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高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响

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摘要

采用高频放电的方法对ITO电极表面进行了处理,并用接触势差法测量了处理前后的ITO表面功函数.用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒.此外,处理后的ITO的双层发光器件的驱动电压下降,发光亮度及效率得到明显提高.

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来源
《上海大学学报：自然科学版》 |2004年第6期|551-554|共4页
作者
刘德武; 朱文清; 吴有智; 蒋雪茵; 张志林; 许少鸿;
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作者单位

上海大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN873.3;
关键词
高频放电; 功函数; 有机电致发光; 空穴注入势垒;

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