结构、器件属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有1611篇,会议文献有203篇,学位文献有498篇等,结构、器件的主要作者有彭英才、郝跃、陈弘达,结构、器件的主要机构有东南大学微电子中心、南京电子器件研究所、西安电子科技大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 针对传统Micro-LED芯片巨量转移与键合、发光芯片与驱动电极高质量接触等技术难题,本文采用金属有机化合物化学气相沉积和原子层沉积工艺制备无电学接触型氮化镓...
2.[期刊]
摘要: GaN HEMT器件以其优良的性能被广泛应用于各种领域的电子设备中。由于其经常被用于高频、高温和高辐射的环境中,过高的环境应力会加速器件的损伤。当损伤达到一定...
3.[期刊]
基于Cu_(3)(HHTP)_(2)薄膜的离子液体电致变色电极
摘要: 室温离子液体具有宽电化学窗口和良好的环境稳定性,是电致变色器件的理想电解质。然而传统电致变色材料的晶格间隙较窄,限制了离子液体中大尺寸离子的扩散,且大离子反复...
4.[期刊]
摘要: 传统封装结构以引脚或者底部外露散热片为途径,将热量从芯片运送到PCB板,保证芯片正常运转,这种方式一般称之为单面散热。随着半导体器件高功率密度越来越大,对器件...
5.[期刊]
摘要: 业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥。但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成...
6.[期刊]
DF100A型PSM短波发射机功率开关模块的介绍与典型故障分析
摘要: 功率开关模块是一个脉冲宽度调制单元,是DF100A型PSM短波发射机中重要的组成部分,在对发射机的日常维护中,它是重要的部分之一。文章对功率开关模块的工作原理...
7.[期刊]
摘要: 设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减...
8.[期刊]
摘要: 针对半导体行业常见的高集成化、高热流密度和非均匀热物理条件导致散热条件恶劣的热管理问题,基于VC均温技术,以某新能源项目用集成变流模块的散热器为研究对象,对非...
9.[期刊]
摘要: 微热板作为气敏半导体传感器的关键组成部分,为敏感材料提供稳定的加热温度。为降低微热板功耗,提升热稳定性,设计了一种悬浮式结构微热板,通过仿真对微热板材料组成、...
10.[期刊]
摘要: 介绍了一种适用于激光雷达应用场景的电磁驱动式双轴MEMS微镜,并设计一种新颖的径向磁场致动系统.利用图案化单匝电镀铜线圈和同心永磁体组件形成的径向磁场作用,驱...
11.[期刊]
摘要: 为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al_(0.30)Ga...
12.[期刊]
摘要: 采用碱化与退火方法在铜网表面制备多晶型氧化铜纳米线结构,利用SEM、XRD、XPS、HR-TEM和电化学测试等手段,研究了碱化处理时间和退火工艺对氧化铜纳米线...
13.[期刊]
摘要: 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点...
14.[期刊]
摘要: 研究了退火温度对铂薄膜微观结构和电学性能的影响。在高曲率微小金属探针表面原位制造铂薄膜温度探测器,在450,500,550℃条件下进行退火。研究了不同厚度Si...
15.[期刊]
摘要: “微电子器件”是微电子相关专业的核心基础课程,通过课程的学习能够使学生掌握各种微电子器件的原理和特性,为学生后续学习和深造打下了理论基础。课程思政是新形势下高...
16.[期刊]
摘要: 碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulate...
17.[期刊]
摘要: 针对水平方向振动体的能量回收问题,设计一种基于电磁阻尼的振动能量回收装置,装置主要包括振动台、电磁阻尼器和稳压电路。有别于传统的重力方向上的电磁振动体能量收集...
18.[期刊]
摘要: 针对三维集成电路中各层之间的I/O限制问题,提出了一种新型的三位碳纳米管TSV。首先利用HFSS软件对三位CNT TSV各寄生参数进行了数值计算,与基于理论的...
19.[期刊]
摘要: 氧化镓(Ga_(2)O_(3))以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和G...
20.[期刊]
摘要: 随着大功率半导体器件在国防科研、实验研究、柔性直流输电及工业制造中的应用愈加广泛和成熟,以大功率半导体为核心器件的串并联组件应用越来越多,为了适应半导体器件在...
1.[会议]
摘要: 3维蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加.通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自...
2.[会议]
摘要: 采用集总电荷的方法,分别对功率半导体器件中的二极管和MOSFET进行表征,描述二极管的正反向恢复特性,应用载流子输运方程、连续性方程和泊松方程确定MOSFET...
3.[会议]
摘要: 本文通过对平面高压器件的终端进行研究,验证了带场板和分压环的复合结构终端设计能有效的提高平面高压器件的反向击穿电压水平这一结论.
4.[会议]
摘要: RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种专门应用于脉冲功率领域的半导体开关器件,该器件采用可控等离子体层触发的开通模式.功率集成...
5.[会议]
钻进下一个里程碑——关于在国内进行金刚石半导体器件研发的建议
摘要: 以宽禁带、高载流子迁移率、高击穿电压、高热导率和高可容许的开关频率为代表的金刚石的优越的半导体性质,使得金刚石已经成为大功率半导体器件的最佳选择.考虑到这类半...
6.[会议]
摘要: 运行于空间辐射环境的微纳米器件不仅要承受电场强度增强带来的自身可靠性问题,还要受到外部辐射环境中高能粒子导致的辐射损伤.同时,空间高能粒子带来的辐射损伤可进一...
7.[会议]
摘要: 本文研究了功率脉冲驱动下半导体器件瞬态温升特性.在理论计算模型的基础上,分别通过红外和电学法两种方法测量了器件在不同脉宽脉冲下的温升和热阻.结果表明:两种测量...
8.[会议]
摘要: 功率IGBT模块应用广泛,其动静态参数测试设备应用较为广泛,因此,对于功率IGBT模块测试设备校准装置需求较大.在调研国内外功率IGBT模块测试设备校准方法的...
9.[会议]
摘要: 碳化硅电力电子器件具有高压、高温和高效率等优势,是智能电网中理想的电力电子器件.介绍了近年来碳化硅材料及器件在研发和产业化方面的最新发展.随着6英寸碳化硅单晶...
10.[会议]
摘要: 随着智能电网的建设及可再生能源发电技术的发展,以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件以其高功率密度、高电压、高频率、高热导率等优越的物理和电气特性,将在现代电力系统...
11.[会议]
摘要: 基于柔性直流输电的直流电网技术具备灵活、安全的潮流控制能力,将越来越多地成为大规模清洁能源发电、海洋群岛供电及构建新型城市电网的首选技术方案.直流电网核心装置...
12.[会议]
摘要: 功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试系统有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小...
13.[会议]
摘要: 为了避免器件温升对参数测量造成影响,“脉冲测试法”广泛应用在功率IGBT模块静态和动态参数测试中.该类设备内部单脉冲高压源脉冲宽度为50微秒的情况脉冲高压幅度...
14.[会议]
摘要: 以由PIN管限幅器和GaAs PHEMT低噪声放大器构成的PIN限幅放大系统为研究对象,采用数值仿真和理论分析的方法研究了其微波脉冲的热效应与损伤机理,得到了...
15.[会议]
基于双脉冲测试平台的SiC MOSFET与Si MOSFET开关特性的对比
摘要: 本文简要分析了SiC MOSFET与Si MOSFET的物理特性及静态特性,从而得到了SiC MOSFET具有更小的功率损耗和更适合应用在高压高频场合等优点....
16.[会议]
摘要: 综述了国内外学者提出的SiC MOSFET新型功率器件的研究方向.SiC作为宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率等优点,可以在高压、大功率、高频、高温等...
17.[会议]
摘要: 随着对新材料领域探索的逐步深入,性能远远好于被广泛应用于各领域的Si(硅)设备的宽禁带功率器件受到研究人员的广泛青睐.SiC材料拥有耐高温、频率高、抗辐射、具...
18.[会议]
摘要: 本文介绍了关键器件:新型CMOS器件。关键部件/组件,包括微型光谱仪组件、光电放大组件,这种新器件的出现不仅会大幅度降低荧光检测器件的价格,而且彻底改善了高灵...
19.[会议]
摘要: 电力电子器件是采用半导体材料制造、用于实现电能高效转换的开关控制电子器件,包括功率半导体分立器件、模块和组件.电力电子器件经历了以晶闸管为核心的第一代器件,以...
20.[会议]
摘要: 宽禁带半导体普遍具有禁带宽度大、临界击穿场强高、介电常数较低、化学性质稳定等特点,适合制备高压、大功率、高温、抗辐照的电子器件.各种宽禁带半导体又有各自不同的...
1.[学位]
摘要: 有机场效应晶体管的研究重点主要集中在迁移率高、稳定性强和溶液加工容易的半导体材料。随着研究不断深入,科研人员发现绝缘层对器件整体性能起关键作用,直接影响其上半...
2.[学位]
摘要: 自2004年Geim组首次剥离发现单原子层石墨烯以来,有关二维材料的研究迅速席卷了整个物理学界,也标志着“二维材料时代”的到来。过渡金属二硫化物(TMDs)这...
3.[学位]
摘要: 随着半导体产业的飞速发展和微纳米加工工艺的不断进步,前沿科学研究已经进入微观量子调控领域。纳米尺度的量子点可以精确调控单个载流子的隧穿。量子点的电荷态或者自旋...
4.[学位]
摘要: 热能是一把双刃剑。一方面,对热能的操控与利用是人们赖以生存的基础。而另一方面,当今世界的许多实际技术的应用均受到热能的困扰。计算机处理器、锂电池等高能量密度的...
5.[学位]
摘要: 随着电力电子技术的迅速发展,电力电子装置在各行各业的应用越来越为广泛。在诸多的应用下,电力电子装置的可靠性问题也随之暴露出来。功率半导体器件是电力电子装置中最...
6.[学位]
摘要: 随着近几年微电子技术的蓬勃发展,硅基OLED微型显示设备以其微型便携的优点引起人们的高度重视。由于硅基OLED像素驱动电路需要正负两路电压供电才能达到显示效果...
7.[学位]
摘要: 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体料,具有高热导率、高击穿电压、高电子漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优势,适用于毫米波数字相控阵雷达系统当中。T/R组件...
8.[学位]
摘要: 随着摩尔定律的持续发展,集成电路工艺尺度不断缩小,当前已经发展到10nm制程,进一步推进工艺实现亚10nm的集成电路已经成为工业界的共识。然而传统三维块体材料...
9.[学位]
Modeling and Simulation of a Class of Piezoelectric Bimorph Cantilever Beams
摘要: 压电材料是一种用于电-力转换的材料。当压电材料收到力或其他载荷时,将在压电材料表面产生电荷;而在压电材料表面施加电场时,压电材料将发生变形。并且压电陶瓷或压电...
10.[学位]
摘要: 随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。碳化硅功率器件,主要包括SiC JBS,SiC MOSFET等,相较于传统硅基器件具...
11.[学位]
摘要: LED具有发光效率高、寿命长、节能环保等优点,正在逐步取代传统光源。由于约70%的输入功率会转化成热、存在热斑问题以及仅能单方向传热,结温升高会引起发光特性的...
12.[学位]
摘要: 随着科学技术水平的日新月异,纳米尺度的新兴材料不断涌现,各种量子效应成为影响材料和器件性能的重要因素。在这种情况下,基于第一性原理的材料设计方法,特别是基于密...
13.[学位]
摘要: 近些年来,随着半导体行业的发展,第三代宽禁带半导体正逐步成为二十一世纪最受瞩目的材料,其中GaN半导体器件是第三代半导体的典型代表,科学研究人员越来越重视这类...
14.[学位]
摘要: 第三代半导体材料碳化硅(SiC)之所以能够成为在高温、高辐射、高压、高频等条件下应用的候选材料之一,是因为其优越的物理特性(宽禁带、高击穿电场强度、高的电子饱...
15.[学位]
摘要: 随着集成电路的不断发展,其重要组成元件——金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tran...