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IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits
IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits
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1.
Implementation of a Numerical Method for Quantum Drift-Diffusion Equations
机译:
量子漂移扩散方程数值方法的实现
作者:
M. B. Farahbakhsh
;
S. E. Hosseini
;
H. Taghizadeh
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Drift-diffusion model;
Quantum effects;
Simulation;
Numerical methods;
2.
Fabrication of High Compressive Stress Silicon Nitride Membrane in Strained Silicon Technology
机译:
高压应力氮化硅膜在应变硅技术中的制造
作者:
Bin Shu
;
Heming Zhang
;
Rongxi Xuan
;
Xianying Dai
;
Huiyong Hu
;
Jianjun Song
;
Liang Liang
;
Jianan Cui
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Silicon nitride;
Compressive stress;
Strained Si;
3.
Thickness determination of 4H-SiC Epitaxial Films by Infrared Reflectance
机译:
红外反射率厚度测定4H-SIC外延薄膜
作者:
Xiaoyan Tang
;
Yuming Zhang
;
Zhiyun Li
;
Yimen Zhang
;
Haijiao Yao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
Infrared reflectance;
Refractive index;
4.
Effect of High Temperature AlN Interlayer on the Performance of AlGaN/GaN Properties
机译:
高温Aln中间层对AlGaN / GaN性能性能的影响
作者:
Junshuai Xue
;
Yue Hao
;
Jincheng Zhang
;
Jinyu NI
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
AlGaN/GaN heterostructure;
High temperature AlN interlayer (HT-AlN interlayer);
Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD);
5.
The influence of interface states on the current gain of 4H-SiC bipolar transistors
机译:
接口状态对4H-SiC双极晶体管电流增益的影响
作者:
Hongliang Lu
;
Yimen Zhang
;
Yuming Zhang
;
Ming Sun
;
Qian Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
Bipolar transistor;
Interface states;
Current gain;
6.
Single-inductor Dual-output DC/DC Buck converter With High full-load Efficiency
机译:
单电感器双输出DC / DC降压转换器具有高满负载效率
作者:
Junjie Qian
;
Zhibiao Shao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
7.
Switched-Capacitor Based RF Mixer
机译:
基于开关电容的RF混音器
作者:
Alejandro de la Plaza
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
8.
HfO_2 Inter-Poly Dielectric Characteristics with Interface Fluorine Passivation
机译:
HFO_2与界面氟钝化的多电介质特性
作者:
Yung-Yu Chen
;
Chih-Ren Hsieh
;
Kwung-Wen Lu
;
Jen-Chung Lou
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Flash memory;
Fluorine;
HfO_2;
9.
Microwave power of S-Band 20mm SiC MESFETs
机译:
S频段的微波功率20mm SiC MESFET
作者:
CHEN Gang
;
CHEN Zheng
;
BAI Song
;
WU Peng
;
LI ZheYang
;
FENG Zhong
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
10.
Reliability Improvement of HfO_2/SiON Gate Stacked nMOSFET using Fluorinated Silicate Glass Passivation Layer
机译:
使用氟化硅酸盐玻璃钝化层的HFO_2 / SION栅极堆叠NMOSFET的可靠性改进
作者:
Chih-Ren Hsieh
;
Yung-Yu Chen
;
Jer-Fu Chung
;
Jen-Chung Lou
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Fluorine;
FSG;
HfO_2;
11.
Defects Detecting Method of Copper Interconnects Based on Signal Reflection Theory
机译:
基于信号反射理论的铜互连检测方法缺陷
作者:
Wen Zhou
;
Hongxia Liu
;
Jianjun Wei
;
Qianwei Kuang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Defect detecting method;
Loss object defects;
Signal reflection;
Copper interconnections;
12.
Design and Optimization of Junction Termination Technology for 4H-SiC BJTs
机译:
4H-SIC BJTS结合终端技术的设计与优化
作者:
Qian Zhang
;
Yuming Zhang
;
Yimen Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
BJTs;
Junction Termination Extension (JTE);
Breakdown;
Simulation;
13.
Compact UWB Bandpass Filter Using Microstrip and Coplanar Waveguide Back-to-Back Coupled Structure
机译:
紧凑型UWB带通滤波器使用微带和共面波导背靠背耦合结构
作者:
Huizhen Qian
;
Xun Luo
;
Xiangyu Song
;
Wan Luo
;
Jian-Guo Ma
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Back-to-back coupled;
Bandpass filter (BPF);
Coplanar waveguide (CPW);
Multiple-mode resonator (MMR);
Periodic serration resonator (PSR);
Ultra-wideband (UWB);
14.
Study on Hole Effective Mass of Strained Si_(1-x)Ge_x/(101)Si
机译:
研究孔有效质量的应变Si_(1-x)Ge_x /(101)Si
作者:
JianJun Song
;
HeMing Zhang
;
HuiYong Hu
;
RongXi Xuan
;
XianYing Dai
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Strained Si_(1-x)Ge_x;
Hole effective mass;
PMOS;
15.
Cover page
机译:
封面
作者:
(missing)
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
16.
Copyright page
机译:
版权页面
作者:
(missing)
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
17.
Title page
机译:
封面
作者:
(missing)
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
18.
Table of contents
机译:
目录
作者:
(missing)
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
19.
Bipolar switching analysis and negative resistance phenomenon in TiO
x
-based devices
机译:
TiO
X的双极切换分析和负电阻现象
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
TiOlt;
infgt;
xlt;
/infgt;
asymmetric electron trap;
negative resistance;
space-charge-limited conduction (SCLC);
20.
Modeling of current gain versus recombination in double base epilayer 4H-SiC BJTs
机译:
双底末端4H-SiC BJTS中电流增益与重组的建模
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
4H-SiC;
Bipolar Junction Transistors(BJTs);
carrier recombination;
current gain;
21.
Frequency multiplier design using BiCMOS-based multiple-peak NDR circuit
机译:
基于BICMOS的多峰值NDR电路的倍频器设计
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
BiCMOS technique;
frequency multiplier;
negative differential resistance circuit;
22.
The time-domain calculation for the interaction section of helix TWT
机译:
Helix TWT交互部分的时域计算
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
beam-wave interaction;
particle-in-cell;
phase length;
time-domain;
23.
A time-to-digital converter using a multi-phase voltage-controlled oscillator
机译:
一种使用多相电压控制振荡器的时间到数字转换器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
multi-phase structure;
time-to-digital converter (TDC);
voltage-controlled oscillator (VCO);
24.
A high breakdown voltage and low switching loss GaN schottky diode using CHF
3
plasma treatment
机译:
高击穿电压和低开关损耗GaN肖特基二极管使用CHF
3 INF>等离子处理
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
25.
Electrostatic discharge (ESD): A spoiler to development of next-generation technologies?
机译:
静电放电(ESD):剧透到下一代技术的发展?
作者:
Liou Juin J.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
26.
Design of high directivity Microstrip Coupler with single slot on coupled edges for GSM dual band
机译:
GSM双频段耦合边耦合边缘高方向性微带耦合器的设计
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Microstrip;
directional coupler;
frequency;
27.
An adaptive edge enhancement algorithm and hardware implementation
机译:
自适应边缘增强算法和硬件实现
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
adaptive filter;
edge enhancement;
hardware implementation;
noise reduction;
parallelism;
28.
Effect of single HALO doped channel in Tunnel FETs: A 2-D modeling study
机译:
单晕掺杂通道在隧道FET中的影响:A 2-D造型研究
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Depletion Width;
Halo Doping;
Surface Potential;
Tunnel FETs;
Tunneling Junction;
29.
A 0.5V amplifier with adaptive CMFB compensation for a 2-1 cascade CT Delta Sigma modulator
机译:
一个0.5V放大器,适用于2-1级联CT Delta Sigma调制器的自适应CMFB补偿
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
30.
A low noise charge sensitive amplifier with adjustable leakage compensation in 0.18#x00B5;m CMOS process
机译:
低噪声充电敏感放大器,可调节泄漏补偿0.18μmCMOS工艺
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
charge sensitive amplifier;
gate leakage;
particle detection;
reset configuration;
31.
Electrode effects on the breakdown characteristics of high-k HfO
2
metal-insulator-metal capacitors
机译:
电极效应高K HFO
2 INM>金属绝缘体 - 金属电容器的击穿特性
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
32.
Extraction of gate oxide quality and its correlation to the electrical parameters of MOS devices
机译:
栅极氧化物质量的提取及其与MOS装置电参数的相关性
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
33.
RESET modeling of PCM using thermal budget approach
机译:
使用热预算方法重置PCM的建模
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
SPICE Model;
nonvolatile memory (NVM);
phase change memory (PCM);
34.
An access-transistor-free resistive random access memory (RRAM) using a GST/TiO
2
stack and its novel access mechanism
机译:
使用GST / TiO
2 INF>堆叠及其新型接入机制的无需电阻电阻随机存取存储器(RRAM)
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
GST;
GeSbTe;
RRAM;
TiOlt;
infgt;
2lt;
/infgt;
bipolar;
cross-point;
resistive;
stack;
switching;
transistor-free;
35.
3-stage 15 GHz p-HEMT power amplifier design for MMIC applications
机译:
3级15 GHz P-HEMT功率放大器设计用于MMIC应用
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Cascade;
GaAs p-HEMT;
Ku-band;
MMIC;
power added efficiency;
power amplifiers;
36.
A CMOS inverter-based class-AB pseudo differential amplifier for HF applications
机译:
用于HF应用的CMOS逆变器类AB伪差分放大器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
CMOS inverter;
class-AB;
common-mode feedback;
pseudo-differential amplifier;
37.
A new integrated low-power BPSK demodulator for wireless implantable neural recording system
机译:
用于无线可植入神经记录系统的新集成低功耗BPSK解调器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
BPSK;
Low-power;
Reliability;
Small-volume;
38.
A wideband Colpitts VCO with 30 continuous frequency tuning range using a tunable phase shifter
机译:
宽带Colpitts VCO,使用可调谐相移器的连续频率调谐范围为30%
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Colpitts oscillator;
VCO;
Wideband;
tunable phase shifter;
39.
New CMOS inverter-based voltage multipliers
机译:
新的CMOS逆变器电压倍增器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
40.
Field-plate technique for high power compound semiconductor devices applications
机译:
高功率化合物半导体器件应用的现场板技术
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
GaAs;
field-plate;
flicker noise;
linearity;
pHEMT;
power;
41.
A low-voltage charge pump with wide current driving capability
机译:
具有宽电流驱动能力的低压电荷泵
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
42.
RDF effect induced by source/drain doping in nano-scale UTB SOI MOSFET with nominally un-doped channel
机译:
纳米级UTB SOI MOSFET中源/排水掺杂引起的RDF效应,具有名义上未掺杂通道
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Random Dopant Fluctuation (RDF);
Source/Drain Doping;
UTB SOI;
Vt Variation;
43.
The impact of device parameter variation on double gate tunneling FET and double gate MOSFET
机译:
双栅极隧道FET和双栅MOSFET对设备参数变化的影响
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Tunneling FET;
band to band tunneling;
double gate (DG);
variation;
44.
CMOS precision full-wave rectifier using current conveyor
机译:
CMOS精密全波整流器使用电流输送机
作者:
Kumngern Montree
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
CCII;
CMOS;
current-mode;
precision rectifier;
45.
The variations of osillation freqeuncy according to the oscillation amplitudes in DCO
机译:
根据DCO振荡振幅的振荡频率的变化
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
DCO;
PLL;
VCO;
component;
digital RF;
switching circuit;
varactor;
46.
Joint-PDF of timing and power of nano-scaled CMOS digital gates due to channel length variation
机译:
由于信道长度变化,纳米CMOS数字门的时序和功率的相位和功率的关节PDF
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Joint PDF;
Parametric Yield;
Process Variation;
Subthreshold Leakage;
Timing Model;
Yield Estimation;
47.
Analysis on panel power consumption of mobile TFT-LCDs based on line inversion driving
机译:
基于线路反演驱动的移动TFT-LCDS面板功耗分析
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
TFT-LCD;
charge-recycling;
line inversion;
panel power consumption;
stepwise data driving;
48.
Submicron MILC TFT performance enhancement by crystallization after patterning
机译:
亚微米MILC TFT性能通过结晶后提高了图案化后的结晶
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
MILC;
system on panel;
thin film transistor;
49.
A low power all-digital PLL with power optimized digitally controlled oscillator
机译:
具有功率优化的数字控制振荡器的低功耗All-Digital PLL
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
50.
Improved efficiency of organic photovoltaic MEH-PPV/PCBM device with CuPc-doping
机译:
用CUPC掺杂提高有机光伏MEH-PPV / PCBM装置的效率
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
CuPc-doping;
MEH-PPV/PCBM;
organic photovoltaic;
51.
Two-dimensional quantum mechanical simulation of gate leakage current of nanoscale MOSFETs
机译:
纳米MOSFET栅极漏电流二维量子力学模拟
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
contact block reduction (CBR) method;
double-gate (DG) MOSFETs;
gate current;
two-dimensional model;
52.
Slew-rate enhancement circuit of CMOS current-mirror amplifier by edge-detecting technique
机译:
边缘检测技术CMOS电流镜放大器的重速增强电路
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Analog integrated circuit;
current-mirror amplifier;
slew rate (SR);
slew-rate enhancement (SRE) circuit;
53.
Design and optimization of a novel SOI LDMOS structure using PIN junction
机译:
用PIN交界处的新型SOI LDMOS结构的设计与优化
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
LDMOS;
PIN junction;
breakdown voltage;
on-state voltage drop;
54.
Characteristics of subband current ratio in double-gate MOSFET
机译:
双栅极MOSFET子带电流比的特征
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
M;
NEGF;
double-gate;
subband current ratio;
55.
A single-PLL UWB frequency synthesizer using current reusing SSB mixer
机译:
使用电流重用SSB混音器的单PLL UWB频率合成器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Frequency Synthesizer;
Phase-lock-loop(PLL);
ultra-wideband(UWB);
56.
A clock and data recovery circuit for 3.125Gb/s RapidIO SerDes
机译:
用于3.125GB / S Rapidio Serdes的时钟和数据恢复电路
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
clock and data recovery;
low power;
phase detector;
phase interpolator;
57.
Design for improved NBTI reliability of CMOS digital IC
机译:
改进CMOS数字IC的NBTI可靠性设计
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Circuit delay;
Design for Reliability;
NBTI;
58.
A simple physically based model of temperature effect on drain current for nanoscale TFET
机译:
纳米级TFET的漏极电流温度效应的简单物理基于物理效应模型
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Band to band tunneling;
Kane's model;
double gate;
temperature dependancy;
tunnel field effect transistor;
59.
A end-point prediction scheme with constant amplitude ramp signal suitable for high voltage applications
机译:
具有适用于高压应用的恒压斜坡信号的终点预测方案
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
PWM controller;
buck converter;
constant ramp;
end-point prediction;
high voltage;
reference tracking;
sub-optimum;
60.
Multilayer asymmetrical compact microstrip resonator cell band-pass filter using LTCC technology
机译:
多层不对称紧凑型微带谐振器电池频带过滤器使用LTCC技术
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Low Temperature co-fired ceramics (LTCC);
Microstrip band-pass filter(BPF);
asymmetrical compact microstrip resonator cell (ACMRC);
61.
A study on hydrogen adsorption of Metal-Insulator-Silicon sensor with La
2
O
3
as gate insulator
机译:
La
2 INF> O
3 INF>作为栅极绝缘子的金属 - 绝缘子 - 硅传感器氢吸收研究
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Schottky diode;
hydrogen sensor;
silicon;
62.
2.4 GHz GaAs PHEMT medium power amplifier for wireless LAN applications
机译:
2.4 GHz GAAS PHEMT用于无线LAN应用的中型功率放大器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
2.4 GHz;
GaAs PHEMT;
medium power amplifier;
wireless LAN applications;
63.
Varying sputtering ambient and annealing gas to optimize the electrical properties of MOS capacitor with HfLaO gate dielectric
机译:
不同的溅射环境和退火气体,用Hflao栅极电介质优化MOS电容器的电性能
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
HfLaO film;
gate leakage;
interface-state density;
permittivity;
64.
Design and analysis of low-voltage silicon-controlled rectifier ESD protection circuit
机译:
低压硅控制整流器ESD保护电路的设计与分析
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Adjustable triggering;
Dual-polarity;
ESD protection;
RF;
SCR;
65.
Progress on distributed resistance model for pHEMT
机译:
PHEMT分布式电阻模型的进展
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
GaAs pHEMT;
current crowding;
distributed resistance;
gate resistance;
66.
Low gain-error instrumentation amplifier for current sensing
机译:
用于电流检测的低增益误差仪表放大器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
current sensor;
gain error;
instrumentation amplifier;
67.
Low-power high-speed multiplier for error-tolerant application
机译:
低功耗高速乘法器,适用于耐堵塞应用
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
CMOS technology;
Multiplier;
error-tolerant;
high speed integrated circuits;
low power;
truncated;
68.
A magnetically shielded instrument for magnetoresistance and noise characterizations of magnetic tunnel junction sensors
机译:
用于磁隧道结传感器的磁阻和噪声特性的磁屏蔽仪器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
1/f noise;
mangetic tunnel junction (MTJ);
measurement setup;
tunneling magnetoresistance (TMR);
69.
WZ-GaN based Quasi-Read ATT diode: A novel high-power THz device with reduced parasitic resistance
机译:
基于WZ-GaN的准读取att二极管:一种具有降低寄生电阻的高功率THz装置
作者:
Mukherjee Moumita
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
High-power device;
IMPATT-oscillator;
Parasitic resistance;
Quasi-Read type doping;
THz-source;
70.
A 4.5-GHz 256#x223C;511 multi-modulus frequency divider based on phase switching technique for frequency synthesizers
机译:
基于频率合成器相位开关技术的4.5GHz 256〜511多模量分频器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
amp;
#x2154;
Cell;
BiCMOS;
Current Mode Logic;
Frequency Divider;
Frequency Synthesizers;
Multi-Modulus;
Phase Switching;
Prescaler;
Wireless Transceivers;
71.
Improved performance of low-voltage pentacene OTFTs by Incorporating La to Hafinium Oxide Gate dielectric
机译:
通过将La掺入Hafinium氧化物栅极电介质来提高低压五苯otfts的性能
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
HfLaO;
HfOlt;
infgt;
2lt;
/infgt;
OTFT;
dielectric;
high k;
72.
A large-signal model for GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
GAINP / GAAS异质结双极晶体管的大信号模型
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
GaInP/GaAs;
HBT;
large signal model;
73.
Analytical subthreshold channel potential model of asymmetric gate underlap gate-all-around MOSFET
机译:
分析亚阈值通道电位模型 - 全面MOSFET
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
asymmetric;
gate-all-around;
misalinment;
underlap;
74.
Statistical analysis for the oscillation frequency of a ring oscillator
机译:
环形振荡器振荡频率的统计分析
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Monte-Carlo Method;
Process Variation;
Ring Oscillator;
Statistical Analysis;
75.
Design of low power ASK CMOS demodulator circuit for RFID tag: Design of All-MOSFET low power ASK demodulator
机译:
用于RFID标签的低功耗CMOS解调器电路的设计:全部MOSFET低功率询问解调器设计
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
ASK CMOS demodulator;
ASK demodulation;
ASK demodulator;
RFID tag;
envelope detector;
76.
Design of complementary GAA-NW tunneling-FETs of axial Si-Ge heterostructure
机译:
轴向葛异质结构互补GaA-NW隧道型设计的设计
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
axial heterojunction;
gate-underlap;
inverter;
nanowire;
tunneling-FET;
77.
Electrical characterization of self-aligned titanium silicide SBDs formed by furnace annealing
机译:
通过炉退火形成自对准钛硅化物SBD的电学特性
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Arrhenius plot;
Furnace Annealing;
Schottky Barrier Height;
Titanium Silicide;
78.
Miniaturized microwave bandpass filter based on modified hairpin topology
机译:
基于修改的发夹拓扑的小型化微波带通滤波器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
compact size;
groove;
hairpin filter;
harmonic suppression;
phase velocity;
79.
A dual band CMOS receiver with hybrid down conversion mixer for IEEE 802.11a/b/g/n WLAN applications
机译:
具有用于IEEE 802.11A / B / G / N WLAN应用的双频CMOS接收器,具有混合式转换混频器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
802.11a/b/g/n;
DC offset cancellation;
Hybrid mixer;
OFDM;
Sharing;
WLAN;
direct-conversion;
double-conversion;
dual band;
low power;
80.
GaN schottky barrier MOSFET using indium-tin-oxide as source, drain and gate material
机译:
GaN肖特基屏障MOSFET使用铟锡氧化物作为源极,排水管和浇口材料
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
GaN;
ITO;
MOSFETs;
normally-off;
schottky barrier;
silicon substrate;
81.
Output-capacitor-free adaptively biased low-dropout regulators
机译:
输出电容器自适应性偏置的低压丢失调节器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
82.
Analysis of LDMOS-SCR ESD protection device for 60V SOI BCD technology
机译:
60V SOI BCD技术LDMOS-SCR ESD保护装置分析
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
LDMOS-SCR;
SOI BCD Technology;
triggering-voltage;
83.
A sub-1V voltage-mode DC-DC buck converter using PWM control technique
机译:
使用PWM控制技术的Sub-1V电压模式DC-DC降压转换器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
84.
Unveiling switching mechanisms in RRAMs
机译:
揭示RRAM中的开关机制
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
85.
A 3.0–5.0 GHz high linearity and low power CMOS up-conversion mixer for UWB applications
机译:
用于UWB应用的3.0-5.0 GHz高线性和低功耗CMOS上转换混频器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
conversion gain;
high linearity;
low-power;
mixer;
up-conversion;
86.
Electrical properties of HfTiO gate-dielectric metal oxide semiconductor capacitors with NO and N
2
O surface nitridations
机译:
HFTIO栅极 - 介电金属氧化物半导体电容器的电性能,NO和N
2 INF> O表面氮化
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
HfTiO;
MOS;
SiON;
Surface Nitridation;
87.
Ground plane SOI MOSFET based SRAM with consideration of process variation
机译:
基于地面平面SOI MOSFET基于SRAM考虑过程变化
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET;
ground plane (GP);
process variations;
static random access memory (SRAM) cell;
88.
A fast-transient LDO based on buffered flipped voltage follower
机译:
基于缓冲翻转电压跟随器的快速瞬态LDO
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Flipped voltage follower;
low dropout regulator and power management;
89.
A CAD tool for design and analysis of CNFET circuits
机译:
用于CNFET电路的设计和分析的CAD工具
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
90.
Design of a 24GHz wide tuning-range VCO with optimized switches in resonator
机译:
设计24GHz宽调谐范围VCO,具有优化开关在谐振器中
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
91.
Advanced multi-high-operation-voltage I/O device design for 32nm gate-first HiK MG technology
机译:
高级多高效 - 电压I / O设备设计32nm门 - 首先HIK MG技术
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
HCI;
HiK Metal Gate;
I/O;
Junction Engineering;
Reliability;
TDDB;
92.
Investigating a novel CMOS ring oscillator with LC-feedbacks
机译:
调查具有LC反馈的新型CMOS环形振荡器
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
CMOS;
LC parallel circuit;
nonlinearity;
phase noise;
ring oscillator;
93.
Total ionizing dose effects on 4-transistor CMOS image sensor pixels
机译:
4晶体管CMOS图像传感器像素的总电离剂量效应
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
4T CMOS Image Sensor;
STI;
X-Rays irradiation;
dark random noise;
dark signal;
interface trap;
pinned photodiode;
94.
A subthreshold SRAM cell tolerant to random dopant fluctuations
机译:
亚阈值SRAM细胞容忍随机掺杂剂波动
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
95.
A serial physical layer design in RapidIO
机译:
Rapidio的串行物理层设计
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
RapidIO;
SRIO;
error detection and recovery;
flow control;
physical layer;
96.
Body bias effect of GaN schottky barrier MOSFET with ITO source/drain
机译:
用ITO源/排水的GaN肖特基屏障MOSFET的身体偏置效应
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Body bias;
Gallium nitride (GaN);
Indium-tin-oxide (ITO);
MOSFET;
Schottky barrier (SB);
97.
Electrical characteristics of Al-doped ZnO-channel thin-film transistor with high-#x03BA; HfON/SiO
2
stack gate dielectric
机译:
具有高κHFON / SIO
2 INF>堆栅电介质的Al掺杂Zno沟道薄膜晶体管的电气特性
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
Al-doped ZnO;
HfON;
saturation mobility;
thin-film transistors;
98.
Feedthrough cancellation in micromechanical square resonators via differential transduction
机译:
通过差分转导在微机械方形谐振器中取消馈通
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
MEMS;
differential configuration;
feedthrough cancellation;
resonator;
99.
Soft-start circuit with duty ratio controlled voltage clamping and adaptive sizing technique for integrated DC-DC converters
机译:
具有占空比控制电压钳制和集成DC-DC转换器的自适应尺寸技术的软启动电路
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
100.
Fast locking PLL with all-digital locked-aid circuit
机译:
快速锁定PLL与全数字锁定电路
作者:
{missing}
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2010年
关键词:
PLL;
dual slop;
fast acquisition;
fast lock;
locked-aid;
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