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Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International
Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International
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1.
Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
2.
A high-performance all-inkjetted organic transistor technology
机译:
高性能全喷墨有机晶体管技术
作者:
Molesa S.E.
;
Volkman S.K.
;
Redinger D.R.
;
Vornbrock Ad.F.
;
Subramanian V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
3.
IEDM - a view as a participant and a customer
机译:
IEDM-作为参与者和客户的视图
作者:
Parillo L.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
4.
Self-assembled monolayer molecular devices
机译:
自组装单分子分子装置
作者:
Wenyong Wang
;
Takhee Lee
;
Kretzschmar I.
;
Routenberg D.
;
Reed M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
5.
Spintronics: semiconductors, molecules and quantum information
机译:
自旋电子学:半导体,分子和量子信息
作者:
Kato Y.
;
Berezovsky J.
;
Awschalom D.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
6.
High performance multi-bit nonvolatile HfO
2
nanocrystal memory using spinodal phase separation of hafnium silicate
机译:
硅酸spin旋节相分离的高性能多位非易失性HfO
2 sub>纳米晶体存储器
作者:
Yu-Hsien Lin
;
Chao-Hsin Chien
;
Ching-Tzung Lin
;
Ching-Wei Chen
;
Chun-Yen Chang
;
Tan-Fu Lei
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
7.
20 nm tri-gate SONOS memory cells with multi-level operation
机译:
具有多级操作的20 nm三栅极SONOS存储单元
作者:
Specht M.
;
Dorda U.
;
Dreeskornfeld L.
;
Kretz J.
;
Hofinann F.
;
Stadele M.
;
Luyken R.J.
;
Rosner W.
;
Reisinger H.
;
Landgraf E.
;
Schulz T.
;
Hartwich J.
;
Kommling R.
;
Risch L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
8.
Enhanced performance in 50 nm N-MOSFETs with silicon-carbon source/drain regions
机译:
具有硅碳源/漏区的50 nm N-MOSFET具有增强的性能
作者:
Kah Wee Ang
;
King Jien Chui
;
Bliznetsov V.
;
Anyan Du
;
Balasubramanian N.
;
Ming Fu Li
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
9.
Dual stress liner for high performance sub-45nm gate length SOI CMOS manufacturing
机译:
双应力衬垫,用于高性能低于45nm栅极长度的SOI CMOS制造
作者:
Yang H.S.
;
Malik R.
;
Narasimha S.
;
Li Y.
;
Divakaruni R.
;
Agnello P.
;
Allen S.
;
Antreasyan A.
;
Arnold J.C.
;
Bandy K.
;
Belyansky M.
;
Bonnoit A.
;
Bronner G.
;
Chan V.
;
Chen X.
;
Chen Z.
;
Chidambarrao D.
;
Chou A.
;
Clark W.
;
Crowder S.W.
;
Engel B.
;
Harifuchi H.
;
Huang S.F.
;
Jagannathan R.
;
Jamin F.F.
;
Kohyama Y.
;
Kuroda H.
;
Lai C.W.
;
Lee H.K.
;
Lee W.-H.
;
Lim E.H.
;
Lai W.
;
Mallikarjunan A.
;
Matsumoto K.
;
McKnight A.
;
Nayak J.
;
Ng H.Y.
;
Panda S.
;
Rengarajan R.
;
Steigerwalt M.
;
Subbanna S.
;
Subramanian K.
;
Sudijono J.
;
Sudo G.
;
Sun S.-P.
;
Tessier B.
;
Toyoshima Y.
;
Tran P.
;
Wise R.
;
Wong R.
;
Yang I.Y.
;
Wann C.H.
;
Su L.T.
;
Horstmann M.
;
Feudel Th.
;
Wei A.
;
Frohberg K.
;
Burbach G.
;
Gerhardt M.
;
Lenski M.
;
Stephan R.
;
Wieczorek K.
;
Schaller M.
;
Salz H.
;
Hohage J.
;
Ruelke H.
;
Klais J.
;
Huebler P.
;
Luning S.
;
van Bentum R.
;
Grasshoff G.
;
Schwan C.
;
Ehrichs E.
;
Goad S.
;
Buller J.
;
Krishnan S.
;
Greenlaw D.
;
Raab M.
;
Kepler N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
10.
Notes blank
机译:
注释空白
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
11.
A comprehensive trapped charge profiling technique for SONOS flash EEPROMs
机译:
用于SONOS闪存EEPROM的全面的陷阱电荷分析技术
作者:
Nair P.R.
;
Kumar B.
;
Sharma R.
;
Mahapatra S.
;
Kamohara S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
12.
A novel multi-channel field effect transistor (McFET) on bulk Si for high performance sub-80nm application
机译:
一种在体硅上的新型多通道场效应晶体管(McFET),适用于80nm以下的高性能应用
作者:
Sung Min Kim
;
Eun Jung Yoon
;
Hye Jin Jo
;
Ming Li
;
Chang Woo Oh
;
Sung Young Lee
;
Kyoung Hwan Yeo
;
Min Sang Kim
;
Sung Hwan Kim
;
Dong Uk Choe
;
Jeong Dong Choe
;
Sung Dae Suk
;
Dong-Won Kim
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
13.
A mechanically enhanced storage node for virtually unlimited height (MESH) capacitor aiming at sub 70nm DRAMs
机译:
机械增强的存储节点,可针对低于70nm DRAM的几乎无限高度(MESH)电容器
作者:
Kim D.H.
;
Kim J.Y.
;
Huh M.
;
Hwang Y.S.
;
Park J.M.
;
Han D.H.
;
Kim D.I.
;
Cho M.H.
;
Lee B.H.
;
Hwang H.K.
;
Song J.W.
;
Kang N.J.
;
Ha G.W.
;
Song S.S.
;
Shim M.S.
;
Kim S.E.
;
Kwon J.M.
;
Park B.J.
;
Oh H.J.
;
Kim H.J.
;
Woo D.S.
;
Jeong M.Y.
;
Kim Y.I.
;
Lee Y.S.
;
Shin J.C.
;
Seo J.W.
;
Jeong S.S.
;
Yoon K.H.
;
Ahn T.H.
;
Lee J.B.
;
Hyung Y.W.
;
Park S.J.
;
Choi W.T.
;
Jin G.Y.
;
Park Y.G.
;
Kim K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
14.
A novel solution for porous low-k dual damascene post etch stripping/clean with supercritical CO
2
technology for 65nm and beyond applications
机译:
采用超临界CO
2 sub>技术的多孔低k双金属镶嵌蚀刻后剥离/清洁解决方案,适用于65nm及更高应用
作者:
Wang C.Y.
;
Wu W.J.
;
Yang C.M.
;
Tseng W.H.
;
Chen H.C.
;
Bao T.I.
;
Lo H.
;
Wang J.
;
Yu C.H.
;
Liang M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
15.
Nanoelectronics - now or never?
机译:
纳米电子-现在还是永远不?
作者:
Lundstrom M.
;
Appenzeller J.
;
Heath J.
;
Reed M.
;
Chau R.
;
Horowitz M.
;
Tour J.
;
DeHon A.
;
Lieber C.
;
Zhirnov V.
;
Meindl J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
16.
What will end CMOS scaling - money or physics?
机译:
结束CMOS缩放的方法是什么-金钱还是物理学?
作者:
Stork H.
;
Bohr M.
;
Durcan M.
;
Shang-Ti Chiang
;
Fukuma M.
;
DeClerck G.
;
Yuan Taur
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
17.
A low-parasitic collector construction for high-speed SiGe:C HBTs
机译:
高速SiGe:C HBT的低寄生集电极结构
作者:
Heinemann B.
;
Barth R.
;
Bolze D.
;
Drews J.
;
Formanek P.
;
Grabolla T.
;
Haak U.
;
Hoppner W.
;
Kopke D.K.
;
Kuck B.
;
Kurps R.
;
Marschmeyer S.
;
Richter H.H.
;
Rucker H.
;
Schley P.
;
Schmidt D.
;
Winkler W.
;
Wolansky D.
;
Wulf H.E.
;
Yamamoto Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
18.
High voltage devices - a milestone concept in power ICs
机译:
高压设备-电源IC的里程碑概念
作者:
Udrea F.
;
Trajkovic T.
;
Amaratunga G.A.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
19.
Fully planar 0.562μm2 T-RAM cell in a 130nm SOI CMOS logic technology for high-density high-performance SRAMs
机译:
采用130nm SOI CMOS逻辑技术的全平面0.562μm 2 sup> T-RAM单元,用于高密度高性能SRAM
作者:
Nemati F.
;
Hyun-Jin Cho
;
Robins S.
;
Gupta R.
;
Tarabbia M.
;
Yang K.J.
;
Hayes D.
;
Gopalakrishnan V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
20.
Poly-gate replacement through contact hole (PRETCH): a new method for high-k/metal gate and multi-oxide implementation on chip
机译:
通过接触孔进行多栅极替换(PRETCH):一种用于高k /金属栅极和在芯片上实现多氧化物的新方法
作者:
Harrison S.
;
Coronel P.
;
Cros A.
;
Cerutti R.
;
Leverd F.
;
Beverina A.
;
Wacquez R.
;
Bustos J.
;
Delille D.
;
Tavel B.
;
Barge D.
;
Bienacel J.
;
Samson M.P.
;
Martin F.
;
Maitrejean S.
;
Munteanu D.
;
Autran J.L.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
21.
Silicon on thin BOX: a new paradigm of the CMOSFET for low-power high-performance application featuring wide-range back-bias control
机译:
薄盒上的硅:适用于低功率高性能应用的CMOSFET的新范例,具有宽范围的反向偏置控制
作者:
Tsuchiya R.
;
Horiuchi M.
;
Kimura S.
;
Yamaoka M.
;
Kawahara T.
;
Maegawa S.
;
Ipposhi T.
;
Ohji Y.
;
Matsuoka H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
22.
A highly manufacturable deep trench based DRAM cell layout with a planar array device in a 70nm technology
机译:
具有高度可制造性的基于深沟槽的DRAM单元布局,采用70nm技术的平面阵列器件
作者:
Amon J.
;
Kieslich A.
;
Heineck L.
;
Schuster T.
;
Faul J.
;
Luetzen J.
;
Fan C.
;
Huang C.C.
;
Fischer B.
;
Enders G.
;
Kudelka S.
;
Schroeder U.
;
Kuesters K.H.
;
Lange G.
;
Alsmeier J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
23.
Successful dual damascene integration of extreme low k materials (k < 2.0) using a novel gap fill based integration scheme
机译:
使用新颖的基于间隙填充的集成方案成功完成了极低k材料(k <2.0)的双镶嵌成功集成
作者:
Nitta S.
;
Purushothaman S.
;
Smith S.
;
Krishnan M.
;
Canaperi D.
;
Dalton T.
;
Volksen W.
;
Miller R.D.
;
Herbst B.
;
Hu C.K.
;
Liniger E.
;
Lloyd J.
;
Lane M.
;
Rath D.L.
;
Colburn M.
;
Gignac L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
24.
Improved short channel device characteristics with stress relieved pre-oxide (SRPO) and a novel tantalum carbon alloy metal gate/HfO
2
stack
机译:
通过消除应力的预氧化物(SRPO)和新型钽碳合金金属栅/ HfO
2 sub>堆叠改善了短沟道器件特性
作者:
Tseng H.-H.
;
Capasso C.C.
;
Schaeffer J.K.
;
Hebert E.A.
;
Tobin P.J.
;
Gilmer D.C.
;
Triyoso D.
;
Ramon M.E.
;
Kalpat S.
;
Luckowski E.
;
Taylor W.J.
;
Jeon Y.
;
Adetutu O.
;
Hegde R.I.
;
Noble R.
;
Jahanbani M.
;
El Chemali C.
;
White B.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
25.
A robust alternative for the DRAM capacitor of 50 nm generation
机译:
50代DRAM电容器的强大替代品
作者:
Kwang Hee Lee
;
Suk-Jin Chung
;
Jin Yong Kim
;
Ki-Chul Kim
;
Jae-Soon Lim
;
Kyuho Cho
;
Jinil Lee
;
Jeong-Hee Chung
;
HanJin Lim
;
KyungIn Choi
;
Sungho Han
;
SooIk Jang
;
Byeong-Yun Nam
;
Cha-Young Yoo
;
Sung-Tae Kim
;
U-In Chung
;
Joo-Tae Moon
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
26.
A novel 2-bit/cell nitride storage flash memory with greater than 1M P/E-cycle endurance
机译:
新型2位/单元氮化物存储闪存,具有超过1M的P / E循环寿命
作者:
Yen-Hao Shih
;
Hang-Ting Lue
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Rich Liu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
27.
Scalability study on a capacitorless 1T-DRAM: from single-gate PD-SOI to double-gate FinDRAM
机译:
无电容器1T-DRAM的可扩展性研究:从单栅极PD-SOI到双栅极FinDRAM
作者:
Tanaka T.
;
Yoshida E.
;
Miyashita T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
28.
A new vertically stacked poly-Si MOSFET for 533 MHz high speed 64Mbit SRAM
机译:
一种新型垂直堆叠多晶硅MOSFET,用于533 MHz高速64Mbit SRAM
作者:
Kikuchi T.
;
Moriya S.
;
Nakatsuka Y.
;
Matsuoka H.
;
Nakazato K.
;
Nishida A.
;
Chakihara H.
;
Matsuoka M.
;
Moniwa M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
29.
Suppression of kink phenomenon in ultra-high-speed strained InAs- inserted E-mode HEMTs with a new 0.1 μm Y-shaped Pt-buried gate and their impacts on device performance
机译:
新型0.1μmY形Pt埋入式栅极抑制超高速应变InAs插入E型HEMT的扭结现象及其对器件性能的影响
作者:
Dae-Hyun Kim
;
Tae-Woo Kim
;
Hun-Hee Noh
;
Jae-Hak Lee
;
Wei Feng
;
Xiaogang Xie
;
Quangang Du
;
Jiang Jian
;
Jong-In Song
;
Kwang-Seok Seo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
30.
Partial silicides technology for tunable work function electrodes on high-k gate dielectrics - Fermi level pinning controlled PtSi
x
for HfO
x
(N) pMOSFET
机译:
高k栅极电介质上可调功函数电极的部分硅化物技术-用于HfO
x sub>(N)pMOSFET的费米能级钉扎控制PtSi
x sub>
作者:
Nabatame T.
;
Kadoshima M.
;
Iwamoto K.
;
Mise N.
;
Migita S.
;
Ohno M.
;
Ota H.
;
Yasuda N.
;
Ogawa A.
;
Tominaga K.
;
Satake H.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
31.
Dual workfunction Ni-Silicide/HfSiON gate stacks by phase-controlled full-silicidation (PC-FUSI) technique for 45nm-node LSTP and LOP devices
机译:
采用相控全硅化(PC-FUSI)技术的45nm节点LSTP和LOP器件的双功函数Ni-Silicide / HfSiON栅堆叠
作者:
Takahashi K.
;
Manabe K.
;
Ikarashi T.
;
Ikarashi N.
;
Hase T.
;
Yoshihara T.
;
Watanabe H.
;
Tatsumi T.
;
Mochizuki Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
32.
On-the-fly characterization of NBTI in ultra-thin gate oxide PMOSFET's
机译:
超薄栅极氧化物PMOSFET中NBTI的动态表征
作者:
Denais M.
;
Parthasarathy C.
;
Ribes G.
;
Rey-Tauriac Y.
;
Revil N.
;
Bravaix A.
;
Huard V.
;
Perrier F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
33.
Relevance of remote scattering in gate to channel mobility of thin-oxide CMOS devices
机译:
栅极中的远程散射与薄氧化物CMOS器件的沟道迁移率的相关性
作者:
Solomon P.M.
;
Min Yang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
34.
Impact of surface roughness on silicon and germanium ultra-thin-body MOSFETs
机译:
表面粗糙度对硅和锗超薄MOSFET的影响
作者:
Low T.
;
Li M.F.
;
Fan W.J.
;
Ng S.T.
;
Yeo Y.-C.
;
Zhu C.
;
Chin A.
;
Chan L.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
35.
Technology booster using strain-enhancing laminated SiN (SELS) for 65nm node HP MPUs
机译:
使用应变增强叠层SiN(SELS)的技术助推器,用于65nm节点HP MPU
作者:
Goto K.
;
Satoh S.
;
Ohta H.
;
Fukuta S.
;
Yamamoto T.
;
Mori T.
;
Tagawa Y.
;
Sakuma T.
;
Saiki T.
;
Shimamune Y.
;
Katakami A.
;
Hatada A.
;
Morioka H.
;
Hayami Y.
;
Inagaki S.
;
Kawamura K.
;
Kim Y.
;
Kokura H.
;
Tamura N.
;
Horiguchi N.
;
Kojima M.
;
Sugii T.
;
Hashimoto K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
36.
Integration of high-performance SiGe:C HBTs with thin-film SOI CMOS
机译:
高性能SiGe:C HBT与薄膜SOI CMOS的集成
作者:
Rucker H.
;
Heinemann B.
;
Barth R.
;
Bolze D.
;
Drews J.
;
Fursenko O.
;
Grabolla T.
;
Haak U.
;
Hoppner W.
;
Knoll D.
;
Marschmeyer S.
;
Mohapatra N.
;
Richter H.H.
;
Schley P.
;
Schmidt D.
;
Tillack B.
;
Weidner G.
;
Wolansky D.
;
Wulf H.E.
;
Yamamoto Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
37.
Photonic crystals: fundamentals and applications
机译:
光子晶体:基本原理和应用
作者:
Lopez C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
38.
High-voltage extension(V
BR
≥ 800 V) for smart-power SOI-technologies
机译:
用于智能电源SOI技术的高压扩展(V
BR sub>≥800 V)
作者:
Rotter T.
;
Stoisiek M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
39.
Characteristics of ALD HfSiO
x
using new Si precursors for gate dielectric applications
机译:
使用新型Si前驱体的ALD HfSiO
x sub>的特性用于栅极电介质应用
作者:
Yun-Seok Kim
;
Ha Jin Lim
;
Hyung-Suk Jung
;
Jong-Ho Lee
;
Jae-Eun Park
;
Sung Kee Han
;
Jung Hyoung Lee
;
Seok-Joo Doh
;
Jong Pyo Kim
;
Nae In Lee
;
Ho-Kyu Kang
;
Youngsu Chung
;
Hae Young Kim
;
Nam Kyu Lee
;
Ramanathan S.
;
Seidel T.
;
Boleslawski M.
;
Irvine G.
;
Byung-Ki Kim
;
Hyeung-Ho Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
40.
Improvement of robustness against write disturbance by novel cell design for high density MRAM
机译:
通过针对高密度MRAM的新型单元设计来提高抗写干扰的鲁棒性
作者:
Kai T.
;
Yoshikawa M.
;
Nakayama M.
;
Fukuzumi Y.
;
Nagase T.
;
Kitagawa E.
;
Ueda T.
;
Kishi T.
;
Ikegawa S.
;
Asao Y.
;
Tsuchida K.
;
Yoda H.
;
Ishiwata N.
;
Hada H.
;
Tahara S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
41.
Design and process integration for high-density, high-speed, and low-power 6F2 cross point MRAM cell
机译:
高密度,高速,低功耗6F 2 sup>交叉点MRAM单元的设计和过程集成
作者:
Asao Y.
;
Amano M.
;
Aikawa H.
;
Ueda T.
;
Kishi T.
;
Ikegawa S.
;
Tsuchida K.
;
Yoda H.
;
Kajiyama T.
;
Fukuzumi Y.
;
Iwata Y.
;
Nitayama A.
;
Shimura K.
;
Kato Y.
;
Miura S.
;
Ishiwata N.
;
Hada H.
;
Tahara S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
42.
Negative U traps in HfO
2
gate dielectrics and frequency dependence of dynamic BTI in MOSFETs
机译:
HfO
2 sub>栅极电介质中的负U陷阱和MOSFET中动态BTI的频率依赖性
作者:
Shen C.
;
Li M.F.
;
Wang X.P.
;
Yu H.Y.
;
Feng Y.P.
;
Lim A.T.L.
;
Yeo Y.C.
;
Chan D.S.H.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
43.
Characterization and modeling of hysteresis phenomena in high K dielectrics
机译:
高K电介质中磁滞现象的表征和建模
作者:
Leroux C.
;
Mitard J.
;
Ghibaudo G.
;
Garros X.
;
Reimbold G.
;
Guillaumor B.
;
Martin F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
44.
Fully logic compatible (1.6V Vcc, 2 additional FRAM masks) highly reliable sub 10F2 embedded FRAM with advanced direct via technology and robust 100 nm thick MOCVD PZT technology
机译:
完全逻辑兼容(1.6V Vcc,2个其他FRAM掩模),具有先进的直接过孔技术和强大的100 nm厚MOCVD PZT技术的高度可靠的10F2以下嵌入式FRAM
作者:
Park J.H.
;
Joo H.J.
;
Kang S.K.
;
Kang Y.M.
;
Rhie H.S.
;
Koo B.J.
;
Lee S.Y.
;
Bae B.J.
;
Lim J.E.
;
Jeong H.S.
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
45.
SON (silicon-on-nothing) technological CMOS platform: highly performant devices and SRAM cells
机译:
SON(无硅)技术CMOS平台:高性能器件和SRAM单元
作者:
Monfray S.
;
Chanemougame D.
;
Borel S.
;
Talbot A.
;
Leverd F.
;
Planes N.
;
Delille D.
;
Dutartre D.
;
Palla R.
;
Morand Y.
;
Descombes S.
;
Samson M.-P.
;
Vulliet N.
;
Sparks T.
;
Vandooren A.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
46.
SoC integration in deep submicron CMOS
机译:
深亚微米CMOS中的SoC集成
作者:
Rickert P.
;
Haroun B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
47.
Transient behavior of phosphorus dose loss and modeling of dopant segregation at the Si/SiO
2
interface
机译:
磷剂量损失的瞬态行为和Si / SiO
2 sub>界面处的掺杂剂偏析模型
作者:
Tsai J.R.
;
Ho L.W.
;
Lin S.H.
;
Chang T.C.
;
Shieh M.D.
;
Lin H.C.
;
Lin J.P.
;
Feng W.S.
;
Chang R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
48.
Challenges in Cu/low-k integration
机译:
Cu / low-k集成面临的挑战
作者:
Mong-Song Liang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
49.
Analysis on data retention time of nano-scale DRAM and its prediction by probing the tail cell leakage current
机译:
纳米级DRAM的数据保留时间分析及尾电池泄漏电流的预测
作者:
Lee W.-S.
;
Lee S.-H.
;
Lee C.-S.
;
Lee K.-H.
;
Kim H.-J.
;
Kim J.-Y.
;
Yang W.
;
Park Y.-K.
;
Kong J.-T.
;
Ryu B.-I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
50.
Modeling of RTS noise in MOSFETs under steady-state and large-signal excitation
机译:
稳态和大信号激励下MOSFET中RTS噪声的建模
作者:
Kolhatkar J.S.
;
Hoekstra E.
;
Salm C.
;
van der Wel A.P.
;
Klumperink E.A.M.
;
Schmitz J.
;
Wallinga H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
51.
Improved electrical and material characteristics of hafnium titanate multi-metal oxide n-MOSFETs with ultra-thin EOT (∼8 Å) gate dielectric application
机译:
具有超薄EOT(〜8Å)栅极电介质应用的钛酸ha多金属氧化物n-MOSFET的电气和材料特性得到改善
作者:
Se Jong Rhee
;
Chang Seok Kang
;
Chang Hwan Choi
;
Chang Yong Kang
;
Siddarth Krishnan
;
Manhong Zhang
;
Akbar M.S.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
52.
Work function engineering by FUSI and its impact on the performance and reliability of oxynitride and Hf-silicate based MOSFETs
机译:
FUSI的功函数工程及其对基于氮氧化物和H硅酸盐的MOSFET的性能和可靠性的影响
作者:
Veloso A.
;
Anil K.G.
;
Witters L.
;
Brus S.
;
Kubicek S.
;
de Marneffe J.-F.
;
Sijmus B.
;
Devriendt K.
;
Lauwers A.
;
Kauerauf T.
;
Jurczak M.
;
Biesemans S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
53.
Impact of few electron phenomena on floating-gate memory reliability
机译:
少量电子现象对浮栅存储器可靠性的影响
作者:
Molas G.
;
Deleruyelle D.
;
De Salvo B.
;
Ghibaudo G.
;
Gely M.
;
Jacob S.
;
Lafond D.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
54.
Impact of SiON on embedded nonvolatile MNOS memory
机译:
SiON对嵌入式非易失性MNOS存储器的影响
作者:
Ishimaru T.
;
Matsuzaki N.
;
Okuyama Y.
;
Mine T.
;
Watanabe K.
;
Yugami J.
;
Kume H.
;
Ito F.
;
Kawashima Y.
;
Sakai T.
;
Kanamaru Y.
;
Ishii Y.
;
Mizuno M.
;
Kamohara S.
;
Hashimoto T.
;
Okuyama K.
;
Kuroda K.
;
Kubota K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
55.
Impact of stoichiometry control in double junction memory on future scaling
机译:
双结存储器中化学计量控制对未来扩展的影响
作者:
Ohba R.
;
Mitani Y.
;
Sugiyama N.
;
Fujita S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
56.
ESD and latch-up reliability for nanometer CMOS technologies
机译:
纳米CMOS技术的ESD和闩锁可靠性
作者:
Duvvury C.
;
Boselli G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
57.
Dark current reduction in very-large area CCD imagers for professional DSC applications
机译:
适用于专业DSC应用的超大面积CCD成像器中的暗电流减少
作者:
Peters I.M.
;
Kleimann A.
;
Polderdijk F.
;
Klaassens W.
;
Frost R.
;
Bosiers J.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
58.
Highly controllable cyclic selective epitaxial growth (CySEG) for 65nm CMOS technology and beyond
机译:
适用于65nm CMOS工艺及更高工艺的高度可控的循环选择性外延生长(CySEG)
作者:
Seung Hwan Lee
;
Dong Suk Shin
;
Hwa Sung Rhee
;
Tetsuji Ueno
;
Ho Lee Moon Han Park
;
Nae-In Lee
;
Ho-Kyu Kang
;
Kwang-Pyuk Suh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
59.
Highly manufacturable high density phase change memory of 64Mb and beyond
机译:
高度可制造的64Mb及更高的高密度相变存储器
作者:
Ahn S.J.
;
Song Y.J.
;
Jeong C.W.
;
Shin J.M.
;
Fai Y.
;
Hwang Y.N.
;
Lee S.H.
;
Ryoo K.C.
;
Lee S.Y.
;
Park J.H.
;
Horii H.
;
Ha Y.H.
;
Yi J.H.
;
Kuh B.J.
;
Koh G.H.
;
Jeong G.T.
;
Jeong H.S.
;
Kinam Kim
;
Ryu B.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
60.
Emerging technologies on silicon
机译:
硅上的新兴技术
作者:
Brillouet M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
61.
Modeling of retention time distribution of DRAM cell using a Monte-Carlo method
机译:
使用蒙特卡洛方法对DRAM单元的保留时间分布进行建模
作者:
Seonghoon Jin
;
Jeong-Hyong Yi
;
Young June Park
;
Hong Shick Min
;
Jae Hoon Choi
;
Dae Gwan Kang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
62.
A compact QM-based mobility model for nanoscale ultra-thin-body CMOS devices
机译:
用于纳米级超薄CMOS器件的基于QM的紧凑型迁移模型
作者:
Trivedi V.P.
;
Fossum J.G.
;
Gamiz F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
63.
Long-retention ferroelectric-gate FET with a (HfO
2
)
x
(Al
2
O
3
)
1-x
buffer-insulating layer for 1T FeRAM
机译:
具有(HfO
2 sub>)
x sub>(Al
2 sub> O
3 sub>)
1-x sub>缓冲绝缘层
作者:
Sakai S.
;
Takahashi M.
;
Ilangovan R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
64.
A highly manufacturable low-k ALD-SiBN process for 60nm NAND flash devices and beyond
机译:
一种适用于60nm NAND闪存器件的高度可制造的低k ALD-SiBN工艺
作者:
Jin-Gyun Kim
;
Jae-Young Ahn
;
Hong-Suk Kim
;
Ju-Wan Lim
;
Chae-Ho Kim
;
Shu H.
;
Hasebe K.
;
Sung-Hoi Hur
;
Jong-Ho Park
;
Hee-Seok Kim
;
Yu-Gyun Shin
;
U-In Chung
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
65.
An electrothermally-actuated, dual-mode micromirror for large bi-directional scanning
机译:
用于大型双向扫描的电热驱动双模微镜
作者:
Ankur Jain
;
Todd S.
;
Huikai Xie
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
66.
Work function tuning through dopant scanning and related effects in Ni fully silicided gate for sub-45nm nodes CMOS
机译:
在45nm以下CMOS的Ni完全硅化栅极中通过掺杂剂扫描和相关效应进行功函数调整
作者:
Aime D.
;
Froment B.
;
Cacho F.
;
Carron V.
;
Descombes S.
;
Morand Y.
;
Emonet N.
;
Wacquant F.
;
Farjot T.
;
Jullian S.
;
Laviron C.
;
Juhel M.
;
Pantel R.
;
Molins R.
;
Delille D.
;
Halimaoui A.
;
Bensahel D.
;
Souifi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
67.
Quantum mechanical calculation of hole mobility in silicon inversion layers under arbitrary stress
机译:
任意应力下硅反型层中空穴迁移率的量子力学计算
作者:
Wang E.
;
Matagne P.
;
Shifren L.
;
Obradovic B.
;
Kotlyar R.
;
Cea S.
;
He J.
;
Ma Z.
;
Nagisetty R.
;
Tyagi S.
;
Stettler M.
;
Giles M.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
68.
Impact of transistor-to-grain size statistics on large-grain polysilicon TFT characteristics
机译:
晶体管到晶粒尺寸的统计数据对大晶粒多晶硅TFT特性的影响
作者:
Cheng C.F.
;
Poon M.C.
;
Kok C.W.
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
69.
Edge trapping mechanism of current collapse in III-N FETs
机译:
III-N FET中电流崩溃的边缘捕获机制
作者:
Braga N.
;
Mickevicius R.
;
Gaska R.
;
Shur M.S.
;
Asif Khan M.
;
Simin G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
70.
Lattice strain design in W/WN/poly-Si gate DRAM for improving data retention time
机译:
W / WN /多晶硅闸极DRAM中的晶格应变设计可改善数据保留时间
作者:
Okonogi K.
;
Ohyu K.
;
Toda A.
;
Kobayashi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
71.
Package-strain-enhanced device and circuit performance
机译:
封装应变增强型器件和电路性能
作者:
Maikap S.
;
Liao M.H.
;
Yuan F.
;
Lee M.H.
;
Huang C.F.
;
Chang S.T.
;
Liu C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
72.
Polymer based technologies for microwave and millimeterwave applications
机译:
用于微波和毫米波应用的基于聚合物的技术
作者:
Grenier K.
;
Dubuc D.
;
Mazenq L.
;
Ducarouge B.
;
Bouchriha F.
;
Rennane A.
;
Pons P.
;
Plana R.
;
Busquere J.-P.
;
Lubecke V.
;
Ancey P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
73.
Ultra high-speed 0.25-μm emitter InP-InGaAs SHBTs with f
max
of 687 GHz
机译:
f
max sub>为687 GHz的超高速0.25μm发射极InP-InGaAs SHBT
作者:
Daekyu Yu
;
Kwangsik Choi
;
Kyungho Lee
;
Bumman Kim
;
Zhu H.
;
Vargason K.
;
Kuo J.M.
;
Pinsukanjana P.
;
Kao Y.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
74.
Enhanced data retention of damascene-finFET DRAM with local channel implantation and <100> fin surface orientation engineering
机译:
通过局部通道注入和<100>鳍表面定向工程增强了镶嵌FinFET DRAM的数据保留
作者:
Chul Lee
;
Jae-man Yoon
;
Choong-Ho Lee
;
Jong Chul Park
;
Tae Yong Kim
;
Hee Soo Kang
;
Suk Kang Sung
;
Eun Suk Cho
;
Hye Jin Cho
;
Young Joon Ahn
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
75.
Session Quick Index
机译:
会话快速索引
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
76.
A 0.13μm MRAM with 0.26×0.44μm2 MTJ optimized on universal MR-RA relation for 1.2V high-speed operation beyond 143MHz
机译:
通过通用MR-RA关系优化的,具有0.26×0.44μm 2 sup> MTJ的0.13μmMRAM,可实现143MHz以上的1.2V高速运行
作者:
Ueno S.
;
Eimori T.
;
Kuroiwa T.
;
Furuta H.
;
Tsuchimoto J.
;
Maejima S.
;
Iida S.
;
Ohshita H.
;
Hasegawa S.
;
Hirano S.
;
Yamaguchi T.
;
Kurisu H.
;
Yutani A.
;
Hashikawa N.
;
Maeda H.
;
Ogawa Y.
;
Kawabata K.
;
Okumura Y.
;
Tsuji T.
;
Ohtani J.
;
Tanizaki T.
;
Yamaguchi Y.
;
Ohishi T.
;
Hidaka H.
;
Takenaga T.
;
Beysen S.
;
Kobayashi H.
;
Oomori T.
;
Koga T
;
Ohji Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
77.
The tunneling field effect transistor (TFET) as an add-on for ultra-low-voltage analog and digital processes
机译:
隧道场效应晶体管(TFET)作为超低压模拟和数字过程的附件
作者:
Nirschl Th.
;
Wang P.-F.
;
Weber C.
;
Sedlmeir J.
;
Heinrich R.
;
Kakoschke R.
;
Schrufer K.
;
Holz J.
;
Pacha C.
;
Schulz T.
;
Ostermayr M.
;
Olbrich A.
;
Georgakos G.
;
Ruderer E.
;
Hansch W.
;
Schmitt-Landsiedel D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
78.
Fully integrated CMOS and high voltage compatible RF MEMS technology
机译:
完全集成的CMOS和高压兼容的RF MEMS技术
作者:
Lingpeng Guan
;
Sin J.K.O.
;
Haitao Liu
;
Zhibin Xiong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
79.
Germanium p- n-MOSFETs fabricated with novel surface passivation (plasma-PH
3
and thin AlN) and TaN/HfO
2
gate stack
机译:
具有新型表面钝化(等离子-PH
3 sub>和薄AlN)和TaN / HfO
2 sub>栅叠层的锗p-和n-MOSFET
作者:
Whang S.J.
;
Lee S.J.
;
Fei Gao
;
Nan Wu
;
Zhu C.X.
;
Ji Sheng Pan
;
Lei Jun Tang
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
80.
High-k HfAlO charge trapping layer in SONOS-type nonvolatile memory device for high speed operation
机译:
SONOS型非易失性存储器件中用于高速操作的High-k HfAlO电荷捕获层
作者:
Yan Ny Tan
;
Wai Kin Chim
;
Wee Kiong Choi
;
Moon Sig Joo
;
Tsu Hau Ng
;
Byung Jin Cho
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
81.
Effect of mechanical strength and residual stress of dielectric capping layer on electromigration performance in Cu/low-k interconnects
机译:
介电覆盖层的机械强度和残余应力对Cu / low-k互连中电迁移性能的影响
作者:
Lee K.-W.
;
Shin H.J.
;
Wee Y.J.
;
Kim T.K.
;
Kim A.T.
;
Kim J.H.
;
Choi S.M.
;
Suh B.S.
;
Lee S.J.
;
Park K.-K.
;
Hwang J.W.
;
Nam S.W.
;
Moon Y.J.
;
Ku J.E.
;
Lee H.J.
;
Kim M.Y.
;
Oh I.H.
;
Maeng J.Y.
;
Kim I.R.
;
Lee J.E.
;
Lee A.M.
;
Choi W.-H.
;
Park S.J.
;
Lee N.I.
;
Kang H.-K.
;
Suh G.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
82.
Thermal, electrical and environmental reliability of InP HEMTs and GaAs PHEMTs
机译:
InP HEMT和GaAs PHEMT的热,电和环境可靠性
作者:
del Alamo J.A.
;
Villanueva A.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
83.
3D GOI CMOSFETs with novel IrO
2
(Hf) dual gates and high-k dielectric on 1P6M-0.18 μm-CMOS
机译:
在1P6M-0.18μm-CMOS上具有新型IrO
2 sub>(Hf)双栅极和高k电介质的3D GOI CMOSFET
作者:
Yu D.S.
;
Chin A.
;
Laio C.C.
;
Lee C.F.
;
Cheng C.F.
;
Chen W.J.
;
Zhu C.
;
Li M.-F.
;
Yoo W.J.
;
McAlister S.P.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
84.
Damascene gate FinFET SONOS memory implemented on bulk silicon wafer
机译:
在块状硅晶片上实现的镶嵌栅极FinFET SONOS存储器
作者:
Chang Woo Oh
;
Sung Dae Suk
;
Yong Kyu Lee
;
Suk Kang Sung
;
Jung-Dong Choe
;
Sung-Young Lee
;
Dong Uk Choi
;
Kyoung Hwan Yeo
;
Min Sang Kim
;
Sung-Min Kim
;
Ming Li
;
Sung Hwan Kim
;
Eun-Jung Yoon
;
Dong-Won Kim
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
85.
A trench-sidewall single-wafer-MEMS technology and its typical application in high-performance accelerometers
机译:
沟槽侧壁单晶片MEMS技术及其在高性能加速度计中的典型应用
作者:
Xinxin Li
;
Baoluo Cheng
;
Yuelin Wang
;
Lei Gu
;
Jian Dong
;
Heng Yang
;
Zhaohui Song
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
86.
2004Transistor in a test tube - harnessing molecular biology to the self-assembly of molecular scale electronics
机译:
2004试管中的晶体管-利用分子生物学实现分子尺度电子学的自组装
作者:
Sivan U.
;
Keren K.
;
Braun E.
;
Berman R.
;
Buchstab E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
87.
A 65nm logic technology featuring 35nm gate lengths, enhanced channel strain, 8 Cu interconnect layers, low-k ILD and 0.57 μm2 SRAM cell
机译:
65nm逻辑技术,具有35nm的栅极长度,增强的沟道应变,8个Cu互连层,低k ILD和0.57μm 2 sup> SRAM单元
作者:
Bai P.
;
Auth C.
;
Balakrishnan S.
;
Bost M.
;
Brain R.
;
Chikarmane V.
;
Heussner R.
;
Hussein M.
;
Hwang J.
;
Ingerly D.
;
James R.
;
Jeong J.
;
Kenyon C.
;
Lee E.
;
Lee S.-H.
;
Lindert N.
;
Liu M.
;
Ma Z.
;
Marieb T.
;
Murthy A.
;
Nagisetty R.
;
Natarajan S.
;
Neirynck J.
;
Ott A.
;
Parker C.
;
Sebastian J.
;
Shaheed R.
;
Sivakumar S.
;
Steigerwald J.
;
Tyagi S.
;
Weber C.
;
Woolery B.
;
Yeoh A.
;
Zhang K.
;
Bohr M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
88.
A reliable and compact polymer-based package for capacitive RF-MEMS switches
机译:
用于电容式RF-MEMS开关的可靠,紧凑的基于聚合物的封装
作者:
Oya Y.
;
Okubora A.
;
Van Spengen M.
;
Soussan P.
;
Stoukatch S.
;
Rottenberg X.
;
Ratchev P.
;
Tilmans H.
;
De Raedt W.
;
Beyne E.
;
De Moor P.
;
De Wolf I.
;
Baert K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
89.
A novel transparent air-stable printable n-type semiconductor technology using ZnO nanoparticles
机译:
使用ZnO纳米粒子的新型透明的空气稳定的可印刷n型半导体技术
作者:
Volkman S.K.
;
Mattis B.A.
;
Molesa S.E.
;
Lee J.B.
;
de la Fuente Vornbrock A.
;
Bakhishev T.
;
Subramanian V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
90.
A novel methodology for extracting effective density-of-states in poly-Si thin-film transistors
机译:
提取多晶硅薄膜晶体管中有效态密度的新方法
作者:
Lin H.-C.
;
Yeh K.-L.
;
Lee M.-H.
;
Su Y.-C.
;
Huang T.-Y.
;
Shen S.-W.
;
Lin H.-Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
91.
A geometrical unification of the theories of NBTI and HCI time-exponents and its implications for ultra-scaled planar and surround-gate MOSFETs
机译:
NBTI和HCI时间指数理论的几何统一及其对超大规模平面和环绕栅MOSFET的影响
作者:
Kufluoglu H.
;
Ashraful Alam M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
92.
A novel strain enhanced CMOS architecture using selectively deposited high tensile and high compressive silicon nitride films
机译:
使用选择性沉积的高拉伸和高压缩氮化硅膜的新型应变增强CMOS架构
作者:
Pidin S.
;
Mori T.
;
Inoue K.
;
Fukuta S.
;
Itoh N.
;
Mutoh E.
;
Ohkoshi K.
;
Nakamura R.
;
Kobayashi K.
;
Kawamura K.
;
Saiki T.
;
Fukuyama S.
;
Satoh S.
;
Kase M.
;
Hashimoto K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
93.
Power optimization of future transistors and a resulting global comparison standard
机译:
未来晶体管的功率优化以及由此产生的全球比较标准
作者:
Kapur P.
;
Shenoy R.S.
;
Chao A.K.
;
Nishi Y.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
94.
A conventional 45nm CMOS node low-cost platform for general purpose and low power applications
机译:
适用于通用和低功耗应用的常规45nm CMOS节点低成本平台
作者:
Boeuf F.
;
Arnaud F.
;
Basso M.T.
;
Sotta D.
;
Wacquant F.
;
Rosa J.
;
Bicais-Lepinay N.
;
Bernard H.
;
Bustos J.
;
Manakli S.
;
Gaillardin M.
;
Grant J.
;
Skotnicki T.
;
Tavel B.
;
Duriez B.
;
Bidaud M.
;
Gouraud P.
;
Chaton C.
;
Morin P.
;
Todeschini J.
;
Jurdit M.
;
Pain L.
;
De-Jonghe V.
;
El-Farhane R.
;
Jullian S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
95.
New low-cost thermally stable process to reduce silicon substrate: a way to extreme frequencies for high volume Si technologies
机译:
新型低成本热稳定工艺可减少硅衬底:大体积硅技术实现极高频率的途径
作者:
Detcheverry C.
;
van Noort W.D.
;
Havens R.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
96.
A 0.314μm2 6T-SRAM cell build with tall triple-gate devices for 45nm applications using 0.75NA 193nm lithography
机译:
0.375μm 2 sup> 6T-SRAM单元,采用0.75NA 193nm光刻技术,可用于45nm应用的高三栅极器件
作者:
Nackaerts A.
;
Ercken M.
;
Demuynck S.
;
Lauwers A.
;
Baerts C.
;
Bender H.
;
Boulaert W.
;
Collaert N.
;
Degroote B.
;
Delvaux C.
;
de Marneffe J.F.
;
Dixit A.
;
De Meyer K.
;
Hendrickx E.
;
Heylen N.
;
Jaenen P.
;
Laidler D.
;
Locorotondo S.
;
Maenhoudt M.
;
Moelants M.
;
Pollentier I.
;
Ronse K.
;
Rooyackers R.
;
Van Aelst J.
;
Vandenberghe G.
;
Vandervorst W.
;
Vandeweyer T.
;
Vanhaelemeersch S.
;
Van Hove M.
;
Van Olmen J.
;
Verhaegen S.
;
Versluijs J.
;
Vrancken C.
;
Wiaux V.
;
Jurczak M.
;
Biesemans S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
97.
A large-area, flexible, and lightweight sheet image scanner integrated with organic field-effect transistors and organic photodiodes
机译:
集成了有机场效应晶体管和有机光电二极管的大面积,灵活,轻便的片状图像扫描仪
作者:
Someya T.
;
Iba S.
;
Kato Y.
;
Sekitani T.
;
Noguchi Y.
;
Murase Y.
;
Kawaguchi H.
;
Sakurai T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
98.
OLED pixel array on a dome
机译:
圆顶上的OLED像素阵列
作者:
Bhattacharya R.
;
Wagner S.
;
Yeh-Jiun Tung
;
Esler J.
;
Hack M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
99.
A comprehensive model for breakdown mechanism in HfO
2
high-k gate stacks
机译:
HfO
2 sub>高k栅堆叠中击穿机理的综合模型
作者:
Ranjan R.
;
Pey K.L.
;
Tung C.H.
;
Tang L.J.
;
Groeseneken G.
;
Bera L.K.
;
De Gendt S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
100.
A Monte-Carlo study of the role of scattering in deca-nanometer MOSFETs
机译:
蒙特卡洛研究十纳米MOSFET中散射的作用
作者:
Palestri P.
;
Esseni D.
;
Eminente S.
;
Fiegna C.
;
Sangiorgi E.
;
Selmi L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International》
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