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姚佳飞;
南京邮电大学;
SOI; 横向功率器件; 耐压; 技术;
机译:基于横向线性梯度近似的SOI RESURF横向功率器件的一维击穿电压模型
机译:在高耐压和大容量领域中支持功率器件发展的功率-分析支持IGBT发展的因素,并讨论包括宽带隙半导体在内的未来功率器件的前景。
机译:PowerNet:使用深神经网络的SOI横向功率器件击穿预测
机译:横向栅极偏置的侧向SOI销光电二极管总量子效率研究,内在长度和温度变化
机译:超薄绝缘体上硅横向功率器件的物理和技术。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:结合SOI衬底的高击穿电压侧向器件的开发与应用研究
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:具有侧向漂移区且具有逆向掺杂分布的横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件及其制造方法
机译:绝缘体上硅SOI技术中的横向绝缘栅双极晶体管LIGBT器件
机译:采用绝缘体上硅(soi)技术的横向绝缘栅双极晶体管(ligbt)器件
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