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等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件

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摘要

本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10

1. 等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件 [P] . 中国专利： CN104269441B . 2017.05.10
2. 等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件 [P] . 中国专利： CN204179089U . 2015.02.25
3. SOI device structures with doped regions providing charge sinking [P] . 美国专利： US10593754B2 . 2020-03-17

机译：具有掺杂区的SOI器件结构可提供电荷吸收
4. NOVEL EPI SEMICONDUCTOR MATERIAL STRUCTURES IN SOURCE/DRAIN REGIONS OF A TRANSISTOR DEVICE FORMED ON AN SOI SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2020135895A1 . 2020-04-30

机译： SOI基体上晶体管器件源/漏区中的新型EPI半导体材料结构
5. Semiconductor device using SOI structure having a triple-well region [P] . 美国专利： US7259428B2 . 2007-08-21

机译：使用具有三阱区的SOI结构的半导体器件