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朱坤峰; 徐世六; 张正元;
中国电子学会;
绝缘体硅晶片; 耐压结构; 材料性能; 数值分析;
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机译:集电极长度对薄膜SOI上NPN SiGe HBT性能的影响
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机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:环磷酰胺诱发的膀胱炎大鼠血管内皮生长因子同种型VEGF-164及其受体(VEGFR-2Npn-1和Npn-2)的上调
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机译:评估垂直npn和横向pnp双极晶体管的温度增强增益退化
机译:使用NPN晶体管的锁存电压可改善静电耐压的横向PNP晶体管
机译:带有NPN器件的PNP横向晶体管-使用并联NPN器件的击穿电压来防止静电
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