阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型

摘要

提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷 (SBOC) SOI新型高压器件 ,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型 ,对阶梯数 n从 0到∞时的器件击穿特性进行了研究 .结果表明 ,该结构突破常规 SOI结构纵向耐压极限 ,使埋氧层电场从常规 75 V/μm提高到 5 0 0 V/μm以上 ;同时得到均匀的表面电场分布 ,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾 ,因此 SBOC结构是一种改善 SOI耐压的良好结构 .