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宋晓岚; 刘宏燕; 杨海平; 张晓伟; 徐大余; 邱冠周;
中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系;
化学机械抛光; 电化学方法; 单晶硅片; 纳米二氧化硅浆料; 抛光速率;
机译:磨料性质对化学机械抛光中掺氮的Ge_2sb_2te_5对Sio_2薄膜抛光速率选择性的影响
机译:碱性浆料中过氧化氢对化学机械抛光中多晶Ge2Sb2Te5薄膜抛光速率的影响
机译:用分子动力学模拟方法研究化学机械抛光过程中硅片材料去除机理
机译:SiO_2胶体浆料中计算机硬盘基板的化学机械抛光
机译:胶态二氧化硅化学机械抛光浆料中的剪切增稠。
机译:使用环保浆料对碲化汞镉半导体进行化学机械抛光的新方法
机译:非晶态Ge2Sb2Te5的化学机械抛光浆
机译:原子力显微镜图像光谱和尺度分析的介电化学机械抛光机理研究
机译:半导体晶片化学机械抛光中降低缺陷密度的方法和控制淤浆流动速率的方法
机译:用于化学机械抛光过程的淤浆组合物,使用淤浆组合物的化学机械抛光方法以及使用该方法形成门图案的方法
机译:当在晶片上抛光金属层时,特别是在化学机械抛光铜层时,使用化学机械抛光组合物可提高抛光速率和平整度,并使用相同的抛光方法
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