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张进书; 金晓军; 钱佩信; 罗台秦;
清华大学微电子学研究所;
香港科技大学电机与电子工程系;
UHVCVD; 硅; 外延生长; 锗化硅;
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的蓝宝石硅衬底上的SiGe MOSFET结构
机译:使用硅覆盖层通过反应化学气相沉积法在n-Si_(0.83)Ge_(0.17)/ n-Si(001)上生长的外延CoSi_2的结构和电学特性
机译:超高真空化学气相沉积法生长高Ge%SiGe薄膜的形貌不稳定性
机译:通过超高真空化学气相沉积的原子平Si / SiGe异质结构的生长
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:通过化学气相沉积法生长分散相BN-alN涂层的晶粒结构和生长
机译:低温多晶硅薄膜的元件及其在低温下直接淀积的多晶硅薄膜的方法及其感应耦合等离子体化学气相淀积设备
机译:等离子体化学汽相淀积装置及采用该装置的化学汽相淀积方法及装置内部的清洗方法
机译:用等离子体化学汽相淀积法形成沉积膜的装置及使用它的沉积膜形成方法
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