动态阈值nMOS温度特性研究

摘要

采用相同的工艺，在绝缘体上硅衬底上制备了动态阈值nMOS和H型栅体引出nMOS。测试结果显示，从298K到398K，H型栅体引出nMOS阈值电压改变40％，亚阈值斜率改变48.3％，而动态阈值nMOS阈值电压仅改变33％，亚阈值斜率仅改变39.5％。讨论了动态阈值nMOS优秀温度特性的内在机理，动态阈值nMOS优秀温度特性使之非常适合工作于高温恶劣环境。