欧姆合金对MHEMT器件直流和高频性能的影响

摘要

采用电子束光刻方式制备了栅长200nm的GaAs基MHEMT器件，着重研究了欧姆合金工艺对MHEMT器件的直流和高频性能的影响。进行和未进行欧姆合金的MHEMT的跨导(gm)、最大饱和漏电流密度(Jdss)、电流增益截止频率(fr)分别为504(187)mS/mm、623(324)mA/mm、105(70)GHz。试验结果表明，进行欧姆合金可以大幅度提高MHEMT器件的直流和高频性能。