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人工晶体学报

人工晶体学报

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《人工晶体学报》（月刊）是国内唯一一本专门刊登人工晶体这一高新材料研究成果的学术类科技期刊。《人工晶体学报》主要报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等方面的基础理论、合成与生长、结构与性能表征、器件组装及合成装备制造等方面的研究进展与应用开发成果，同时介绍国内外相关方向的发展动态和学术交流活动等。
  • 发文量：10203
  • 被引量：18838
  • H指数：25
  • 开始收录时间：
  • CNKI综合因子：
  • 维普期刊影响因子： 0.56
  • 万方期刊影响因子：
  • 创刊时间：
  • 国内刊号/CN：11-2637/O7
    国际刊号/ISSN：1000-985X
  • 发行周期：月刊
    邮发代号：80-824
  • 主管单位：中材人工晶体研究院有限公司
    主办单位：中国建筑材料联合会
人工晶体学报-联系信息
  • 主编：祝世宁
  • 电话：010-65492963;65491290
  • 邮箱：
  • 地址：北京市朝阳区东坝红松园1号
  • 邮编：100018
人工晶体学报-获奖情况
  • 全国第二届优秀科技期刊奖（1997）
  • 中国期刊方阵“双高期刊”
  • “中国国际影响力优秀学术期刊”（2012）
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人工晶体学报 >2024年第10期
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共4384条结果
  • 摘要：ZnO是一种重要的紫外半导体光电器件材料。本文用金属有机化合物在玻璃管内高温加热分解迅速拉制的方法 ,在直径为 16 9μm的玻璃丝内成功的制备了直径为 13μm左右的ZnO。并用X射线衍射和PL谱研究了玻璃微丝内的ZnO。结果发现ZnO为多晶且具有六方形结构 ,峰值波长在 370nm的PL谱表明所制得的ZnO为体材料。
  • 摘要：采用低温水热法合成了Ho^(3+),Yb^(3+)和Li+共掺杂Zn O上转换荧光粉。研究了Ho^(3+),Yb^(3+)和Li+的掺杂摩尔比对样品的结构、形貌和上转换发光强度的影响,讨论了其上转换发光机理。结果表明:所制备的Zn O∶Ho,Yb粉体为六方纤锌矿结构的亚微米(500 nm)棒,相比未掺杂样品尺寸增加,表面不再光滑。在980 nm激光(LD)激发下,Zn O∶1.2mol%Ho,4mol%Yb,5mol%Li样品发出较强的绿光上转换发射。
  • 摘要：本文以硝酸氧锆(ZrO(NO3)2.2H2O)、硼酸(H3BO3)和酚醛树脂为原料,采用液相法合成了超细ZrB2粉,分别利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)对粉体的相组成和微观形貌进行了表征,研究了反应温度、原料配比对合成粉体的影响。结果表明,在硼锆比为3,反应温度1500℃保温1 h的工艺参数下合成出颗粒粒径为1μm的超细ZrB2粉。
  • 摘要：本文报道作为 1 .0 6 μmNd激光的被动Q开关的YAG∶Cr4+晶体的生长及Q开关的制备研究。该晶体用中频感应加热引上法从铱坩埚中生长。感应加热设备工作频率 8～ 1 0kHz,额定功率 2 5kW。铱坩埚尺寸为6 2× 5 5mm ,壁厚 2 .2mm。采用Ca和 /或Mg与Cr共掺入YAG基质中 ,以形成YAG∶Cr4+晶体。晶体生长方向为 [1 1 1 ],生长速度 1 .0～ 2mm/h。通过研究已获得适应不同应用的 ,具有不同吸收系数 (α1.0 6μm)的YAG∶Cr4+晶体的掺杂配方。为了消除YAG∶Cr4+晶体中影响晶体光学质量的核心效应 ,采用了一种特殊的平界面生长技术 ,获得了无核心晶体。采用此法 ,即使用较小的坩埚也可获得大截面积且径向质量均匀的Q开关元件 ,可满足某些激光器对大截面Q开关的需求。目前 ,Q开关的直径最大可达 2 5mm。对比研究了掺杂体系及配方 ,生长气氛和退火对YAG中Cr4+形成的影响。实验证实 ,掺杂体系及其配方 ,生长时的气氛及晶体生长后的高温退火都对YAG∶Cr4+中的Cr4+的形成产生影响。但二价碱土金属离子Me2 +的掺入是决定性的条件。没有Me2 +离子掺入 ,晶体中只有三价的Cr3 +,不可能形成Cr4+。即使在含氧气氛中生长和高温长时间退火都不能改变这种情况。晶体退火在大气中进行 ,在 1 2 0 0～ 1 2 5 0℃下恒温 36～ 6 0h。
  • 摘要：以金属有机框架化合物(MOF)苯丙氨酸铜(Cu(L-Phe)2)为前体,采用一步煅烧法制备了氧化铜CuO,并对样品的微观形貌、微观结构及电化学储锂性能进行研究。结果表明,苯丙氨酸铜衍生物为直径300 nm单斜晶系的氧化铜纳米颗粒;在100 mAh/g电流密度充/放电循环200圈后,CuO纳米颗粒负极的可逆放电比容量高达505.3 mAh/g,同时表现出良好的循环稳定性和倍率性能。
  • 摘要：Process of crystal growth can be controlled by both surface kinetics and by volume transport as well.Although the complicated relation between the surface kinetics and volume transport exsits,generally,they are studied seprately.Due to the mathematical complexity of heat and mass transport equations,the in depth studies of heat and mass transport process become difficult.Most of the studies on the transport were performed for the growth from melt.Most of the work on Surface kinetics has been done for crystal growth from aqueous solution because the in situ observation of crystal growth is easily carried out.In recent years,the surface kinetics studies on the nanometer scale,even atomic scale,are demonstrated by using AFM.
  • 摘要：用熔体法生长出纯的和掺Cr的钛酸锶单晶。由于在还原气氛中生长,生成态晶体中存在大量氧缺位,晶体呈黑色。根据该晶体的氧化—还原的可逆性,在空气中对掺Cr晶体进行了不同温度和时间条件的退火,得到了颜色由黄到红的透明样品。通过透射光谱的测量,对Cr离子在钛酸锶晶体中的价态随退火条件的变化进行了讨论。
  • 摘要：采用水热法合成了Er单掺或Yb、Er共掺的NaYF4纳米上转换材料。研究了螯和剂乙二胺四乙酸二钠(EDTA)对材料性能的影响。扫描电镜和透射电子显微镜的结果表明:EDTA引起制备的上转换材料颗粒离散化,颗粒基本为球形,粒径约为40 nm左右。X射线衍射的结果表明:EDTA的加入改变了材料的晶相,有助于上转换效率的增强。
  • 摘要：本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响。结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或p型半导体。纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响。
  • 摘要：ＮａＴｉ２（ＰＯ４）３晶体的生长和性质马长勤王绪宁路庆明于正刚蒋德华（山东大学化学院，济南２５０１００）ＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄＧｒｏｗｔｈｏｆＮａＴｉ２（ＰＯ４）３ＣｒｙｓｔａｌｓＭａＣｈａｎｇｑｉｎＷａｎｇＸｕｎｉｎｇＬｕＱｉｎｇｍｉｎｇＹｕＺ...
  • 摘要：采用凝胶预碳化处理工艺制备了颗粒粒径较小,无硬团聚的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15纳米粉体,以Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15非晶团簇粉体为陶瓷素坯的原料,同组分高浓度的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15溶胶为粘结剂,制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15细晶陶瓷,研究了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15粉体的相结构和微观形貌以及陶瓷的显微结构和铁电性能。实验结果表明:700℃焙烧粉体呈现为非晶团簇,800℃焙烧粉体形成了纯层状钙钛矿结构,粒径在100～150nm之间,无硬团聚;950℃烧结的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15细晶陶瓷结构致密,晶粒尺寸在0.2～0.5μm之间,其铁电性能优良,剩余极化Pr=12.5μC/cm2,矫顽场强Ec=50kV/cm。
  • 摘要：以氢气为主要反应气体生长的CVD金刚石膜的晶粒尺寸过大限制了它在某些领域的进一步应用。当晶粒组成降到纳米级时 ,金刚石膜会表现出许多优异的性能 ,具有广阔的应用前景。与通常的CVD法生长金刚石的工艺不同 ,氩气在纳米金刚石的生长过程中发挥着重要作用。
  • 摘要：采用坩埚下降法沿［００１］方向生长出长度为６０ｍｍ、直径为２５ｍｍ的溴化铅晶体，并对该晶体进行了定向，测定了其光率体方位及其主折射率，测得该晶体的透过率范围复盖自０．３μｍ至２５μｍ的整个区域，其声光优值为５１１。
  • 摘要：通过镁离子内扩散方法，实现了沿α轴向生长的掺镁钕铌酸锂单晶光纤具有阶跃和抛物折射率分布的芯－包层波导结构。对包层晶纤的损耗进行了测量，测得其损耗为１．８０ｄＢ／ｃｍ，即比包层前晶纤损耗降低了约６倍。对包层晶纤的传输模式进行了观察，得到了低次模传输的好结果。
  • 摘要：采用扫描探针显微镜(SPM),对离子束溅射自组装生长的Ge/Si量子点的电学性能进行分析。实验结果表明,施加正向偏压于圆顶形量子点上时,由于表面氧化物的生成,扫描区域的电流信号是不可恢复的。施加负向偏压时,单量子点区域的电流分布特征保持环状,且电流剖面图呈双峰结构,随着负向偏压的增大,各个电流峰顶部形状由尖锐变为截平,呈现出饱和的趋势。通过对电流值大小分布的统计,证实了Ge/Si量子点的电流传导主导机制为热电子发射。
  • 摘要：美国西北大学的研究人员日前突破了碳纳米管太阳能电池光电转换效率近10年来无法提升的困局,将其转化效率从1%提高到了3%以上,让一度沉寂的碳纳米管太阳能电池研究再次进入了人们的视野。相关论文发表在《纳米快报》杂志上。
  • 摘要：本文制备并表征了Au/CdS几何结构的纳米簇复合物。TEM和尺寸分布图显示,Au颗粒和CdS颗粒的平均粒径分别为6 nm和8 nm,Au/CdS粒径分布较窄且分散性较好,平均粒径19 nm。这种核壳结构纳米复合颗粒和单CdS颗粒一样,在485 nm和543 nm有两处发射峰。从UV-Vis上观察到,CdS的吸收边在470 nm,Au/CdS的吸收谱线上Au的吸收峰消失,吸收边相对于单CdS出现蓝移。
  • 摘要：采用EDTA络合溶胶-凝胶法制备了尖晶石结构的ZnGa2O4微晶。通过XRD、SEM等分析方法对ZnGa2O4微晶进行了测试和表征。研究了不同煅烧温度对其物相组成、显微结构及光催化性能的影响。结果表明,以乙酸锌和氧化镓为反应原料,以乙二胺四乙酸为络合剂,在650～800℃能合成单一物相的ZnGa2O4微晶。在700℃时可以成功制备八面体形的ZnGa2O4微晶,在800℃时可以合成棒状的ZnGa2O4微晶;随着温度从650～800℃逐渐升高,其对罗丹明B的光催化降解性能逐渐提高。
  • 摘要：采用固相法制备了(0.8-x)Na0.5Bi0.5TiO3-0.2K0.5Bi0.5TiO3-xBaMnO3(简称NBT-KBT-BM)无铅压电陶瓷,研究了不同BM含量(x=0,0.25%,0.50%,0.75%,1.00%,1.25%,物质的量分数)样品的物相组成、显微结构及电性能。结果表明:所制备的NBT-KBT-BM陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构。与纯NBT-KBT陶瓷相比,掺BM陶瓷的烧结温度降低,相对密度ρr得到提高。随x的增加,材料的压电常数d33、平面机电耦合系数kp与机械品质因子Qm先增大后减小,而介电损耗tanδ以及退极化温度Td一直降低。BM的掺入降低了材料的矫顽场Ec,提高了剩余极化强度Pr,从而增强了铁电性。当x=0.75%时,陶瓷获得最佳性能:d33=167 pC/N,kp=0.269,Qm=133,εr=774,tanδ=2.93%。
  • 摘要：以聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为纺丝助剂,结合硝酸铝和正硅酸乙酯的水解,用溶胶-凝胶法制得了多晶单相连续莫来石纤维。首先对不同PVB含量的乙醇溶液的最大加水量进行了研究,给出了体系的拟三元相图,并阐述了水在此体系中的作用。热分析表明600℃以下PVB被完全排出,980℃开始生成莫来石。晶相分析显示在1200℃保温0.5 h发生完全莫来石化。通过电镜观察到纤维表面光滑致密无缺陷,直径均一。
  • 摘要：PbWO4晶体已被西欧核子中心确定用于建造大型强子对撞机 (LHC)中的精密电磁量能器 ,并与我所签定生产意向。根据他们对晶体提出的光输出大于 8个光电子 /MeV ,辐照损伤小于 1 0 %等要求 ,我们对掺钇钨酸铅晶体进行了研究。采用高纯原料 ( 99.99%以上 )PbO∶WO3 =1∶1 (摩尔比 ) ,在原料中掺入质量分数为 1 .5×1 0 -4 的Y2 O3 。将此原料充分混合在一定温度下熔制成多晶 ,用硅碳棒加热 ,采用铂坩埚下降法生长大尺寸PbWO4晶体 ,生长方向为c轴生长 ,生长速度为 1 .0～ 1 .2mm/h。我们发现晶种质量及方向、温度梯度及温场分布对晶体性能有很大影响。我们在实验中选取完好无开裂且与c轴方向一致的晶种 ,并采用计算机多路分别控制 ,消除温场的波动 ,保证生长环境的稳定 ,保持固液界面的稳定。通过实验我们能够生长出 2 8mm× 2 8mm× 2 80mm的晶体 ,晶体内部无开裂、气泡、散射颗粒但晶体顶部略带黄色。过去通常认为PbWO4晶体带黄色是由于晶体内缺氧引起 ,可通过氧退火解决。而我们认为PbWO4晶体在熔晶及生长过程中PbO易挥发故采用偏铅生长 ,在这之后我们得到无色透明的优质PbWO4晶体 ,经测试其性能完全符合西欧核子中心使用要求 ,其中光输出大于 1 2个光电子 /MeV ,辐照损伤小于 5 % ,再由一定的温度退火 ,?
  • 摘要：采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响。结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关。当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω.cm)、较高的可见光波段平均透过率(88.9%)和最大的品质因数(1.4×10-2 S),其光电综合性能最佳。同时采用外推法计算了Ga∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加。
  • 摘要：本制备方法以二氧化硒(SeO_2)为硒源,以氯化亚锡(SnCl_2·2H2O)为锡源,以水合肼(N_2H_4·H_2O)为还原剂在180℃的条件下利用水热法合成了硒化锡纳米盘。产物分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)表征手段进行了表征,探索了硒化锡纳米盘的形成机理。通过一系列反应物中不同硒元素与锡元素的摩尔比的条件实验,讨论了其对反应所得产物的影响;另外,通过不同反应温度的条件实验,研究了反应体系温度对所得反应产物的影响,讨论了相关的规律。
  • 摘要：用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si∶H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。平均晶粒大小为30 nm左右。
  • 摘要：铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。
  • 摘要：发展低成本、新型太阳能电池关键材料与高性能器件是大规模发展太阳能电池，解决未来社会能源问题的关键，也是这一领域研究的热点和难点之一。在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，中科院化学研究所分子纳米结构与纳米技术重点实验室的研究人员近期在设计和构筑基于三维导电网络与组装结构的高效量子点敏化太阳能电池材料，以及低成本薄膜太阳能电池材料的研究方面取得了新的进展。
  • 摘要：本文在概括碳纳米管的制备及结构的基础上 ,着重对其物理性质做出了阐述 。

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    人工晶体学报的获奖情况

    • 全国第二届优秀科技期刊奖（1997）
    • 中国期刊方阵“双高期刊”
    • “中国国际影响力优秀学术期刊”（2012）

    人工晶体学报的收录情况

    • 中国·北大核心期刊（2023版）
    • 中国·北大核心期刊（2020版）
    • 中国·北大核心期刊（2017版）
    • 中国·北大核心期刊（2014版）
    • 中国·北大核心期刊（2011版）
    • 中国·北大核心期刊（2008版）
    • 中国·北大核心期刊（2004版）
    • 中国·北大核心期刊（2000版）
    • 中国·北大核心期刊（1996版）
    • 中国·中国科技核心期刊
    • 中国·中国科学引文数据库-核心（2017-2018）
    • 中国·中国科学引文数据库-核心（2015-2016）
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    • 荷兰·Scopus数据库
    • 日本·日本科学技术振兴机构数据库
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