应变硅p-MOSFET中空穴迁移率的增强特性

摘要

采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χGeχ虚拟衬底上制备出具有低表面粗糙度和低位错密度的应变硅材料，以其为沟道材料制作得到的应变硅p-MOSFET表现出显著的性能提升。在室温下，相对于体硅器件，应变度为0.83％和1.2％的应变硅器件的低场空穴有效迁移率增强分别为62％和130％，在相同的过驱动电压下，饱和漏端电流增强分别为41％和75％，并且应变硅的器件亚阈值特性优于体硅器件。