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人工晶体学报

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《人工晶体学报》（月刊）是国内唯一一本专门刊登人工晶体这一高新材料研究成果的学术类科技期刊。《人工晶体学报》主要报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等方面的基础理论、合成与生长、结构与性能表征、器件组装及合成装备制造等方面的研究进展与应用开发成果，同时介绍国内外相关方向的发展动态和学术交流活动等。
  • 发文量：10203
  • 被引量：18838
  • H指数：25
  • 开始收录时间：
  • CNKI综合因子：
  • 维普期刊影响因子： 0.56
  • 万方期刊影响因子：
  • 创刊时间：
  • 国内刊号/CN：11-2637/O7
    国际刊号/ISSN：1000-985X
  • 发行周期：月刊
    邮发代号：80-824
  • 主管单位：中材人工晶体研究院有限公司
    主办单位：中国建筑材料联合会
人工晶体学报-联系信息
  • 主编：祝世宁
  • 电话：010-65492963;65491290
  • 邮箱：
  • 地址：北京市朝阳区东坝红松园1号
  • 邮编：100018
人工晶体学报-获奖情况
  • 全国第二届优秀科技期刊奖（1997）
  • 中国期刊方阵“双高期刊”
  • “中国国际影响力优秀学术期刊”（2012）
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人工晶体学报 >2024年第10期
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共4384条结果
  • 摘要：采用稀盐酸对磁控溅射法制备的平面掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜表面进行湿法刻蚀制绒,分析了盐酸浓度和刻蚀时间对AZO薄膜表面的形貌特征和光电特性的影响。研究发现,湿法刻蚀导致AZO薄膜表面呈现大尺度的陨石坑形貌特征,随刻蚀时间增加,薄膜在大于500 nm的长波范围内光学透过率可维持在70%~75%,且800nm处雾度值可高达48%,陷光能力快速增加,而面电阻率呈现逐渐增加趋势。高的盐酸浓度可以导致薄膜表面呈现较快凹型形貌特征,并可给出较高的雾度值。为了在保持高雾度值的条件下改善薄膜导电性,在2%盐酸刻蚀30 s所制备绒面沉积300 nm AZO薄膜进行厚度补偿,所获得薄膜的表面方块电阻小于10Ω/sq,以其作为前电极所制成的单结薄膜电池转换效率达到9.24%。结果表明,采用酸性刻蚀+厚度补偿方法所制备的绒面AZO薄膜可兼顾高雾度和低电阻的性能要求,是用作硅基薄膜太阳电池前电极的理想材料。
  • 摘要：采用固相反应法制备了TiO2掺杂的ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响。结果表明:掺杂1.0mol%TiO2时综合电性能最好,压敏电压梯度为21.6 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为33;掺杂量大于1.0 mol%时,压敏电压梯度降低的同时也使非线性系数降低,漏电流密度增大;Cole-Cole形式的复阻抗谱图表明掺杂1.0 mol%TiO2的晶界电阻最大,晶界电阻对ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2系低压压敏陶瓷电阻的贡献最为明显。
  • 摘要：以冰晶和聚苯乙烯(PS)微球为模板,微米级SiC粉体为原料,通过双模板法制备了具有三级孔径分布的多孔SiC陶瓷。研究了SiC的固含量和PS微球的大小对多孔SiC陶瓷的微观形貌、孔隙率和压缩强度的影响。研究结果表明:分级孔结构的多孔SiC陶瓷具有冰模板升华后遗留下的对齐排列的大孔、分布于孔壁中的由PS微球热解留下的中孔和颗粒之间堆积形成的小孔。随着SiC固相含量的增加,大孔孔径和孔容降低,但压缩强度增加。当PS微球粒径约为0.90μm时,中孔孔径分布在0.7～1.5μm之间;当PS微球粒径约为2.51μm时,孔径分布较宽,约为1～3μm。
  • 摘要：以共沉淀法和水热法合成了Eu2Zr2O7纳米晶,在真空烧结条件下分别制备出Eu2Zr2O7陶瓷。用XRD和SEM测试手段对样品进行了表征,用Archimedes法获得样品的相对密度。分析了两种方法得到Eu2Zr2O7粉体的物相变化、合成条件、微观形貌及烧结致密化,结果表明:共沉淀法合成粉体粒径约80 nm,分散性较好,水热法合成粉体粒径约30 nm;经烧结前者样品的相对密度94.6%,烧结后为97%,提高了2.4%,且后者烧结温度比前者低100℃,可见水热法合成的粉体晶粒细小并活性较高对烧结致密化起到促进作用。
  • 摘要：采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明显的团聚现象。在对1200℃煅烧粉体的光谱检测中发现了266nm吸收宽峰,位于381nm的荧光发射峰,位于298nm处的荧光激发峰,与硅酸镥单晶相比,各峰位置有所偏移。
  • 摘要：测定PCNB在丙酮溶剂中的溶解度,采用恒温溶剂蒸发法首次在丙酮中成功生长出PCNB单晶。结果显示:302K以下温区具有较小的温度系数,适用于恒温蒸发法生长单晶;生长出了厘米尺寸的PCNB晶体;红外和拉曼光谱的测量结果说明所生长的晶体中未包裹溶剂;X射线衍射分析表明,所生长出晶体结构为六方晶系,单晶质量较好。
  • 摘要：中长波红外3～5μm、8～12μm波段激光在红外对抗、环境监测、医疗诊断等诸多领域均有重要应用。通过非线性频率变换技术是获得中长波红外激光的主要方式,红外非线性晶体是其中的核心部件。目前,3～5μm中波红外非线性晶体已基本满足激光的应用需求。随着近年来激光波长向长波红外的拓展,以及中/长波红外多波段融合技术的发展,迫切需要性能优异的长波红外非线性晶体。论文主要对目前已知8～12μm波段的长波红外非线性晶体进行梳理,并分别从晶体性能、制备技术以及激光应用等方面综述它们的研究进展,对比分析它们在长波红外波段的应用潜质以及存在的技术瓶颈,指出长波红外非线性晶体的重点研究方向。
  • 摘要：以离子液体氯化三甲基羟乙基铵为原料合成了一种有机模板硼酸盐[C4H12N][B5O6(OH)4],通过单晶衍射仪对其的晶体结构进行了检测。此外,对其进行了PXRD,红外,热重以及固态荧光等表征。X射线单晶结构分析结果表明,该晶体属于单斜晶系,空间群为P21/C,晶胞参数为a=9.2546(19),b=16.855(3),c=9.2894(19),β=96.13(3)°,V=1440.73(467)3。[B5O6(OH)4]-通过氢键形成三维的骨架结构并形成孔道,用来平衡骨架电荷的[C4H12N]+嵌在这些孔道中。荧光光谱分析结果表明,在波长为290 nm的激发光下,该硼酸盐发射出326 nm、365 nm的紫外光。对样品进行不同温度的热处理后,样品的荧光性质发生了明显的变化。这种变温的改性实验证实该有机模板硼酸盐有可能作为一种单一发射组分荧光材料应用在显示和照明等白光LED领域。
  • 摘要：纯的立方氟化铅晶体（βＰｂＦ２）具有密度高（７．７７ｇ／ｃｍ３）、辐射长度短（ｘ０＝９．３ｍｍ）和能量分辨率高等优点，因此可以作为一种超致密的Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ辐射体应用于电磁量能器上。以前生长的纯氟化铅晶体由于存在许多缺陷，如颜色发黄、透光率太低、晶体尺寸小或含有包裹体等而使其应用受到很大限制。一直到９０年代，由于采用了脱氧剂非真空坩埚下降法，才生长出了大尺寸、高质量的氟化铅晶体，从而为该晶体的应用研究创造了有利条件。但是，在氟化铅晶体的生长过程中，由于受内外因素的影响，有时生长出的晶体仍然会或多或少地含有一些针状包裹体。它们的分布特征是：（１）呈针状或芒刺状沿氟化铅晶体中的［１１１］方向延伸，并在空间交叉成网络状；（２）用显微镜观察发现，这些针状分布的包裹体实际上是一系列尺寸为１０～５０μｍ的圆形、椭圆形或其它不规则形状的固体包裹物沿一定方向排列成一条条的长线所致；（３）显微分析表明，这些包裹物的组成为氧化铅和氟氧化铅。氟氧化铅中的氟∶氧原子个数比为３４∶１～１∶５；（４）在晶体生长的初期阶段，这种包裹体的含量少，甚至根本没有，而在晶体生长的后期，它不仅含量多，分布密，而且个体粗大。当晶体中含有这种针?
  • 摘要：氢气兼具高燃烧值和无污染两大优势,是最理想的绿色清洁能源。利用取之不竭的太阳能光催化分解水是一种最为理想的制氢技术,此技术的核心和瓶颈在于开发高效的可见光响应半导体光催化剂,长期以来面临着巨大挑战。
  • 摘要：为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理。结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大;3×3×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析;当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加;空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能。
  • 摘要：本文介绍了X射线测量单晶应力的原理和方法,测量了Si单晶的应力,比较了双晶摇摆和三轴晶ω～2θ扫描对结果的影响,考察了计算过程中数据组个数,无应力布拉格角θ0对应力测量的影响。结果表明,采用三轴晶ω～2θ扫描比双晶摇摆更准确,多重线性回归方法对θ0依赖性很小,但测量数据组个数不应低于6。
  • 摘要：以白云石为原料,采用盐酸直接酸浸,室温下氨化制备了纳米氢氧化镁。通过扫描电镜(SEM)和X射线多晶衍射仪(XRD)考察了pH值和陈化时间对氢氧化镁产品产率和晶体生长及形貌的影响。结果表明,室温沉淀过程中,pH值为12时氢氧化镁产品产率最高。并且从化学平衡的角度分析了pH值在氢氧化镁晶体结晶过程的作用机理。随着陈化时间的延长,所得样品由纳米片层状生长连接层积在一起形成纳米棒状。
  • 摘要：用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a-Si)膜和a-Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火。对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析。Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄膜仍为非晶态;而a-Si/Al膜在温度很低时就已经开始晶化。
  • 摘要：以Na2O-V2O5为自助熔剂体系,采用顶部籽晶法生长出尺寸为19mm×17mm×5mm的Na3VO2B6O11透明单晶。该晶体属于正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数为a=0.77359(9)nm;b=1.01884(12)nm;c=1.25697(15)nm。该晶体在可见光区的双折射率范围为0.037～0.042,紫外吸收边为370nm,非线性光学效应与KDP晶体相当。该晶体易溶于酸,在空气中稳定存在,不易潮解,但沿(100)面易解理。
  • 摘要：《人工晶体学报》是中材人工晶体研究院有限公司主办,国内专门刊登人工晶体材料研究成果的学术性刊物,为中文核心期刊、中国科技核心期刊、中国科学引文数据库（CSCD）来源期刊（核心库）。国内被《中国学术期刊（光盘版）》收录,国外被＂化学文摘（CA）＂收录。
  • 摘要：利用纳米二氧化钛(P25)粉为钛源,Li2CO3为锂源,采用固相法及高能球磨法制备亚微米级尖晶石Li4Ti5O12。将Li4Ti5O12与碳纳米管(CNTs)制备成复合电极作为工作电极与锂片组成电池进行电化学性能测试。通过SEM,XRD等表征材料形貌、结构及粒径分布,通过充放电测试表征其电化学性能。结果表明,在800℃合成温度及8 h合成时间制备条件下可以得到小尺寸且颗粒均匀的亚微米晶体Li4Ti5O12,且合成的产物电化学性能最佳。在800℃及8 h合成条件下,产物首次充放电容量分别为188.0 mAh/g和189.1 mAh/g,首次充放效率为99.4%,且具有良好的可逆性。
  • 摘要：采用改进的水热法合成了六方状规整的锌铝类水滑石,样品采用XRD、SEM、N2吸附-解吸进行了物相、形貌及比表面分析。结果发现,当在水热反应体系中加入体积分数为25%的乙二醇,反应温度T=180℃,反应时间t=20 h时可获得显著的板层结构、晶形好、分散性好、规整性好、优质的Zn-Al类水滑石,谢乐公式估算粒子粒径约在39.24 nm左右。
  • 摘要：以柠檬酸为燃烧剂,乙二醇为分散剂,采用燃烧法制备了Gd3Ga5O12∶Eu3+纳米晶。利用X射线衍射仪、扫描电镜和荧光光谱对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。XRD研究结果表明:合成的样品均为单一的Gd3Ga5O12晶相,纳米晶的一次性粒径分布在16～30 nm。发射光谱和激发光谱的研究表明:主发射峰来自于Eu3+的5D0→7F1的跃迁;宽激发带主要来自于Eu-O电荷迁移带。讨论了柠檬酸和乙二醇用量对晶粒尺寸、晶格常数、发射和激发强度的影响。结果表明:过量的柠檬酸和适量的乙二醇有利于晶体发育和发光强度的提高。
  • 摘要：用Ba(OH)2·8H2O和Sr(OH)2·8H2O配制电解液,工艺参数分别设置为电流密度20 A/dm2、电流频率100Hz、反应时间20 min及占空比85%,采用微弧氧化法在工业纯Ti板(99.5%)表面原位生长Ba x Sr(1-x)TiO3薄膜。分析了相同Ba2+/Sr2+比条件下,电解液浓度对薄膜物相、表面形貌及薄膜厚度的影响。结果表明:所得薄膜均主要由四方相Ba0.5Sr0.5TiO3构成;Ba2+和Sr2+各为0.2 mol/L时所得薄膜的表面平整度及致密性最好,表面粗糙度值最小,并检测了该薄膜在不同频率下的介电常数和介电损耗,发现两者均随频率的增加而减小;薄膜厚度随电解液浓度的增加而增加。
  • 摘要：郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司日前开发出一种可用于超高温晶体生长炉的高纯钇锆固溶体陶瓷,该材料的使用温度达到2650℃,比金属钼材料的使用温度更高,特别适用于泡生法蓝宝石晶体生长炉,能够有效解决泡生法制备过程中的温场温度不稳定和电能损耗问题。该材料反复升降温周期使用寿命达到3年,较金属温场提升6倍,以120 kg级蓝宝石晶体使用陶瓷温场为例,较金属温场缩短生长周期25%,节省能耗40%以上,同时还可避免金属材料高温时出现的过收缩、破裂等问题,显著延长了人工晶体生长炉温场的寿命,突破了大尺寸晶体生长温场瓶颈。
  • 摘要：本文研究Kerr非线性对一维光子晶体中场分布的影响。计算光子晶体中加入Kerr非线性材料后,入射光强及频率对光子晶体中场分布形态的调制。当入射光强较小时,场分布的节点个数随光量子阱中束缚态频率的下降而增加;当光强足够强时,节点情况不会发生本质的改变,但由于非线性的作用,波峰会发生分裂。
  • 摘要：超导材料具备优异的电学和磁学性能,具有很大的发展前景。目前应用最多的是NbTi和Nb_(3)Sn两种低温超导材料,但是其需要在4.2 K超低温下(液氦制冷)使用,成本高昂。Bi-2223的临界超导温度高达110 K,液氮制冷就可以使用,展现出良好的实用价值。Bi-2223是一种层状结构的化合物,常被制备成带材,使层面方向平行于带材表面,以发挥其最佳超导性能。但是将其实用化过程中还存在着Bi-2223相纯度不高、致密度不够、晶粒连接性不佳、抗拉伸强度和延伸率不足等问题。为了能够实用化,必须兼顾电学性能、机械性能、制冷技术等因素。本文综述了实用化Bi系超导带材的制备工艺与研究进展,分别对Bi-2223前驱粉制备工艺、Bi-2223带材的制备工艺及研究进展、Bi-2223超导带材实用化进展等进行介绍,为其制备工艺和实用化的进一步深入研究提供参考。
  • 摘要：用自行研制的电注入装置,对溴化钾晶体进行电注入并使之有效着色。由基本理论可以得出溴化钾晶体电注入着色临界温度理论值为598K,并依此拟定和实施具体实验方案。通过实验进行得到电注入着色临界温度实验值为603K。达到临界温度后,溴化钾晶体被着色,产生F色心。研究结果表明,临界温度理论值与实验值符合得很好。借助测得的电流～时间关系图,对经此种电注入着色晶体中色心形成提出机理解释。
  • 摘要：在180℃含CaO、Mg(NO_3)_2和H_3PO_4的水热系统中,反应2~4 h,成功沉淀出白磷钙石晶体。对产物进行了SEM、XRD和FTIR分析。初步的研究表明:样品主要由5~15μm的单晶体和球形聚集体组成,XRD、FTIR图谱与合成白磷钙石(Ca_(19)Mg_2H_2[PO_4]_(14))相吻合。
  • 摘要：自2002年世界上第一颗采用化学气相沉积(CVD)方法制备的大尺寸金刚石单晶被报道之后,碳材料领域在世界范围内再一次掀起了CVD金刚石的研究热潮,单晶CVD金刚石也成为与石墨烯研究热度相当的又一种碳材料。几乎同时,将这种优异的材料在各个可能的相关领域进行应用的研究也随之被广泛地开展起来,这些研究工作逐渐表明:在新世纪单晶CVD金刚石将在能源、太空、信息等领域得到广泛的应用,其对社会生活、国家安全和科技进步将产生巨大的影响。本文在结合我们自己的工作基础上,综述了国内、外在单晶CVD金刚石制备领域的进展及其在粒子探测器件领域的应用。
  • 摘要：本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。
  • 摘要：从结晶学的角度探讨了银纳米晶体形成的机理:银纳米晶体生长过程遵循布拉维法则,对比了银纳米晶体的立方面心格子主要面网密度应为(111)>(200)>(110)>(100)。以银的单一晶胞为基本单元,分析了银纳米结晶形态的变化趋势:优先生长为四面体(八面体),立方体;常形成立方体、八面体与菱形十二面体,正负四面体与立方面体,八面体与立方体、菱形十二面体的聚形;以及多种银纳米尺度的结晶形态可共存。

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