机译:埋入式层状不可移动电荷的高压SOI器件的新结构及其分析故障模型
School of Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210003, China;
silicon on insulator (SOI); step fixed interface charges; breakdown voltage;
机译:埋入式层状不可移动电荷的高压SOI器件的新结构及其分析故障模型
机译:可变k介电埋层SOI高压器件的电场和击穿电压的新结构及其解析模型
机译:SOI高压器件顶部硅层上垂直击穿电压对杂质浓度的新分析模型
机译:考虑阶梯掩埋氧化物界面电荷调制的高压SOI器件击穿模型
机译:基于氧化锌和氧化镁锌锌的多层结构,用于可调声表面波装置。
机译:双层MEH-PPV / TiO2光电器件的光电流-电压特性分析模型
机译:具有充电不平衡的超结型电源设备的击穿电压:通过设备进行打孔和非打孔的分析模型有效