机译:具有高k /多晶硅栅堆叠的应变Si_(0.8)Ge_(0.2)p沟道MOSFET的1 / f噪声研究
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:垂直高斯掺杂的高K栅叠层三材料双栅应变无硅MOSFET的二维分析建模
机译:具有不同高k栅极堆叠的Si和应变Si n-MOSFET的缩放研究
机译:研究将Ⅲ族元素(镧,gate 、,和铝)掺入用于高级CMOS应用的金属栅/高k堆栈中的方法。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:具有不同高k栅极堆叠的si和应变si n-mOsFET的尺度研究