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Chemical mechanical polishing 11
Chemical mechanical polishing 11
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1.
The TDDB Study of Post-CMF Cleaning Effect for L40 Direct Polished Porous Low K Dielectrics Cu Interconnect
机译:
TDDB对L40直接抛光的多孔低K电介质Cu互连件的CMF后清洗效果的研究
作者:
C. L. Hsu
;
W. C. Lin
;
C. W. Hsu
;
J. C Lin
;
T. C. Tsai
;
C. C. Huang
;
J. Y. Wu
;
D. C. Perng
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
2.
Effect of Inhibiter Concentration on Cu CMP Slurry Analyzed by a Cu-ECMP System
机译:
Cu-ECMP系统分析抑制剂浓度对Cu CMP浆料的影响
作者:
Chao-Chang A. Chen
;
Chi-Hsiang Hsieh
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
3.
Surface Interaction of Barrier Slurry Formulation Additives during Post Chemical Mechanical Polishing (CMP)
机译:
化学机械抛光(CMP)过程中阻隔浆料配方添加剂的表面相互作用
作者:
J. Schlueter
;
R. M. Pearlstein
;
T. Shi
;
J. Henry
;
Robert J. Haney
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
4.
Development of a Production Worthy Non-selective Slurry W-CMP for Logic Applications at 28nm Technology Node and Beyond
机译:
在28纳米技术节点及以后的逻辑应用中开发值得生产的非选择性浆料W-CMP
作者:
Hsin-Kuo Hsu
;
Y. H. Hsieh
;
Y. M. Chen
;
W. C. Lin
;
T. C. Tsai
;
J. Y. Wu
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
5.
The L28 STI CMP Dummy Pattern Study on Topography for Advanced Fixed Abrasive and High Selective Slurry
机译:
用于高级固定磨料和高选择性浆料的地形图的L28 STI CMP虚拟模型研究
作者:
C. W. Hsu
;
P. C. Huang
;
J. C. Lin
;
C. H. Chen
;
Y. M. Chen
;
C. H. Lin
;
C. L. Hsu
;
T. C.Tsai
;
J.Y. Wu
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
6.
Effects of CMP Slurry Additives on the Rate of Agglomeration of Alumina Particles
机译:
CMP浆料添加剂对氧化铝颗粒团聚速率的影响
作者:
N. Brahma
;
J.B. Talbot
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
7.
Detectivity Avoidance in Chemical Mechanical Planarization: Role of Multi-Scale and Multi-Physics Interactions
机译:
避免化学机械平面化中的侦探性:多尺度和多物理相互作用的作用
作者:
Abhijit Chandra
;
Pavan K. Karra
;
Ashraf. F. Bastawros
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
8.
CMP Solutions for the Integration of High-K Metal Gate Technologies
机译:
高K金属栅极技术集成的CMP解决方案
作者:
J. M. Dysard
;
V. Brusic
;
P. Feeney
;
S. Grumbine
;
K. Moeggenborg
;
G. Whitener
;
W.J. Ward
;
G. Burns
;
K. Choi
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
9.
Breaking-In a Pad for Scratch-Free, Cu Chemical-Mechanical Polishing (CuCMP)
机译:
磨垫,实现无划痕的铜化学机械抛光(CuCMP)
作者:
T. Eusner
;
N. Saka
;
J.-H. Chun
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
10.
PVA Brush Technology for Next Generation Post-CMP Cleaning Applications
机译:
适用于下一代CMP后清洁应用的PVA刷技术
作者:
R. K. Singh
;
C. Patel
;
D. Trio
;
E. McNamara
;
C. R. Wargo
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
11.
Chemical Mechanical Planarization Technology for Si Wafer Bonding
机译:
硅晶圆键合的化学机械平面化技术
作者:
JongHeun Lim
;
BoUn Yoon
;
KyungHyun Kim
;
YoungSun Ko
;
ChangJin Kang
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
12.
Using CMP Model for 45nm/32nm BEOL Process and Design Evaluations
机译:
将CMP模型用于45nm / 32nm BEOL工艺和设计评估
作者:
Laertis Econotnikos
;
Jerry Bao
;
Kia S. Low
;
Wei-tsu Tseng
;
Gerald Matusiewicz
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
13.
Effects of CMP Pad Conditioner Properties and Performance on Polishing Pad, Process and Wafer Removal Rate
机译:
CMP抛光垫修整剂的性能和性能对抛光垫,工艺和硅片去除率的影响
作者:
Raghava Kakireddy
;
Andrew Galpin
;
Joseph Smith
;
David Slutz
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
14.
Measurement of Zeta Potential with a Rotating Disk
机译:
用转盘测量Zeta电位
作者:
P. J Sides
;
R. Rock
;
S. Shekhar
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
15.
Effect of CMP Pad and Slurry on STI and ILD Polishing
机译:
CMP抛光垫和浆料对STI和ILD抛光的影响
作者:
David P. Huang
;
S.V. Babu
;
Liangyong Wang
;
Tim Moser
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
16.
High Selectivity Slurries for STI CMP
机译:
STI CMP的高选择性浆料
作者:
S. Ramanathan
;
R. Manivannan
;
Vineeth Venunath
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
17.
New Materials and Novel Applications for CMP
机译:
CMP的新材料和新应用
作者:
R.L. Rhoades
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
18.
Advanced Rework Process Development for Cu-CMP at 28 nm Technology Node
机译:
在28 nm技术节点上进行Cu-CMP的高级返工工艺开发
作者:
J.-C. Lin
;
T.-C. Tsai
;
C.-L. Hsu
;
W.-C. Lin
;
C.-C. Huang
;
C.-H. Chen
;
J.-Y. Wu
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
19.
Investigating the compatibility of Ruthenium Barrier with Copper Interconnects
机译:
研究钌阻挡层与铜互连的兼容性
作者:
Dnyanesh Tamboli
;
J. Oriol Osso
;
Todd McEvoy
;
Lourdes F. Vega
;
Madhukar Rao
;
Gautam Banerjee
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
20.
High K Metal Gate Aluminum CMP Challenges and Solutions
机译:
高K金属栅极铝CMP的挑战和解决方案
作者:
Kun Xu
;
Yufei Chen
;
Hassan Iravani
;
Yuchun Wang
;
Bogdan Swedek
;
May Yu
;
You Wang
;
Wen-chiang Tu
;
Sherry Xia
;
Lakshmanan Karuppiah
会议名称:
《Chemical mechanical polishing 11》
|
2010年
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