首页> 中国专利> 一种具有抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法

一种具有抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法

页面导航

摘要

本发明提供了一种具有抗总剂量辐照VDMOS器件及其制作方法，包括复合栅氧化层、多晶硅栅电极和N‑外延层；复合栅氧化层包括二氧化硅层和氮化硅层，复合栅氧化层位于N‑外延层和多晶硅栅极之间；本发明提供具有双层复合栅氧结构的一种抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法。

公开/公告号CN109950306A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人浙江航芯源集成电路科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201910256413.9
发明设计人高群;陈华;莫炯炯;
展开▼

申请日2019-04-01
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人董世博
地址 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢603室
入库时间 2024-02-19 11:50:47

1. 一种具有抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法 [P] . 中国专利： CN109950306B . 2020-12-11
2. 一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件 [P] . 中国专利： CN106783947A . 2017-05-31
3. OPTICALLY STIMULATED LUMINESCENCE RADIATION DOSIMETRY METHOD TO DETERMINE INTEGRATED DOSES AND DOSE RATES AND A METHOD TO EXTEND THE UPPER LIMIT OF MEASURABLE ABSORBED RADIATION DOSES DURING IRRADIATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2004106984A3 . 2005-07-14

机译：确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
4. OPTICALLY STIMULATED LUMINESCENCE RADIATION DOSIMETRY METHOD TO DETERMINE INTEGRATED DOSES AND DOSE RATES AND A METHOD TO EXTEND THE UPPER LIMIT OF MEASURABLE ABSORBED RADIATION DOSES DURING IRRADIATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2004106984A2 . 2004-12-09

机译：确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
5. Optically stimulated luminescence radiation dosimetry method to determine integrated doses and dose rates and a method to extend the upper limit of measurable absorbed radiation doses during irradiation [P] . 美国专利： US2004262538A1 . 2004-12-30

机译：确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量法和一种扩大辐照期间可测量吸收辐射剂量上限的方法