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杨鸿斌; 樊永良;
复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
上海;
200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
200433;
SiGe; 应变弛豫; 位错;
机译:拉伸应变Si层对在弛豫的SiGe / Si(001)缓冲层上生长的Ge(Si)自组装岛的光致发光的影响
机译:Si(001)上弛豫Ge缓冲层的结构特性:层厚度和低温Si初始缓冲层的影响
机译:应力硅层对在弛豫的SiGe / Si(001)缓冲层上生长的Ge(Si)自形成岛的光致发光的影响
机译:应变 - Si层厚度对薄缓冲层中脱位分布和SiGe弛豫的影响 - Si / SiGe异质结构
机译:Si / SiGe异质结构中的栅极定义量子点的低温测量,用于量子计算
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:在X射线拓扑图研究的低温缓冲层siGe / si异质结构中的第一个弛豫步骤
机译:使用多个siGe / si层的长波长堆叠siGe / si异质结内部光电发射红外探测器
机译:具有缺陷稀土氧化物夹层的浸渍式退火缓冲/应变缓和缓冲层上的低缺陷弛豫SiGe /应变Si结构及其制造方法
机译:具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
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