Transistors; Dose Rates; Physical Radiation Effects; Temperature Dependence; Thermal Degradation;
机译:使用栅极控制将横向PNP双极结型晶体管的增益衰减降至最低
机译:模拟电离辐射引起的横向PNP双极结晶体管的增益衰减
机译:横向和衬底pnp双极结晶体管的增益降低
机译:稳压器中横向和垂直PNP功率晶体管的辐射引起的正向发射极电流增益衰减
机译:基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计,技术和特性,可增强高频功率放大。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:垂直接地基础NPN双极晶体管用作智能电力技术ESD保护的分析和紧凑型造型