University of Massachusetts Amherst.;
机译:p沟道反演层中价子带结构和空穴迁移率的自洽计算
机译:具有高κ绝缘体的应变Ge和Ill-V p沟道反型层中空穴迁移率的理论
机译:具有高有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:单轴应变(110)和(111)硅通道中PMOS反转层的价子带结构和空穴有效质量
机译:应变对拟晶硅(1-x)锗(x)的影响:价带结构和空穴传输的物理模型。
机译:具有有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管