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An Optimized TCAD Simulation of a Low-Power, High-Frequency Lateral SiGe HBT on SOI Device

机译：SOI设备低功耗，高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟

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作者
Peterson, Amelia H.;
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作者单位

Rensselaer Polytechnic Institute.;

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授予单位 Rensselaer Polytechnic Institute.;
学科
学位 M.S.
年度 2017
页码 79 p.
总页数 79
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类 AAI10264997;
关键词
HBT; SOI; Sentaurus; SiGe; TCAD; THz;

机译：HBT;所以我;Sentaurus;SiGe;TCAD;星座。;
入库时间 2022-08-17 12:00:52

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