/TiN surface channel n- and p-MOSFETs
机译:
Si / HfO
2 sub> / TiN和SiGe:C / HfO
2 sub> / TiN表面沟道n和p-MOSFET中迁移率散射机理的实验确定
作者:
Weber O.
;
Andrieu F.
;
Casse M.
;
Ernst T.
;
Mitard J.
;
Ducroquet F.
;
Damlencourt J.-F.
;
Hartmann J.-M.
;
Lafond D.
;
Papon A.-M.
;
Militaru L.
;
Thevenod L.
;
Romanjek K.
;
Leroux C.
;
Martin F.
;
Guillaumot B.
;
Ghibaudo G.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
80.
100nm InAlAs/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate
机译:
使用转移衬底的100nm InAlAs / InGaAs双栅HEMT
作者:
Wichmann N.
;
Duszynski I.
;
Bollaert S.
;
Mateos J.
;
Wallart X.
;
Cappy A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
81.
Front-end-of-line (FEOL) optimization for high-performance, high-reliable strained-Si MOSFETs; from virtual substrate to gate oxidation
机译:
针对高性能,高可靠性的应变硅MOSFET的前端(FEOL)优化;从虚拟基板到栅极氧化
作者:
Jong-Wook Lee
;
Sun-Ghil Lee
;
Young-Pil Kimx
;
Young-Pil Kim
;
Chul-Sung Kim
;
Hag-Ju Cho
;
Seung-Beom Kim
;
In-Soo Jung
;
Deok-Hyung Lee
;
Dong-Chan Kim
;
Taek-Soo Jeon
;
Seong-Geon Park
;
Hong-Bae Park
;
Yong-Hoon Son
;
Young-Eun Lee
;
Beom-Jun Jin
;
Hye-Lan Lee
;
Bon-Young Koo
;
Sang-Bom Kang
;
Yu Gyun Shin
;
U-In Chung
;
Joo-Tae Moon
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
82.
Carbon nanotube electronics and optoelectronics
机译:
碳纳米管电子学和光电子学
作者:
Avouris P.
;
Afzali A.
;
Appenzeller J.
;
Chen J.
;
Freitag M.
;
Klinke C.
;
Lin Y.-M.
;
Tsang J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
83.
High density and low power design of MRAM
机译:
MRAM的高密度和低功耗设计
作者:
Hung C.C.
;
Kao M.J.
;
Chen Y.S.
;
Wang Y.H.
;
Hsu H.H.
;
Chen C.M.
;
Lee Y.J.
;
Chen W.C.
;
Lee J.Y.
;
Chen W.S.
;
Shen K.H.
;
Wei J.H.
;
Wang L.C.
;
Chen K.L.
;
Tsai M.-J.
;
Lin W.C.
;
Chao S.
;
Tang D.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
84.
New insight into gate dielectric breakdown induced MOSFET degradation by novel percolation path resistance measurements
机译:
通过新颖的渗流路径电阻测量,对栅极电介质击穿引起的MOSFET退化的新见解
作者:
Pey K.L.
;
Lo V.L.
;
Tung C.H.
;
Chandra W.
;
Tang L.J.
;
Ang D.S.
;
Ranjan R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
85.
Enhanced dielectric-constant reliability of low-k porous organosilicate glass (k = 2.3) for 45-nm-generation Cu interconnects
机译:
低介电常数多孔有机硅玻璃(k = 2.3)用于45-nm一代铜互连的增强的介电常数可靠性
作者:
Ryuzaki D.
;
Sakurai H.
;
Abe K.
;
Takeda K.
;
Fukuda H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
86.
Displays, sensors and MEMS - MEMS technologies and applications
机译:
显示器,传感器和MEMS-MEMS技术与应用
作者:
Young D.
;
De Boeck J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
87.
CMOS and interconnect reliability ESD, soft errors and backend reliability issues for nanoscale CMOS technologies
机译:
纳米级CMOS技术的CMOS和互连可靠性ESD,软错误和后端可靠性问题
作者:
Banerjee K.
;
Blish R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
88.
Modeling and simulation process modeling
机译:
建模和仿真过程建模
作者:
Rafferty C.
;
Hobler G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
89.
Detectors, sensors and displays image sensors and bio sensors
机译:
检测器,传感器和显示图像传感器以及生物传感器
作者:
Haddad H.
;
Thewes R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
90.
Quantum electronics and compound semiconductors HEMTs: physics and now technologies
机译:
量子电子学和化合物半导体HEMT:物理学和现在的技术
作者:
Suemitsu T.
;
Verzellesi G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
91.
Process technology advances in source drain engineering
机译:
工艺技术在源漏工程中取得了进步
作者:
Jones K.S.
;
Amaud F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
92.
Session 7 - CMOS Devices - Strained Silicon I
机译:
分会场7-CMOS器件-应变硅I
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
93.
Notes blank
机译:
注释空白
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
94.
Session 32 - Displays, Sensors and MEMS - Thin Film Transistors
机译:
会议32-显示器,传感器和MEMS-薄膜晶体管
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
95.
Notes blank
机译:
注释空白
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
96.
Session 21 - Emerging Technologies Nano-Computing Devices
机译:
专题21-新兴技术纳米计算设备
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
97.
Notes blank
机译:
注释空白
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
98.
Notes blank
机译:
注释空白
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
99.
Breaker page
机译:
断路器页面
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
100.
IEEE IEDM Back Cover
机译:
IEEE IEDM 封底
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
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