一种半导体硅片化学机械抛光清洗液

摘要

本发明公开了一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，按照重量份的原料包括：有机酸5-20份、表面活性剂0.2-1份、光亮剂0.1-1份、pH调节剂1-10份、氧化剂0.01-0.1份、稳定剂0.1-1份、抑制剂0.1-1份、去离子水20-30份、研磨剂2-8份。所述有机酸选自柠檬酸和柠檬酸氢二铵中的一种或几种。所述清洗液的pH值为9.5～11.5。所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。所述研磨剂为二氧化硅。本发明能降低清洗剂的表面张力，可以快速剥离掉表面污染物，有效清洗硅片表面，降低硅表面粗糙度；抑制金属杂质对硅片的污染，能减少氧化物的沉淀；成本低，对环境无污染，可彻底清洗污染物；有效根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。