首页>中文会议>其他>第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

召开年：2007
召开地：重庆
出版时间： 2007-11

主办单位：;中国电子学会;;

会议文集：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集

会议论文

热门论文

全部论文

全选（0）

1.三氯氢硅本征电阻率的测试方法
- 杨帆;谭卫东;骆红;唐有青;张文清;徐非
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：电子级的三氯氢硅(TCS)作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响硅外延层的性能。一般三氯氢硅(TCS)的纯度，除采用化学分析方法测试外，通常用生长本征外延层的方法来确定。即采取测量硅外延层本征电阻率的方法来衡量其纯度。论述了采用合理的硅外延生长工艺来测量三氯氢硅(TCS)的本征电阻率的反应原理以及是实验方法。
2.肖特基二极管外延材料的SRP测试技术
- 骆红;张文清;徐非;谭卫东
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：半导体器件的性能与载流子浓度的准确控制以及载流子浓度纵向分布有密切的关系。外延层的载流子浓度分布是影响器件电学性能的重要参数，主要有器件的隔离特性、反向击穿电压、反向漏电、串联电阻等。肖特基势垒二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域得到广泛应用。肖特基二极管比普通的PN结二极管具有更好的高频特性，以及较低的正向导通电压。由于肖特基二极管对正向导通电压、反向击穿电压以及串联电阻等有苛刻要求，所以，外延是肖特基二极管制造的关键工艺，外延层质量直接关系到肖特基二极管的参数能否达到要求。主要论述了扩展电阻测试技术针对低电压肖特基二极管外延材料工艺可能产生的测试误差分析。
3.超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变
- 谭长华;许铭真
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明，当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时，SiO2由具有低势垒的绝缘体，转变成Mott-Like缺陷导体，由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。
4.掺As薄层硅外延片的过渡区控制
- 张文清;骆红;马利行;徐非
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：某些特种半导体器件，采用重掺As衬底，要求的外延层厚度很薄，浓度较低，外延层和衬底之间的过渡区宽度要求尽可能的窄。本文主要论述了在重掺As衬底上生长-薄层N型外延,通过降低生长速率的方法来减小过渡区宽度。
5.一种高压大功率微波PIN器件用硅外延片
- 谭卫东;骆红;唐有青;张文清;顾晓春
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了一种高压大功率微波PIN管用N型硅外延材料的制作工艺，即在常压外延设备上，采取特殊的工艺控制，在电阻率<0.002Ω·cm的N型衬底上实现了200um厚层超高阻外延生长。
6.IGBT硅外延材料工艺研究
- 徐非;骆红;谭卫东;张文清
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了一种使用中频加温外延设备制作IGBT外延材料的工艺，并对这种厚层、异质外延工艺中出现的一系列问题进行了讨论，提出了改善这种外延材料质量的方法。
7.同质外延生长SiC外延层及表面形貌分析
- 王悦湖;张书霞;张义门;张玉明
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580°C，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD)，得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量。测量表明，生长的4H-SiC外延层有很好的晶体结构和光滑的晶面，外延层表面无微管缺陷。生长速率为5μm/h，厚度均匀性为1％，无意掺杂浓度为n型1x1015cm-3。
8.同质非有意掺杂4H-SiC外延研究
- 韩征;张玉明;张义门;王悦湖;贾仁需
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向<1120>晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其厚度的均匀度都≤2％。
9.VDMOS外延材料在工艺生长中的缺陷控制
- 骆红;谭卫东;唐有青;孙健
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：功率MOSFET是一种电压控制型单级晶体管，其有驱动电路简单、驱动功率小、高预特性好等优点。由于功率VDMOS管是由几百到几千个元胞组成的单管，因此必须采用超大规模集成电路的精细加工技术所以对外延片表面的颗粒度要求极高。本文主要讨论了在125mmVDMOS外延材科工艺中的缺陷成因、形态以及减少的办法。
10.半导体分段温差电元件的设计
- 赵嘉鹏;张维连;周子鹏;吴知非;黄志勇;周世新
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：分段温差电元件能够在较宽的温度范围内提高热电转换效率。本文对锗硅(SiGe)、碲化铅(PbTe)材料和碲化铋(Bi2Te3)材料组成的分段温差电元件进行了理论设计和计算。确定了在热面温度为1073K、冷面温度为323K，元件总长度为20mm时，锗硅材料的最佳长度为13.4mm，PbTe材料的最佳长度为4.1mm。测试结果表明，由设计的元件制作出的分段温差电单偶其热电转换效率达到6.71％。
11.热处理对铸造多晶硅缺陷形貌的影响
- 陈玉武;郝秋艳;赵建国;吴丹;王勇;刘彩池
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺寸很大，但位错密度较小；随着退火温度的升高，位错尺寸减小，但位错密度增大。两步退火温度下，随着退火温度的升高，硅片体内的缺陷密度增大。
12.重掺磷直拉硅片中缺陷的择优腐蚀
- 曾俞衡;杨德仁;马向阳;阙端麟
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：研究了重掺磷硅单晶中微缺陷的择优腐蚀，指出由一份体积的CrO3水溶液(浓度为0.5mol/L)与一份体积的氢氟酸溶液组成的腐蚀液(Y1液)是一种合适的择优腐蚀液，它能够清晰地显示重掺磷硅单晶的空位型缺陷和间隙型缺陷(如位错和层错)。研究表明，Y1液可以用于快速简易地检测重掺磷硅单晶中的微缺陷。
13.PDP驱动电路中高压NLDMOS设计
- 王宏杰;蔡曦;乔明;方健;张波;李肇基
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：提出一种用于PDP驱动电路的SOI高压N型LDMOS器件结构，分析了SOI层浓度、厚度、漂移区长度等参数对器件击穿电压的影响。所设计的器件结构已成功用于一种64位、80V、40Mhz的PDP寻址驱动芯片。
14.欧姆合金对MHEMT器件直流和高频性能的影响
- 徐静波;张海英;王文新;黎明;付晓君;刘亮;叶甜春
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用电子束光刻方式制备了栅长200nm的GaAs基MHEMT器件，着重研究了欧姆合金工艺对MHEMT器件的直流和高频性能的影响。进行和未进行欧姆合金的MHEMT的跨导(gm)、最大饱和漏电流密度(Jdss)、电流增益截止频率(fr)分别为504(187)mS/mm、623(324)mA/mm、105(70)GHz。试验结果表明，进行欧姆合金可以大幅度提高MHEMT器件的直流和高频性能。
15.HF表面处理对P型外延片CV测试的影响
- 唐有青;谭卫东;骆红;杨帆;孙健
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可行性及条件。
16.微电子CMP用SiO2研磨料的制备
- 王娟;张建新;刘玉岭
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：以水玻璃为主要原料、采用多次生长法，利用等液面、低zeta电位生长、高电位陈化等控制过程，生产出具有不同粒径、稳定的碱性单分散硅溶胶产品，并实现120nm大粒径硅溶胶生长可控，突破生长大粒径的难题。
17.n型4H—SiC质子辐照效应的仿真研究
- 张林;张义门;张玉明;张书霞;王悦湖
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用Trim软件和C++程序，仿真研究了n型4H-SiC质子辐照的位移效应，并建立了简单准确的解析模型。仿真结果表明，经过大剂量的高能质子辐照后，4H-SiC材料都出现载流子去除效应，迁移率下降，从而导致的电导率下降。研究表明，4H-SiC材料都具有很强的抗质子辐照能力，为4H-SiC在空间环境中的应用提供理论支持。
18.4H—SiC同质外延薄膜中表面研究
- 刘杰;张玉明;张义门;王悦湖;贾仁需;郭辉;韩征;曹卿
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在偏向<1120>晶向8°n型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。利用原子力显微镜(AFM)，观察外延晶片表面的中心、边缘以及边缘附近三处位置的表面形态。观察结果显示，中心处表面比边缘平滑，中心处的rms为0.269nm，边缘处的rms为0.708nm，边缘附近处出现大量的缺陷群。通过分析得出，这些表面形态与衬底表面的缺陷以及H2的刻蚀有关。
19.钒掺杂半绝缘6H—SiC的电子顺磁共振和吸收光谱研究
- 王超;张义门;张玉明;王悦湖;徐大庆
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对掺钒生长半绝缘6H-SiC中钒杂质能级的补偿机理进行了研究。二次离子质谱分析结果表明，氮是SiC中主要存在的浅施主杂质，掺入的钒杂质通过束缚氮施主上的自由电子完成补偿作用，形成深的钒受主能级，得到具有半绝缘特性的SiC单晶。通过低温电子顺磁共振和低温吸收光谱测量，发现在SiC中同时存在钒的中性态(V4+)和受主态(V3+)，证明掺入的钒杂质在SiC中最初以中性态存在，完成补偿作用后以受主态存在。低温吸收光谱测试结果表明，在6H-SiC中钒受主能级位于导带下0.60～0.62eV处。
20.硅片类型和晶向对抛光去除速率的影响研究
- 王继;万关良;李耀东;李俊峰
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：通过对不同晶向、不同型号、不同电阻率的硅抛光片的去除速率做实验，发现去除速率随着晶向、型号、电阻率的不同而存在较大差异，在其它条件相同的情况下，<100>晶向的硅片抛光速度大于<111>硅片的抛光速率，而p型硅片的抛光速率小于n型硅片的抛光速率，电阻率低的抛光速率小于电阻率高的抛光速率，特别是p型重掺片抛光速率明显低于n型硅片。
21.新型氮化镓MISFET栅介质材料
- 田靖;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用溶胶凝胶法，制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构，测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上，得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN基MIS结构强反型电压为-3.4V。相对于传统的介质材料，BZN薄膜具有较高的的介电常数，可以降低GaN基MIS结构器件的阈值电压。
22.氮离子注入单晶硅快速热处理的研究
- 赵二敏;陈贵锋;崔会英;李养贤
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：硅单晶中氮杂质对材料的性质有重要的影响。氮在硅中的性质、存在形态以及相关缺陷的作用机理一直为人们所研究。本文利用离子注入机以200kev的能量向直拉单晶硅片(CZ-Si)中注入不同剂量的氮离子，然后进行不同温度、不同气氛以及不同时长的快速热处理(RTP)。研究了样品中氧沉淀和电阻率随RTP的变化规律。研究表明，氮通过形成N-O复合体作为异质成核中心来促进氧沉淀，且这种复合体具有一定的稳定性；并随着RTP温度的升高，样品电阻率不断减小；随着注入剂量的增大，电阻率逐渐降变低。
23.一种硅基集成化叠层螺旋型薄膜变压器
- 郑梁;秦会斌;叶丽云
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了一种空芯螺旋叠层型薄膜变压器。采用一个集总电路模型来等效模拟集成化变压器的电路效应，结合硅基IC工艺技术，给出薄膜变压器工艺流程，制备了集成化薄膜变压器样品。测试结果表明：变压器在4.4～14.3GHz的频率范围内能得到大于50％的传输效率，在11.2GHz时，最高可达55.4％。
24.电子辐照直拉硅单晶中辐照施主热行为的研究
- 崔会英;陈贵锋;赵二敏;李养贤
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：电子辐照直拉硅单晶后，将在硅片内产生大量的辐照缺陷。本文利用四探针、付立叶红外吸收光谱仪(FTIR)和金相显微镜研究了硅中辐照缺陷的热行为，发现样品在氢气氛下经750°C退火后电阻率呈现下降趋势。硅中的辐照缺陷在此温度下俘获了大量的间隙原子，形成施主态的缺陷-氧复合体，这些复合体在4小时后达到饱和，长时间退火后单晶硅中的辐照缺陷能够促进氧沉淀的形成。
25.4H—SiC日盲紫外探测器的模拟与分析
- 叶丽辉;张玉明;张义门;吕红亮;孙明
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性。另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲线的影响，得出在探测器不需使用较大受光面积器件的结论。
26.镍铝合金硅化反应研究
- 黄益飞;蒋玉龙;茹国平
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对不同结构的镍铝合金(包舍Ni/Al、Al/Ni、Ni/Al/Ni)在n型硅上的固相反应进行了系统研究。结果显示，该体系中存在Al向Ni的扩散和Ni与Si反应的两种过程，450°C退火处理下，由于界面的Al层阻止了硅化镍的生成，Al作为主导扩散粒子往Ni金属层扩散，而镍铝化舍物在实验中并未发现。Al的加入对于NiSiχ/Si接触肖特基势垒并无显著改变。
27.SOI横向NPN管耐压结构研究
- 朱坤峰;徐世六;张正元
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：针对RESURF原理在横向NPN管中的应用，介绍了目前国内外流行的三种横向NPN管结构，并从其耐压特性、各自的优缺点和工艺实现等方面，进行了详细的分析对比，为以后的应用打下基础。
28.具有环形阴极新结构的高压SOI器件
- 周贤达;方健;毛焜;刘哲;张弦;张正元;李肇基
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：提出具有环形阴极的横向高压SOI器件新结构，该结构采用环形阴极，利用电场的曲率效应以提高耐压。作为应用实例，在3μm埋氧20μm顶硅上设计出耐压大于600V SOI LDMOS，与常规结构相比，新结构耐压有6.74％的提升，而导通电阻仅增加2.14％。该结构与常规CD工艺完全兼容，不增加工艺难度。
29.截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究
- 雒睿;张伟;李高庆;周卫;徐阳;蒋志;李希有;付玉霞;钱佩信
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8GHz(未作去嵌入)。
30.3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性
- 陈刚;柏松;张涛;李哲洋;蒋幼泉
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率为15.1W，小信号增益大于10dB，功率附加效率(PAE)为39％；在2GHz频率脉冲测试条件下，测试功率输出为18.3W，此时增益大于8dB。
31.针对高压器件的SCR静电保护器件
- 谢姝;郑国祥;龚大卫
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：在静电保护器件中，SCR结构由于其较强的耐压能力和较低的导通电阻被用于有效保护输入输出节点和内部电路。由于SCR的触发是由pn结雪崩击穿引起的，故触发电压可通过调节掺杂区浓度而改变，对于一定工艺流程，—般采用改进结构的方法有效调节触发电压。但SCR的导通后，形成正反馈，其低导通电阻使维持电压较难调节。通过在SCR内部加入特殊MOS结构，改变内部电阻的方式调节维持电压，在使用中无需加入额外的工艺步骤，达到较好的改进效果。
32.埋栅-埋沟4H-SiC MESFET特性模拟研究
- 陈亮;张义门;张玉明;吕红亮
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件，建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型，并对其电学特性进行了模拟仿真。结果表明，埋栅-埋沟4H-SiCMESFET器件结构的最大饱和漏电流密度迭410μA/μm、源-漏击穿电压132V、最大输出功率密度6.1W/mm。与传统器件结构相比，它还具有瞬态特性好、工艺相对简单等诸多优越性。采用埋栅-埋沟4H-SiC MESFET器件结构，可以减小或消除器件表面和衬底的表面态和界面态影响，改善器件直流和射频功率稳定性，从而提高器件的直流和频率特性。
33.纳米MOS器件栅泄漏电流的模拟分析
- 王伟;孙建平;顾宁
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用量子模型，研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅泄漏电流，该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介贡和多层高k栅介质纳米MOSFET，具有概念简单，运算效率高、求解稳定的特点，模拟得出栅极电流与实验结果符合。研究结果表明，采用Al2O3栅介质材料对栅电流的减少有明显的作用。为最大限度地减少MOS器件的栅电流，需要优化叠栅结构中界面层的厚度。对器件性能作出预计并对其研制提供指导。
34.基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究
- 涂德钰;刘明;商立伟;刘新华;王丛舜
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：利用微电子工艺，制备了基于Rotaxane单分子层的双稳态分子电子器件，并对其电学特性进行了表征。研究发现，Ti/Rotaxane/Au双稳态器件具有可逆可重复的开关存储特性。将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为1.3V；将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-1.7V。这种基于Rotaxane交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性分子存储器。
35.星用抗辐照功率VDMOS器件的SEB和SEGR研究
- 刘刚;蔡小五;陆江;王立新;韩郑生;夏洋
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和SEGR的机理，给出了大功率MOSFET抗单粒子辐照的加固方法，为新卫星电源分系统的可靠性研究打下良好基础。
36.功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究
- 王立新;陆江;蔡小五;刘刚;韩郑生;夏洋
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对两种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究，条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势，中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管，抗总剂量能力可达1400krad(Si)以上。
37.关于电应力击穿SiO2的缺陷带模型研究
- 许铭真;谭长华
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用Harrison变分法，研究了SiO2的缺陷能带结构和性质。当SiO2中形成缺陷能带时，引起应力感应漏电流(SILC)；当缺陷的间距更近时发生软击穿(SBD)；当缺陷的间距达到临界值时，发生不可逆转的硬击穿(HBD)。用一维缺陷原子链描述SiO2击穿通道，缺陷的势垒高度随着缺陷间距的减小而下降，SBD和HBD的特性差别源于击穿路径上的缺陷间距的差别。
38.NBTI和HCI在pMOSFET器件退化中的相互作用
- 何燕冬;段小蓉
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：随着器件尺寸的不断缩小，器件中横向电场和纵向电场逐渐增大，在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。本文主要研究了在NBTI和HCI退化共同作用下，纳米尺度pMOSFET的退化规律，通过交换源端和漏端进行饱和漏电流的测试，确定不同应力模式下产生缺陷的局域位置，分析了常RNBTI退化和HCI退化的相互影响，比较了NBTI和Vg=VdHCI应力模式下的失效机理，并且提出了相应的物理解释和模型。
39.基于虚拟仪器的VDMOS辐照环境下开启电压在线测试系统
- 蔡小五;海潮和;赵发展;王立新;陆江;刘刚;夏洋
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：为配合中国科学院微电子研究所VDMOS总剂量辐照、单粒子辐照、瞬态剂量率辐照等极限环境下器件开启电压的在线实时准确测量，开发了一套以虚拟仪器技术和图像化编程语言LABVIEW为核心的功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统。
40.n+多晶硅/N—SiC异质结欧姆接触的理论与实验研究
- 郭辉;张义门;张玉明;曹全君;汤晓燕
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：从理论和实验的角度，研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触。在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的N阱。使用LPCVD淀积多晶硅，并通过P+离子注入及扩散进行掺杂，得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□。得到的n+多晶硅/N-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82x10-5Ω·cm2,接触下的注入层的方块电阻Rsh为4.9 kΩ/□。对n+多晶硅/N-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论。
41.HCl气腐在硅外延工艺中的应用研究
- 高涛;谭卫东;马利行
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ωcm，厚度大于60μm。该工艺技术已经应用到硅外延片生产中，结果表明：外延片能够满足先进器件制作的需要。
42.高阻多晶硅电阻的研究与实现
- 肖方兴;吴正立;付玉霞
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关系。采取一定的工艺手段来控制后续热处理工艺对高阻多晶硅电阻的影响。
43.硅基拉曼激光器
- 杨广华;毛陆虹;陈铭义;牛萍娟;郭维廉
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用拉曼散射实现硅基激光器是实现硅基激光器的有效方法之一。详细介绍了硅基拉曼激光器工作原理，波导结构，并介绍了已经实现的脉冲和连续波拉曼激光器的结构和工作性能。
44.非等间距线圈对碳化硅外延生长感应加热系统的影晌
- 曹卿;张玉明;张义门;王悦湖;贾仁需;贾威
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用有限元分析模拟软件，研究了在水平热壁化学汽相淀积设备反应腔中非等间距的加热线圈对碳化硅外延生长温度分布的影响。模拟结果表明：在电源的输出功率和频率都不变的情况下，通过缩小反应腔部分加热线圈的间距，可以有效地减小气流对基座温度分布的影响，在尽可能大的范围内得到均匀的温度分布。
45.碳含量对直拉单晶硅片空位型缺陷的影响
- 陈加和;杨德仁;马向阳;阙端麟
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：本文研究了具有不同碳浓度的直拉硅片的空位型缺陷及其高温退火行为。研究发现，随着直拉单晶硅体内碳浓度的提高，硅片原生空位型缺陷密度降低，而且其高温热稳定性变差，碳的引入有利于抑制直拉单晶硅体内空位型缺陷的形成。
46.P型直拉单晶硅中的氧沉淀对Cu沉淀的影响
- 王维燕;杨德仁;马向阳;阙端麟
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：研究了p型直拉单晶硅中经Ar气氛下750 °C/4,8h+1050°C/0～16h低高两步热处理形成的氧沉淀对铜(Cu)沉淀的影响。经过择优腐蚀，结合光学显微镜观察发现，在没有引入氧沉淀的样品内，Cu沉淀表现为点状；而在引入氧沉淀的样品内，Cu沉淀都表现为团聚状，而且团聚状Cu沉淀的尺寸和密度随着氧沉淀的不同而变化。从氧沉淀作为Cu沉淀异质形核中心这一基本点出发，解释了团聚状Cu沉淀的形成机理；在此基础上阐述了团聚状Cu沉淀尺寸和密度随氧沉淀变化的原因。
47.大面积硅基LaB6薄膜场发射阵列制备
- 汪志刚;林祖伦;王丽;徐枫
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了真空微电子器件场发射阴极硅阵列的制备。采用半导体集成电路工艺，对硅片进行加工，成功地制备出大面积的场发射阵列；通过对阵列尖端沉积六硼化镧薄膜，改善场发射二极管的发射性能。对薄膜的沉积工艺和性能进行了详细的分析；同时，详细分析了影响薄膜发射的原因。测试结果表明，沉积六硼化镧薄膜后的二极管发射性能具有很强的发射能力。
48.CMOS型硅基发光器件的研究进展
- 李晓云;牛萍娟;刘宏伟
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：硅基发光器件的研究是全硅光电集成的关键性问题，而CMOS型Si-LED是和VLSI工艺完全兼容的新型硅发光器件，有着广阔的前景。本文简述了硅基LED的发展，说明了CMOS型硅基LED的特点的发光机理，着重阐述了两种典型的与CMOS工艺完全兼容的硅基LED，并总结了各种硅基发光技术的特点，展望了CMOS型硅基LED的应用前景。
49.低压VDMOS沟道电阻的三维模型
- 王怀锋;李泽宏;周春华
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：基于低压VDMOS理论，结合器件三维结构，分析低压VDMOS的导通电阻三维效应，提出一种VDMOS沟道电阻的三维模型。ISE三维数值仿真和解析计算表明：与常规模型相比，本文模型解析解与三维数值解吻合较好。
50.局域寿命控制FS结构IGBT
- 谢刚;李泽宏;王宇;廖仲平;吕沛;任良彦
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基区中引入一局部寿命控制层，关断时间比常规FS-IBGT器件减少了24.2％，正向饱和压降只增加了10.9％，局域寿命控制区域的厚度变化对关断时间影响比少子寿命变化的影响大得多。
51.基于多晶硅二极管的DMOS器件ESD保护
- 易黎;李泽宏;周春华;胡永贵;刘勇;谭开洲;廖忠平;吕沛
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言，降低了器件泄漏电流，消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构，确定了结构参数，并对其ESD保护能力进行验证。其后结合HBMESD测试电路，进行电热耦合仿真，得到设计器件在1000μm的器件宽度下ESD保护能力达到HBM2kV。所设计的ESD保护DMOS器件即将流片生产，其测试工作将在下一步进行。
52.一种新型超势垒整流器SBR的设计
- 廖忠平;李泽宏;周春华;钱梦亮;谢刚;吕沛;王宇;易黎
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR：Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小，反向恢复特性优于常规PN结二极管；SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导该类整流器件的设计。
53.横向局域寿命控制功率IOC-FRD的设计
- 吕沛;李泽宏;谢刚;王宇;廖忠平;易黎
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD：Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法，获得该器件的等效少子寿命的解析式，从而建立了存储时间的表达式。仿真分析结果表明：该结构器件的反向恢复时间比IOC-FRD更短；在正向导通压降和反向恢复时间之间折衷时具有更大的灵活性；局域寿命控制区位于N+区域之上能更好地减小反向恢复时间。
54.新型三维横向功率器件SLOP-LDMOS的设计
- 路烜;陈万军;李泽宏;张波;王丈廉
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对所提出的新型三维横向功率器件SLOP-LDMOS的工作原理进行分析，借助仿真器设计该器件的结构参数。该器件在N区的注入剂量为4×1012cm-2,P区注入剂量为4.85×1012cm-2时，SLOP-LDMOS的击穿电压为288V，比导通电阻为30.78mΩ·cm2；相对于LDMOS的51.04mΩ·cm2(340V)降低了39.69％，较好改善了击穿电压与比导通电阻的矛盾。
55.70V BCD(VDMOS)器件及工艺设计
- 毛焜;方健;周贤达;刘伦友;张弦;刘哲;张正元;冯志诚;张波
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能更加稳定，兼容性更好的特点，适合于高压大电流电路应用。
56.基于导纳谱法的硅化钨肖特基二极管势垒提取
- 罗佳;王保民;黄巍;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用传统I-V拟舍的方法和基于导纳谱的肖特基势垒高度提取方法，对n型及p型衬底上的W/Si以及WSi2/Si二极管分别测量肖特基势垒高度。结果表明，对于较高势垒样品，I-V拟合方法和导纳谱法均可有效提取势垒高度，对于肖特基势垒高度小于0.5eV样品，I-V拟合方法失效，导纳谱法却仍有较好的稳定性，分析了导纳谱法测试精度与频率和交流偏压的关系。
57.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型
- 张志锋;张鹤呜;刘青;鬲鹏飞
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解析模型，分析了其线性区和饱和区跨导，理论分析结果与实验结果符合得较好。该模型考虑全面、算法简单、结果精确，适于对器件性能进行分析和结构优化。
58.BCD器件参数提取
- 张弦;方健;周贤达;刘伦友;毛焜;刘哲;张正元;冯志诚;张波
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：针对70V BCD工艺中核心器件的特殊性，采用Matlab进行了器件参数提取。在Tsuprem4和Medici的仿真基础之上，以HVPMOS为例，阐述了高压器件的参数提取过程，并将所得参数带入电路进行仿真比较,，得到了很好验证。在此基础之上，分析了参数提取过程中导致λ和rd有较大误差的原因。
59.基于PSP的MOSFET RF建模
- 楼立恒;孙玲玲;刘军
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：基于PSP模型，提出了一种新的RF-MOSFET模型，针对实际器件的物理结构，解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终，将模型应用到某工艺线-共源连接n-MOSFET上，在保证PSP精确拟舍直流特性的前提下，在高达40GHz的频率下，对S参数的仿真和测试结果进行比较，具有一定的精度。
60.蒙特卡罗模拟氧化铝中的电子输运过程
- 王卓妍;宋云成;杜刚;韩汝琦;刘晓彦
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：随着MOS器件特征尺寸的不断减小，传统上广泛使用的氧化硅介质材料已经不能满足器件性能发展的需要，氧化铝以其介电常数大、绝缘性好、稳定性高等优点被广泛关注。本文建立了氧化铝的散射模型，利用蒙特卡罗方法对氧化铝中电子的输运行为进行了模拟，得到了载流子在氧化铝介质中的能量迟豫、动量迟豫等一系列性质，为氧化铝的特性研究提供了有益的资料，为氧化铝在逻辑与存储器件中的应用提供了基础。
61.Hg肖特基C—V技术在特殊外延中的应用
- 唐驰;李文;徐俊
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：阐述了Hg肖特基C-V技术的测量原理及其在特殊外延结构中的应用，针对其它外延层电阻率或浓度测量方法进行了比较，提出了应用Hg肖特基C-V技术测量外延参数的注意事项和参数设置要求，并对重掺衬底外延、双层外延、亚微米薄层外延等特殊外延结构进行了测量。
62.SiC肖特基辐射探测器γ射线探测模拟研究
- 张蓬;张义门;张玉明;汤小燕;张林
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：通过模拟仿真软件对基于4H-SiC的肖特基辐射探测器做了模拟研究和分析。在使用ISE软件模拟4H-SiC肖特基探测器在不同偏压和不同的γ射线的剂量率下器件的响应，模拟中得到了在10-3rad/s到300rad/s时，器件都有非常好的线性响应，而且4H-SiC辐射探测器在高温环境下也表现出非常优异的探测性能，即使在500K的高温条件下器件仍然能很好地工作。
63.纳米尺度赝自旋阀结构中的电阻匹配问题
- 张磊;任敏;胡九宁;邓宁;陈培毅
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：纳米尺度的赝自旋阀结构可在无外磁场的情况下发生电流感应磁化翻转效应，因而在构建非挥发存储器方面有着广泛的应用前景。本文运用宏观双通道扩散模型，研究了赝自旋阀结构中的自旋相关榆运过程；利用自旋流连续和化学势差连续作为边界条件，理论计算解释了铁磁层和非磁层电阻匹配问题对电流感应磁化翻转效应中临界电流的影响。结果表明，在纳米尺度的半导体赝自旋阀中，难以发生电流感应磁化翻转效应。
64.硅基桥式压电微麦克风的设计与优化
- 方华军;刘理天;任天令
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：设计了一种硅基桥式压电微麦克风。这种微麦克风采用硅基压电多层微桥作为声压感受器件。采用有限元耦合场分析方法，对硅基压电微桥进行了有限元分析和模拟；研究了硅基压电复合多层膜的结构参数与力学性能的关系；分析了影响微麦克风机电性能的多种因素；给出了优化的器件结构，并提出了优化的制造工艺流程。
65.用于微流体的硅基SiC微通道及其制备工艺
- 刘兴昉;李晋闽;孙国胜;赵永梅;宁瑾;蔡淑娴;王亮;王雷;赵万顺;曾一平
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：提出了一种用于MEMS的硅基碳化硅微通道(阵列)及其制备方法，它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相沉积方法制备碳化硅。首先在硅衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版，然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它还在凹槽项部形成封闭结构，这样就在衬底上形成了以凹槽为模版的碳化硅微通道(阵列)。
66.多晶3C-SiC谐振器的制作和测试分析
- 王亮;赵万顺;宁瑾;孙国胜;刘兴昉;王雷;赵永梅
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料，在大气环境下，采用光学MEMS动态分析设备，成功测量了不同尺寸谐振器的工作情况，器件的谐振频率最高达到了255.5kHz，器件的品质因子(Q值)为464。
67.埋氧层厚度对SOI片形变影响的研究
- 陈俊;冯建;吴建;王大平
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性，保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。
68.金属铪掺杂对硅化镍薄膜热稳定性的提高
- 岳雄伟;张利春;高玉芝;金海岩;张广勤;随小平
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：研究了金属Hf对NiSi薄膜热稳定性的影响。XRD图谱表明，在650-800°C范围二次退火仅存在NiSi相而无NiSi2相，说明Hf掺杂可以提高NiSi的结晶度，延缓NiSi2相的出现。AES表明，热退火后Hf原子层从薄膜中间位置转移到了薄膜上层，证明Hf原子层在反应过程中起到了阻挡层的作用。通过原子力显微镜观察750°C二次热退火后的NiSi薄膜和Ni(Hf)Si薄膜表面，发现掺Hf后的Ni(Hf)Si薄膜比未掺Hf的NiSi薄膜表面平整得多，表明掺铪能显著抑制NiSi薄膜的结团。Ni(Hf)Si/Si肖特基二极管经650-800°C快速热退火后仍然具有良好的电学特性，进一步证明金属Hf能改善NiSi薄膜的热稳定性。
69.掺氮浓度对300mm直拉单晶硅中氧化诱生层错的影响
- 韩海建;肖清华;周旗钢;戴小林
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用直拉法生长普通和掺氦硅单晶，研究两种晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从两种晶体相同位置取样，并对晶体进行1100°C湿氧氧化实验。实验结果表明，随着掺氮浓度的增加晶体中氧化诱生县错环(OSF-ring)向样片中心处移动，同时宽度变大。这说明，氮的掺入促进了满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成，使OSF形核区变大。
70.300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和分析
- 黄军辉;肖清华;库黎明;周旗钢;万关良
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：建立300mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程，通过实验证明了运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系，计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300mm硅片双面化学机械抛光找出最佳工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。
71.应变Si能带结构模型
- 宋建军;张鹤鸣;戴显英;胡辉勇;宣荣喜
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点，其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。本文采用结合形变势理论的KP微扰法，建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00±1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值随Ge组分的增加而变小；导带劈裂能与Ge组分成线性关系。价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加，而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大，禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据，对器件研究设计可提供有价值的参考。
72.铬硅薄膜电阻跟踪特性研究
- 崔伟;李杰;任芳;张扬波;张正元;何开全;刘玉奎;杨邦朝
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：通过对铬硅薄膜电阻变化机理的研究，分析了可能影响薄膜电阻跟踪特性的几个因素：光刻方式、退火处理温度和时间以及激光修调等，最终研制出跟踪特性良好的铬硅薄膜电阻。
73.TF SOI nLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接复合寿命模型及模拟
- 张海鹏;张鸣飞;程筱军
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响，在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下，TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究的基础上，考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响，建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型，然后采用基于Matlab平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。
74.一种BiCMOS工艺器件耐压特性的优化研究
- 王志宽;钟怡;李荣强;何开全;廖露;粱涛
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了在一种互补双极CMOS兼容工艺中通过减压/低温外延增加有效外延层厚度，及采用LDD结构，分别提高BJT和MOSFET耐压特性的工艺与器件优化方案和结果。利用Silvaco TCAD工具，对工艺及器件进行了模拟仿真，并制作出BVDSS=18V～20V的MOS管和BVCEO>12V，fT>4.2GHz的NPN管，有效提高了器件的耐压特性，扩展了该工艺的应用范围。
75.应变Si N-MOSFET电流特性研究
- 傅强;张鹤鸣;胡辉勇;戴显英;宣荣喜
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推导泊松方程求出解析的阈值电压模型和迁移率模型，并用Matlab模拟了迁移率和锗组分之间的关系，与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对NMOSFET进行模拟是非常有用的工具。
76.BSIMPD模型参数提取中体电流分离提取方法
- 杜刚;赵玉玺;张钢刚;刘晓彦
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：BSIMPD模型中复杂的体电流成分，导致器件模型参数不容易准确提取。提出并实现了一种有明确物理意义的方法，来分离体电流组分及提取相关参数，有效地降低了器件模型参数提取及优化过程的复杂性。并通过借鉴现有的体硅MOSFET器件参数提取的流程与算法，实现了基于BSIMPD模型的部分耗尽SOI(PDSOI)器件模型参数的有效提取。
77.新型复合栅结构SONOS存储器的性能研究
- 宋云成;杜刚;王卓妍;韩汝琦;刘晓彦
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：使用新开发SONOS器件模拟器进行SONOS器件的电学特性模拟和评估。模拟器基于基本物理模型，详细考虑了SONOS栅介质层中的载流子隧穿、俘获、复合、发射和载流子堆积过程，并且能够计算拥有复合栅介质的SONOS器件；可以有效地评估及优化SONOS存储器的设计。模拟了采用复合的隧穿介质层和高-k阻挡介质层，来改进SONOS的电学性能。改进的SONOS器件在保持与传统SONOS器件相同保持栉陛的情况下，明显加快了写入和擦除的速度。
78.4H-SiC BJT增益稳定性模拟研究
- 孙明;张玉明;张义门;吕红亮;邵科
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：基于4H-SiC材料特性，在ISE仿真软件中建立4H-SiC BJT器件模型。该模型包含SiC/SiO2界面态和发射区-基区界面态，较好地反映了实际器件的直流工作特性。利用该模型分析了两种界面态对电流增益稳定性的影响，证明了发射区-基区界面态是限制电流增益的主要原因。模拟了不同发射极宽度情况下器件的直流特性，结果表明：在现有工艺条件下，发射极宽度取10μm时，器件的最高电流增益和增益稳定性要求能达到最佳的折衷。
79.870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管
- 王因生;王志楠;丁晓明;严德胜;戴学梅;吕勇
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360w，增益大于8.5dB，效率大于50％。
80.基于力法的磁微执行器的失稳研究
- 方玉明;黄庆安;李伟华
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：磁徽执行器中存在重要的失稳问题。对于宏观器件，磁芯磁阻可以忽略，可以利用电磁类比得到失稳参数。但对于微观器件，磁芯磁阻不可以忽略，不可以利用电磁类比。本文采用力法对磁微执行器的失稳现象进行分析和建模，考虑了微磁芯磁阻，在建立磁微执行器动态小信号模型的基础上，通过求解两个失稳方程，得到失稳电流和位置两个重要参数。最后，给出了一个分析实例，以反映微磁芯磁阻对的影响，对于磁微执行器的设计具有重要意义。
81.一种新型GaAs PIN二极管等效电路模型
- 吴茹菲
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：基于GaAs PIN二极管的物理工作机理，阐述了一种新型等效电路模型和相应的模型参数提取方法。该等效电路模型创造性地将GaAs PIN二极管分成了三部分，即P+N-结，本征区和N-N+结，并运用物理分析，对各部分进行建模，将三部分有机地统一起来，利用简易有效的提取方法实现了参数提取。通过制作多组不同尺寸的GaAs PIN二极管，利用实验验证了模型的合理性。模型准确反映了GaAs PIN二极管在正向和反向工作下的交流特性。
82.动态阈值nMOS温度特性研究
- 毕津顺;海潮和
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用相同的工艺，在绝缘体上硅衬底上制备了动态阈值nMOS和H型栅体引出nMOS。测试结果显示，从298K到398K，H型栅体引出nMOS阈值电压改变40％，亚阈值斜率改变48.3％，而动态阈值nMOS阈值电压仅改变33％，亚阈值斜率仅改变39.5％。讨论了动态阈值nMOS优秀温度特性的内在机理，动态阈值nMOS优秀温度特性使之非常适合工作于高温恶劣环境。
83.一种NEMS谐振器的新型电容拾振结构
- 杨磊;于虹
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：对静电激励NEMS谐振器的电容拾振方法进行了研究。采用电容拾振的双端NEMS谐振器的驱动电极与检测电极间由于存在耦合电容，将会导致输入端与输出端的馈通，影响检测信号的信噪比。基于双端检测/双端激励，提出一种新型电容拾振结构，该结构能够有效抑制耦合电容引起的馈通。
84.半导体温差电转换器件发电性能的研究
- 周子鹏;张维连;赵嘉鹏;黄志勇;周世新;吴知非
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：利用半导体材料的赛贝克效应制成的半导体热电器件在诸多方面有着巨大的应用潜力，使用SiGe合金材料制成的温差电转换器件适合于高温下工作，而BiTe合金材料制成的热电器件在低温区(室温范围内)具有良好的热电性能。本文重点研究了器件在不同工作温度下器件的伏安特性及发电性能。通过对热电偶对数不同的热电器件进行的对比实验结果，分析讨论了热电偶对数对器件热电转换效率的影响，探讨了获得较高热电转换效率的温差发电器的合理结构和使用条件。
85.一种新颖的测量器件结温分布的电学方法
- 朱阳军;苗庆海;Yuan Miao;张兴华;韩郑生;卢烁今
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：使用电学方法测量半导体器件的结温分布，几十年来一直是微电子领域的一个世界性的科教难题。本文提出了一种崭新的测量器件结温分布的电学方法，即晶体管热谱分析方法。不同于传统测试方法中使用的单一测量电流，热谱分析方法通过多阶梯恒流测量温敏参数，并利用小电流过趋热效应，结合子管并联模型，成功分析出结温分布的不均匀性和不均匀度。热谱分析方法成功解决了上述难题，将对半导体器件可靠性分析产生重大影响，具有重大的经济实用价值。
86.高速A/D转换器时间参数测试原理及方法研究
- 崔庆林;蒲璞;蒋和全
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：A/D转换器是武器装备中比较重要的元器件。在研究A/D转换器时间参数测试原理及方法基础上，通过积木式仪器组合的方式，验证了测试原理的正确性。
87.VLSI电路拓扑结构描述及在可测性分析中的应用
- 林杨;钟丽;谢永乐
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：在VLSI电路的EDA和CAD工程中，需要有效的电路形式化表征及高效的数据结构在计算机内描述电路的拓扑结构。本文研究了VLSI电路在门级/寄存器传输级(RTL)的拓扑结构的描述及其计算机内表示问题。将有向有环图作为VLSI电路在门级/RTL的形式化表示，将十字链表作为VLSI电路的存储结构，应用面向对象的程序设计语言，构造了VLSI电路的数据结构。并将这种拓扑描述及教据结构用于数字VLSI电路的可测性分析中，证明了该方法的有效性。为VLSI电路的形式化表示、机内存储和运算提供了一种途径。
88.超大规模集成电路可测性设计技术概览
- 杨平勇;谢永乐
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：针对当前集成电路的复杂程度和测试难度持续提高的趋势，为了实现高效的测试和诊断，实施可测性设计成了必然的技术趋势。本文综述了有关大规模集成电路测试与可测性设计的国际标准与规约，指出了它们的应用范围和技术要点。
89.A/D、D/A转换器动态老化技术研究
- 胡波;邢宗锋
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：老化筛选技术是集成电路产品可靠性保障的重要手段，针对AD/DA转换器的动态老化技术特点，介绍了当前老化技术发展的概况，结合A/D、D/A转换器的动态老化技术指标，提出了动态老化试验平台建立的方案。
90.DC-DC电源模块X射线总剂量辐射效应研究
- 何玉娟;恩云飞;罗宏伟;师谦
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用10keVX射线对工作状态下的DC-DC电源模块进行总剂量辐射；并在线监测DC-DC电源模块X射线总剂量辐射中的输入与输出端口电压电流变化情况；最后，对总剂量辐照失效的DC-DC电源模块进行失效分析。结果表明，DC-DC电源模块在辐射过程中输出电压降低，输入电流增大，辐照到4.6×106rad(Si)总剂量时，DC-DC电源模块完全失效，其失效是由模块内VDMOSFET过功率烧毁引起的。
91.集成电路内腔多余物控制技术研究
- 陈鹏;欧昌银;李茂松;赵光辉;黄大志;邓连春
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了集成电路封装产品内腔多余物控制措施，主要从划片、贴片、键合、封帽几个方面控制多余物的引入，通过镜检检验并剔除多余物，提高了PIND格率。
92.叠层双芯片封装的EDA仿真设计
- 王艳;张晓林
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了芯片封装发展的历史、趋势和三维封装(3Dpackaging)技术，给出了用Cadence公司的先进EDA软件Allegro Package Designer实现叠层双芯片封装的设计流程，并对芯片高速信号管脚的EDA设计方法加以说明。对其他叠层芯片封装的设计具有参考和借鉴价值。
93.多晶硅平坦技术研究
- 冯建;王大平;吴建;陈俊;徐俊
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：介绍了在原有多晶硅平坦技术之上，采用新工艺利用现有的外延、精密减薄工艺，增加了两道工艺流程设置，使得多晶硅平坦化后，多晶硅表面平整度提高，同时为后工艺加工提供了有利保障。
94.HCl腐蚀抛光技术研究
- 李智囊;唐驰
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：分析了HCl的腐蚀抛光原理以及HCI在外延片制作过程中的作用。从HCl的浓度、腐蚀温度、反应室压力以及衬底条件，对HCI的腐蚀特性进行了重点研究；并采用不同的工艺条件，对HCl的腐蚀抛光速率进行了对比实验。还对HCl的BC技术进行了探索，分析了BC技术的原理以及作用，为高精度外延片的制作提供了一种有效的方法。
95.热氧化对太阳电池硼背场影响
- 杜永超;梁存宝;韩志刚;王景霄
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：通过测试掺硼硅片氧化后的有效少数载流子寿命和经过多次热处理的掺硼硅片有效少数载流子寿命，以及通过二次离子质谱(SIMS)的方法测试硅片中硼原子的分布，提示了在BSFR太阳电池生产过程掺硼硅片氧化后其背场效果下降原因：氧化时硼原子的分凝效应使得硅-二氧化硅界面处硅中的杂质浓度比硅本体中最高杂质浓度下降了两个数量级，导致重硼掺杂的场效应钝化效果减弱，降低了BSFR太阳电池的开路电压。
96.MOCVD制备PZT薄膜技术研究
- 阮勇;任天令;谢丹;林惠旺;刘理天
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD)制备Pb(ZrxTil-x)O3(PZT)薄膜，并通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数(温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速)，制备不同组分的PZT薄膜(给出了不同衬底的PZT淀积结果)，PZT薄膜的均匀性≥±5％，尺寸为25mm至200mm，厚度50nm至500nm。经XRD测试，可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构。SEM对其表面分析也表明，已制备出的PZT表面致密均匀。
97.VDMOS管用硅外延片的工艺研究
- 马林宝;高涛;谭卫东;金龙;马翔
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺，通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化，使外延层杂质分布有了显著改善。
98.应变硅p-MOSFET中空穴迁移率的增强特性
- 粱仁荣;张侃;王敬;徐阳;许军
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χGeχ虚拟衬底上制备出具有低表面粗糙度和低位错密度的应变硅材料，以其为沟道材料制作得到的应变硅p-MOSFET表现出显著的性能提升。在室温下，相对于体硅器件，应变度为0.83％和1.2％的应变硅器件的低场空穴有效迁移率增强分别为62％和130％，在相同的过驱动电压下，饱和漏端电流增强分别为41％和75％，并且应变硅的器件亚阈值特性优于体硅器件。
99.非均匀沟道MNOS总剂量辐射效应
- 连延杰;李泽宏;谭开洲;刘勇
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对非均匀沟道MNOS结构阈值电压的影响。结果表明，非均匀沟道MNOS的二氧化硅厚度为12nm时，总剂量辐射导致的阈值电压漂移量接近于0。
100.功率VDMOS器件ESD保护结构瞬态模型研究
- 周春华;李泽宏;胡永贵;刘勇;易黎;钱梦亮
- 《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》 | 2007年
摘要：基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良好。通过对模型进行解析运算，得到栅极输入串联电阻、保护二极管等效寄生电阻与击穿电压、功率VDMOS的栅源电容与栅氧厚度与器件抗ESD能力的关系，为功率VDMOS的ESD保护提供重要指导。