在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变Si/SiGe的方法

摘要

本发明公开了一种形成在绝缘层上具有应变Si或SiGe层的半导体晶片的方法。本方法制造了在绝缘层(45)和应变Si/SiGe层(42)之间具有SiGe缓冲层(43)的结构，但消除了在接合后对硅外延的需求。本方法还消除了在应变Si和SiGe缓冲层之间的界面污染，并允许形成具有超过应变Si层的临界厚度的总厚度的SVSiGe层。