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具有埋氧层界面电荷的SOI高压器件新结构纵向击穿模型

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本文通过求解Poisson方程,建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型,该模型表明,在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向的固有结构缺陷,充分发挥埋氧层的高击穿电场的特性,得到理想的纵向击穿电压.解析结果、仿真结果、试验结果的一致性验证了模型的正确性.本文的工作对优化设计具有埋氧层界面电荷的SOI新高压器件具有理论指导意义.

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来源
《04’全国电力电子技术学术年会》|2004年|12-16|共5页
会议地点成都
作者
郭宇锋; 张波; 李肇基; 方健;
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作者单位

中国电工技术学会;

四川省电工技术学会;

成都电力电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类产生高电压的装置;
关键词
埋氧层界面电荷; SOI高压器件; 纵向击穿电压模型;

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