电子器件

北大核心

CSCD

CSTPCD

Chinese Journal of Electron Devices

本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子材料与元器件、电光源与照明技术、电子技术应用，并涉及电子科学领域里的最新研究动态。

发文量：5239
被引量：1104
H指数：3
开始收录时间：1981(3)
CNKI综合因子：0.531
维普期刊影响因子： 0.8
万方期刊影响因子：0.65
创刊时间：1978

国内刊号/CN：32-1416/TN

国际刊号/ISSN：1005-9490
发行周期：双月刊

邮发代号：28-367
主管单位：中华人民共和国教育部

主办单位：东南大学

电子器件-联系信息

主编：孙立涛
电话：025-83794925
邮箱：dzcg-bjb@seu.edu.cn
地址：南京市四牌楼2号
邮编：210096

电子器件-获奖情况

• 2011-2012年获中国科技论文在线优秀期刊一等奖; 2012年第四届中国高校特色科技期刊奖; 2012年获中国权威学术核心期刊

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电子器件 >2024年第3期

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共4384条结果

1.MOS智能型开关电源功率集成电路
- 谢世健;丁国华;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文介绍了一种集成双极型、CMOS和VDMOS于同一芯片上的智能功率集成电路.以开关电源为目标,介绍了各电路功能块的原理,对电路,版图和工艺进行了正向设计.该电路含有分源结构的VDMOS管、CMOS运算放大器,电压比较器,锯齿波发生器,基准电压和内部工作电源的获取等脉宽控制电路,栅驱动、轧启动电路以及过流,过热保护电路.并给出研制结果,实践证明能够组成性能极好的智能开关电源.
- MOS;
- VDMOS;
- 集成电路;
- 开关电源;
- 功率;
2.NEG—1型引出规的X射线限及其原位测定
- 唐政清;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文对一种改进型引出规(NEG-1型)的X射线限及其原位测定方法作了讨论.用和普通B-A计的几何因子相比较的方法,对三种X射线源引起的X射线限的大小作了估算,其结果表明,电子打上反射产生的X射线所决定的X射线限是限制该引出规测量下限主要的原因.用深度调制法测得X射线限为～1.6×10^(-11)Pa(等效N_2压强),这与理论估算结果相吻合.
3.复合材料内部脱粘的红外检测及理论分析
- 陈珏;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文根据传热学理论分析了内含缺陷的复合材料的表面温差.给出了键合硅片表面温差与缺陷深度、厚度及加热时间之间关系的计算结果.介绍了利用红外热象仪检测材料内脱粘的方法.
4.功率VDMOSFET研制
- 朱静远;茅盘松;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果.
- 功率VDMOSFE;
- 电压控制器;
5.超声波传感器
- 庄庆德;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文介绍了超声波传感器的基本原理,分类,应用;超声波发射器与接收器的结构,原理与应用.
- 超声波传感器;
- 传感器;
6.用三维有限元法求解慢波线的色散特性
- 曹世昌;谢荣;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文采用三维等参元求慢波线的色散特性,导出了它的变分表达式,并对Millitron慢波线进行了计算,所得结果说明这个方法是合理的.
7.采用F—O干涉腔的高分辨率半导体激光线宽测量
- 李振华;张军;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文报道一个分辨率可达20MH_g的F-P扫描干涉法线宽测试实验系统.该系统调试简便、重复性好,可以用于LD高速调制和线宽压缩中的谱线分析.文中还详细讨论了测量定标方法.
8.SPP在薄膜MIM隧道结发光中的作用
- 俞建华;刘柯林;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.
- SPP;
- 薄膜;
- MIM;
- 隧道结;
- 发光;
9.一种新颖的适合高压集成电路制备的隔离技术
- 孙国梁;章勤义;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：半导体高压器件设计、制造技术的新发展使得高压、功率集成电路的实现成为可能.最近新出现的所谓“智能功率集成电路”便是一例.它集逻辑控制、功率驱动和诊断电路于一同一芯片,充分显示了这一领域的飞速发展.在这些高压、功率集成电路中,所采用的隔离技术多致力于更高的承受电压和功率密度.就目前的隔离技术而论,大致可以分为二类.一是PN结隔离技术(JI),另一种为介质隔离技术(DI).目前已有耐压为500伏和600伏通过PN结隔离和介质隔离技术实现的集成电路研制成功.
10.非迭代法设计收敛型皮尔斯枪
- 刘顺康;
- 《电子器件》 | 1991年第2期
摘要：本文介绍一种适用于微波管电子枪设计的新方法——非迭代法.采用该方法对电子枪的计算可得到所需的电子枪尺寸参量,等位线以及电极形状,计算结果精度良好,因此它可作为收敛型皮尔斯枪计算机模拟的预设计.
11.变色气体发光显示技术的研究
- 陈宗柱;王新兵;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：通常一个发光显示单元的光色是不变化的.本文从电离气体选择性激发的原理出发,实现了变色气体发光显示,即对于同一气体发光显示器件在不同时间能可控地发出不同波长的可见光.
12.光纤放大器与全光通信技术
- 杨祥林;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：本文评述光放大器和全光通信技术的现状和未来发展,首先介绍新颖纤放大器的原理、结构设计和性能特点,然后着重阐述铒光纤放大器在光通信领域的各种应用,最后给出全光通信系统的各种实例.
13.各向异性腐蚀在PH传感器中的应用
- 陈德英;唐国洪;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：在微机械加工中,硅的各向异性腐蚀是关键技术之一.特别在当今微机械加工向微型化、多功能化及智能化发展之际,更需利用硅的各向异性腐蚀来制备三维结构.对于单晶硅材料,主要腐蚀剂如表1所示.
14.两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨
- 孔德平;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：本文介绍两步硼扩散工艺,它对改善台面功率晶体管的性能极有帮助.
15.CO／H2集成FET型气敏传感器的研究
- 丁辛芳;金恒;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：本文初步探讨了FET型气敏传感器的敏感机理,采用N阱双极MOS兼容工艺,将CO,H_2气敏单元,择优差分型气敏单元、加热单元、温敏单元单片集成,制作了可调高温的具有高稳定输出的芯片自恒温系统,研制出具有良好的选择性和稳定性,较高灵敏度的集成MOS气敏传感器.
16.LB薄膜在MIM发光结中的应用
- 蔡益民;刘柯林;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：在MIM隧道结的氧化铝和金层中加一层LB薄膜后,发现结的稳定性和其它一些物理性质比以前的普通结有所改善,本文讨论了变色现象,I—V特性曲线,并且展示了一些扫描电镜照片,从这些照片中我们可以粗略估计粗糙度.
17.智能功率集成电路的发展动向
- 谢世健;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：本文概述智能功率集成电路的分类和应用以及涉及到SPIC发展动向中的隔离技术等,并介绍了SPIC中的过流,过热和栅充电泵驱动电路等基本关键技术.
18.薄膜电致发光显示的进展与薄膜技术面临的挑战
- 陈国平;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：直到目前为止,传统的或占主导地位的显示器件是阴板射线管(CRT),包括各种显象管、示波管等.但是进入八十年代以来,由于便携式个人计算机、电视、军用和医用电子装置,办公室自动化设备等对平板显示器件需求急剧增长的刺激,极大地促进了各类平板显示器件的发展.以日本为例,1989年包括阴板射线管(CRT)在内的各类显示器件的产值约为8000亿日元,扣除其中CRT的产值4600亿日元,则其它显示器件—主要是各类平板显示器件的产值应为3400亿日元,占全部显示器件产值的42.5%.
19.用于传感器执行器及微结构制备中的硅熔键合
- BarthPW;黄如;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：硅熔键合(SFB)是指不用中间粘合剂而将两硅片直接连结起来.该技术已应用于制备SOI衬底及硅功率器件,并也在硅传感器、执行器及其他微结构制备中得到广泛应用.本文回顾了SFB工艺技术的发展及目前的状况,阐述了以本世纪六十年代初期至今该技术的历史发展过程,讨论了将SFB技术与硅微机械加工相结合所必要的工艺技术,介绍了一些成功的SFB结构.同时比较了这些工艺技术,讨论了SFB结构的未来发展趋势.
20.采用LDMOS的HVIC的研究
- 唐国洪;陈德英;
- 《电子器件》 | 1991年第3期
摘要：LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点。
- MOS器件;
- 功率器件;
- HVIC;
- LDMOS;
21.频分多路光纤传输系统的设计考虑
- 张明德;
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：本文详细讨论了频分多路模拟光纤传输系统中的调制方式、光源噪声及非线性特性、接收机前端等对系统性能的影响及设计考虑.
22.的室温工作的红外光探测器
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：非选择性的热探测器大多在室温下工作,并能在从X射线到微波极宽的电磁波谱范围内使用.非致冷的热探测器重量轻、牢固、可靠、使用方便.但是它们的探测率比较低.
- 红外探测器;
- 常温;
23.彩色显象管的现状和展望
- 童林夙;
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：1986年以前,美、日、荷三国为主进行着瓜分世界彩色市场的竞争.这场竞争是很激烈的,包括了政治、经济和技术各方面.最后,日本占了上风.近年来由于法国和南韩的彩电工业异军突起,因此形成以日本为主,荷、法和南韩各占一部分市场的局面.
24.低温微电子器件,电路和系统
- 郑茫;魏同立;
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：本文概述了低温微电子学的研究与发展状况.低温将为微电子器件、电路和系统提供优化的工作环境,并极大地提高了器件、电路和系统的性能.高温超导薄膜技术的进展导致了超导/半导兼容电子学的勃起.可以相信,低温微电子器件、电路和系统以其具有的高速低功耗高可靠的特性,为GSIIC、超级计算机、空间和天文电子学、红外探测器等的发展所必需.
25.用微电子测试结构研究超薄栅介质的可靠性
- 张安康;
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：本文介绍了几种新颖的微电子测试结构及其应用,诸如栅氧化物可靠性评估、薄介质层击穿以及预示MOS绝缘层的边缘效应.同时讨论了超薄栅介质层的可靠性.
26.波导调制器的半波电压的测量
- 庞叔鸣;唐伟;
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：本文提出了测定波导调制器半波电压的准双光路方法,讨论了这种方法的原理,装置和实验结果.
27.新的高性能硅锗异质器件结构
- 黄金彪;冯耀兰;
- 《电子器件》 | 1991年第4期
摘要：本文介绍硅锗技术在提高器件和电路性能方面的新发展,包括用于提高器件速度和低温下应用的硅锗异质结双极晶体管(HBT),以及用于提高PMOS管空穴迁移率的硅锗异质结构.
28.PAL可编程阵列罗辑电路技术
- 叶晋达;叶华;
- 《电子器件》 | 1990年第1期
摘要：电子器件,特别是大规模集成电路技术的不断提高,已对应用逻辑电路设计产生了重大的影响,推动了当今微机技术的迅速发展,本文介绍最新出现的可编程阵列逻辑PAL(Progrmmahle Array logit)器件的基本原理,特点和应用方法.
- PAL;
- 可编程;
- 逻辑电路;
- 阵列;
29.监测麻醉剂的微气体传感器
- WU.QH;汪怀峰;
- 《电子器件》 | 1990年第1期
摘要：制作了硅衬底SnO_2薄膜气体传感器用于监测麻醉剂,如forane,安氟醚,氟烷和乙醚.这些都是医院手术室常用的.SnO_2敏感膜通过旋涂溶于二甲笨中的Sn(Ⅱ)—二乙酸乙酯然后热处理来沉积在硅上.硅膜上有一个扩散电阻加热器和一个用作温度敏感和控制的P—
30.正电子湮没技术（PAT）的开发与应用（二）：进口正电子湮没寿命谱仪的...
- 朱育群;万金玉;
- 《电子器件》 | 1990年第1期
摘要：扼要介绍了进口正电子湮没寿命谱仪的改造,以及谱仪的时间刻度、时间分辨率、计数率等指标的测定.

电子器件的期刊信息

曾用名：
创刊时间：1978
地区：CN
语言：中文
热门主题：东南大学
学科分类：无线电电子学、电信技术;

Engineering: Electrical and Electronic Engineering;

电子器件的获奖情况

• 2011-2012年获中国科技论文在线优秀期刊一等奖; 2012年第四届中国高校特色科技期刊奖; 2012年获中国权威学术核心期刊

电子器件的收录情况

• 北大核心期刊（2011版）
• 北大核心期刊（2014版）
• 北大核心期刊（2017版）
• 化学文摘（网络版）
• 文摘与引文数据库
• 中国科技核心期刊

电子器件的投稿信息

投稿方式：在线投稿
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通讯地址：南京市四牌楼2号
邮编：210096
联系电话：025-83794925
邮箱：dzcg-bjb@seu.edu.cn
期刊栏目：薄膜与光电；固体电子电路技术；电脑及其他电子技术

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