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吴贵斌; 叶志镇; 刘国军; 赵炳辉; 崔继峰;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
超高真空化学气相沉积; 锗硅; 缓冲层;
机译:通过超高真空化学气相沉积在Si(100)上生长高质量Ge外延层的超薄低温SiGe缓冲液
机译:通过超高真空化学气相沉积法在绝缘体上硅衬底上生长的高质量部分松弛的SiGe膜
机译:新型超高真空化学气相沉积系统沉积的高质量SiGe层
机译:超高真空化学气相沉积法生长高Ge%SiGe薄膜的形貌不稳定性
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:低温锗籽晶层对超高真空化学气相沉积在Si(100)上高质量Ge外延层生长的影响
机译:用于红外发射器的金属有机化学气相沉积法优化Inassb / InGaas应变层超晶格生长
机译:使用超高真空化学气相沉积技术和其中使用的间歇式超高真空化学气相沉积装置选择性地形成外延半导体层的方法
机译:使用超高真空化学气相沉积技术和其中使用的间歇式超高真空化学气相沉积装置选择性形成表观半导体层的方法
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