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王立新; 陆江; 蔡小五; 刘刚; 韩郑生; 夏洋;
中国电子学会;
双扩散场效应晶体管; 抗总剂量; 辐照性能; 结构设计;
机译:γ辐照对功率vdmos晶体管电学特性的影响
机译:γ辐照功率VDMOS晶体管的电特性分析模型
机译:用于P-VDMOS的总剂量辐照硬化的新型端子结构
机译:双极/ CMOS / DMOS技术中功率VDMOS晶体管功率VDMOS晶体管的可靠性过程和设备模拟
机译:现代双极晶体管的总剂量增益下降。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:辐射应力影响对P沟道功率VDMOS晶体管阈值电压影响的建模与PSPICE模拟
机译:抗辐射双极高压功率晶体管。
机译:隔离式,高性能,功率vdmos晶体管和高压p沟道mos晶体管与cmos,npn,pnp晶体管和低泄漏二极管的单片集成
机译:用于自动对准的VDMOS晶体管制造的方法,以及自动对准的VDMOS晶体管
机译:VDMOS晶体管的自动对准制造方法以及自动对准的VDMOS晶体管
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