硅片类型和晶向对抛光去除速率的影响研究

摘要

通过对不同晶向、不同型号、不同电阻率的硅抛光片的去除速率做实验，发现去除速率随着晶向、型号、电阻率的不同而存在较大差异，在其它条件相同的情况下，<100>晶向的硅片抛光速度大于<111>硅片的抛光速率，而p型硅片的抛光速率小于n型硅片的抛光速率，电阻率低的抛光速率小于电阻率高的抛光速率，特别是p型重掺片抛光速率明显低于n型硅片。