场效应器件属于《中国图书分类法》中的四级类目,该分类相关的期刊文献有5339篇,会议文献有768篇,学位文献有1757篇等,场效应器件的主要作者有郝跃、张波、李肇基,场效应器件的主要机构有南京电子器件研究所、中国科学院微电子研究所、西北核技术研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起...
2.[期刊]
摘要: 在CCD成像电路的研发过程中,为了确保CCD达到最优的满阱性能,需要不断调整CCD驱动信号参数并进行满阱测试,该过程通常需要重复几十甚至上百次。通用的光子转移...
3.[期刊]
摘要: 为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两...
4.[期刊]
摘要: 文中介绍一种低成本、不间断、多针头多射流式高压静电场纺丝设备方法。该方法创新性地改进纺丝设备的推进装置,设计新的推进装置并配合STC8A8K64A4S2单片机...
5.[期刊]
摘要: 在科技快速发展的今天,人们对于检测和治疗身体健康的技术和设备都十分重视。GaN HEMT器件的出现让科学家们眼前一亮,其良好的性能和快速精准的检测在生物研究领...
6.[期刊]
摘要: 以TCD1708D为感光元件设计了高速线阵CCD驱动与数据采集系统。分析了CCD同步时序的要求,选用EP4CE10F17C8作为主控芯片,利用Verilog ...
7.[期刊]
摘要: 离子敏感场效应管是应用于离子浓度测量的一种器件,它的性质与金属氧化物场效应晶体管相似,最大的区别在于它可以直接用于电解质溶液中的离子浓度变化测量。该器件结构简...
8.[期刊]
基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测
摘要: 针对MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件故障预测与健康管理问题,提出了一种长...
9.[期刊]
摘要: CCD易受空间环境中高能电子辐射的影响,造成性能下降和工作异常,针对此问题,选取某国产N沟道3相多晶硅交迭栅、帧转移结构CCD开展了电子辐照效应研究。采用三维...
10.[期刊]
摘要: 针对微机电系统(MEMS)惯性传感器中数字信号处理电路的功耗问题,提出了两种新型场效应晶体管。两种晶体管分别被命名为具有“并联”开关功能的三输入双沟道场效应晶...
11.[期刊]
摘要: 对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VD...
12.[期刊]
摘要: 为详细研究超级结体内独特的二维电场分布,通过Silvaco软件建立半导体超级结器件基本结构(超级结PiN),展开直观的定量仿真分析。在仿真中对漏极施加正向电压...
13.[期刊]
摘要: 片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技...
14.[期刊]
摘要: 文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(GP_Si/Ge_DGTFET)。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构,禁带宽度较窄的Ge材...
15.[期刊]
摘要: 第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该...
16.[期刊]
摘要: 针对癫痫发作前期脑电信号中含有运动伪迹影响癫痫预测的问题,提出一种变分模态分解-自适应熵阈值(VMD-AET)的运动伪迹去除方法。设计了实验室环境下8种模拟运...
17.[期刊]
摘要: 文中基于碳化硅功率器件应用的优势展开分析,讨论了碳化硅功率器件的高频感应焊机设计要点,包括逆变器原理分析、功率单元设计、电源控制系统设计、驱动及减速装置设计、...
18.[期刊]
摘要: 碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大...
19.[期刊]
摘要: 碳化硅(SiC)宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是全控型的复合器件,具有工作频率高、开关损耗低、电流密...
20.[期刊]
摘要: 随着电力转换系统功率密度和工作频率的不断提高,需要开发性能优于传统半导体的功率器件。作为第三代半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)被认为是提高大功率电力系统...
1.[会议]
摘要: 目的:研究重离子单粒子辐照(SEE,Single Event Effect)效应对超薄栅介质(1nm厚度)的斜坡击穿电压(TZDB,Time Zero Die...
2.[会议]
0.13μm SOI NMOSFET在不同总剂量辐照偏置下的热载流子效应
摘要: 研究不同辐照偏置下,电离总剂量效应对基于0.13μm部分耗尽绝缘层上硅(SOI)工艺的T型栅结构金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)热载流子效应的影响...
3.[会议]
摘要: 由于通过引入带带隧穿(BTBT)机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧穿效应场效应管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.因为TFET器件...
4.[会议]
摘要: 对于不同栅宽(器件宽度)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET),根据测试的电流电压曲线和电容电压曲线,计算得到了栅沟道载流子迁移率.在相同的偏压下...
5.[会议]
摘要: SiC MOSFET因具有耐压高、温度特性好、抗辐射能力强等优点,在功率变换器、航空航天电源等装置越来越受到青睐.然而,功率半导体器件有时因为人为因素或者负载...
6.[会议]
摘要: 本文主要研究了SiC MOSFET器件和Si IGBT器件的混合并联,在对比器件开关特性的基础上,提出了混合并联器件的优化开关模式,并进行了混合并联器件的稳态...
7.[会议]
摘要: 本文提出了一种具有低反向恢复损耗Err的逆导型IGBT结构.本文采用将RC-IGBT中的FS-IGBT区域与续流二极管FWD区域分开设计的思路,同时又将确保集...
8.[会议]
摘要: 本文给出了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法.分析了SiC MOSFET压接式封装实现中的难点,并提出了能满足SiC MOSFET特殊需求的解决方...
9.[会议]
摘要: 提出了一种1200V电压领域的新型RC-IGBT结构.通过刻蚀及离子注入在器件背面形成氧化槽与p柱区的结构.氧化槽隔离n型集电极与p型集电极,切断了n型缓冲层...
10.[会议]
摘要: 大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBTs)模块在光伏发电、电动汽车以及高压直流输电等领域应用...
11.[会议]
摘要: 本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性,并与常规型FS-IGBT进行了对比.分析了不同FS峰值掺杂...
12.[会议]
摘要: 随着电力电子系统在众多能源变换领域的广泛应用以及容量的快速提升,其可靠性也越来越受到业界普遍重视.功率半导体器件开关及导通特性的准确测试和热损耗提取,是后续开...
13.[会议]
摘要: 基于Cree官网提供的C2M系列SPICE模型,本文对SiC MOSFET静动态特性进行了深入分析.分析结果表明该模型在工作结温较低时,与datasheet提...
14.[会议]
有机场效应晶体管中迁移率、阈值电压与沟道长度之间的反常依赖关系
摘要: 本文通过在硅衬底上制备得到具有不同沟道长度的有机聚合物(DPPTTT)薄膜场效应晶体管器件,研究了沟道长度对有机场效应晶体管器件中的载流子浓度和阈值电压的影响...
15.[会议]
SiC MOSFET和Si IGBT的结温特性及结温监测方法研究
摘要: 为了研究结温对1200V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电...
16.[会议]
摘要: 搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1200V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗...
17.[会议]
摘要: 问题难点:设计人员都考虑大功率MOS管焊接要求散热,于是设计人员一般都会把焊盘设计的很大,用来散热.但是问题也来了,很容易导致焊接时出现焊锡的表面张力作用导致...
18.[会议]
摘要: 士兰微是一家拥有芯片设计、制造与封装相结合的综合型半导体企业,以IDM模式开发高压、高频、高功率的特殊集成电路和MEMS传感器已独具特色。
19.[会议]
摘要: IGBT将绝缘栅简易控制特性与双极器件的强大导电能力结合起来,弥补了功率MOS在高压领域通态电阻偏大的不足。
20.[会议]
摘要: 随着电站安装量逐步扩大,电站质量问题越来越被关注。结合光伏组件典型失效模式,对MOS光伏旁路开关可靠性进行研究。正向导通条件下,MOS开关正向压降仅为肖特基二...
1.[学位]
摘要: 二维材料因具有独特的物理、化学特性而被广泛应用于不同的领域,采用不同的方法对其本征性质进行调控是目前的研究热点,其中插层被认为是一种有效的调控方法。对于如今二...
2.[学位]
摘要: 绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT)同时结合了MOSFET器件和双极型器件的优点,具有输入阻抗高、...
3.[学位]
摘要: 作为电力电子的核心元件,功率半导体器件一直应用在电力设备的电路控制或电能变换,亦是强电运行和其弱电控制之间的沟通桥梁,主要作用是功率管理、功率放大、变压、变流...
4.[学位]
摘要: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种优异的电力电子器件,被广泛应用于汽车电子、航天航空等领域。超结IGBT是一种具有高耐压的新型IGBT,SJIGBT同时拥...
5.[学位]
摘要: GaN作为第三代半导体材料,因其具有宽禁带,高迁移率,低本征载流子浓度等性质而成为一个非常瞩目的研究热点。常规单层异质结器件凭借其结构简单和性能优异等特点始终...
6.[学位]
摘要: 功率VDMOS器件现在被广泛的应用,其最主要性能参数击穿电压(BV)和比导通电阻(Ron,sp)是我们关注的重点。常规的功率VDMOS器件受到硅极限的限制,在...
7.[学位]
摘要: 尽管功率器件随时代不断发展,功率MOSFET器件因其成熟的工艺和衍生的新结构依然活跃于如今的市场上,其中沟槽型场效应管(UMOSFET)主要应用于低压大电流环...
8.[学位]
逆导IGBT结构设计及仿真研究逆导IGBT结构设计及仿真研究
摘要: 功率半导体器件在电能转换中起着至关重要的作用,特别是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),它被应用在许多领域,是不可...
9.[学位]
摘要: AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)器件以其禁带宽度大、高耐压能力、高电子饱和速度和低开关损耗等优势使其成为功率器件领域的研究热点。目前,普遍认为限制...
10.[学位]
摘要: 作为新一代宽禁带半导体材料,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)已经展现出优良的电学、热学特性,基于SiC材料的功率器件具有耐高温、耐高压、低损耗...
11.[学位]
摘要: 现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展,对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升,带动了器件从微米级向纳米级发展,集成电路的规模也由大规模向...
12.[学位]
摘要: 近年来,有机半导体材料由于其具有可低成本、大面积制备、以及良好的机械柔性等特性,在柔性电子领域有着广阔的应用前景。目前,基于有机半导体的场效应晶体管是有机电子...
13.[学位]
基于BP/InGaZnO异质结的隧穿晶体管与结型晶体管的研究
摘要: 现代移动设备与物联网技术发展迅猛,为了制造高分辨率、低功耗、轻薄及低成本的显示器件,金属绝缘半导体场效应晶体管正处于尺寸不断缩放,性能不断提升的过程。然而,在...
14.[学位]
摘要: 碳化硅(Silicon Carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effec...