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应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型

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摘要

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.

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来源
《半导体学报》 |2006年第11期|2000-2004|共5页
作者
张雪锋; 徐静平; 邹晓; 张兰君;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
p-MOSFET; 应变Sil; Gex; 空穴迁移率;

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