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ITO电极的制备方法及采用该方法所制备的ITO电极

摘要

一种ITO电极的制备方法,首先在基材上形成ITO导电层,并将ITO导电层蚀刻成预定的图案,然后在ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆,并烘烤。最后在基材与ITO导电层相对的表面上形成光学胶层。由于光学胶具有柔软性,光学胶层可贴合在基材表面,从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且,由于光学胶的光学折射率同基材相当,故可从在视觉上消除弯曲形变,进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。因此,采用上述方法制备的ITO电极可有效减轻表面形变可视性。此外,本发明还提供一种ITO电极。

著录项

  • 公开/公告号CN103310904B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳欧菲光科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201210067104.5

  • 发明设计人 程志政;

    申请日2012-03-14

  • 分类号

  • 代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人邓云鹏

  • 地址 518106 广东省深圳市宝安区公明镇松白公路华发路段欧菲光科技园

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-13

    授权

    授权

  • 2013-10-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20120314

    实质审查的生效

  • 2013-09-18

    公开

    公开

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