日本开发65mn以上工艺的新结构SOI器件

摘要

日本日立制作所和瑞萨科技公司共同开发了65nm以上工艺的新的高速、低功率SOI器件结构。这是一种在绝缘膜(称为BOX层的SOI结构，嵌在基板内的氧化膜层)单晶硅上生长晶体管的SOI结构，将绝缘膜厚度减薄到10nm左右，通过将原来的技术与对硅基板附加电压的基板偏压控制技术相结合，使速度提高20％，功率降低到原来的1／10。有望作为基础技术用于65nm工艺以上的高速、低功率CMOS。