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Semiconductors

Semiconductors

SCICA

中文名称：半导体类

ISSN：1063-7826
出版周期：Monthly

发文量：4036

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1.Evolution of luminescence properties of natural oxide on silicon and porous silicon

机译：天然氧化物在硅和多孔硅上的发光性能演变
- 作者：Sokolov RV;Zamoryanskaya MV;Kolesnikova EV;Sokolov VI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第4期
- CATHODOLUMINESCENCE;
- INTERFACE;
- SIO2;
2.Conductivity and photoconductivity of polymeric composites containing heteropolynuclear Cu(II)/Mn(II) complex in the presence of ionic polymethine dyes

机译：离子聚次甲基染料存在下含杂多核Cu（II）/ Mn（II）配合物的聚合物复合材料的电导率和光电导率
- 作者：Davidenko NA;Kokozay VN;Ishchenko AA;Beznishchenko AA;Makhankova VG;Spitsyna NG;Lobach AS;Davidenko II;Popenaka AN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第6期
- METAL-COMPLEXES;
3.Effect of low-temperature annealing on characteristics of SiC detectors with radiation-induced defects

机译：低温退火对辐射缺陷SiC探测器特性的影响
- 作者：Ivanov AM;Strokan NB;Sadokhin AV;Lebedev AA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第8期
- TRANSPORT;
- FLUENCES;
- SILICON;
4.Preparation of ZnO : N films by radical beam gettering epitaxy

机译：自由基吸杂外延法制备ZnO：N薄膜。
- 作者：Rogozin IV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第8期
- CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;
- THIN-FILMS;
- DEFECTS;
- PHOTOLUMINESCENCE;
- TRANSPARENT;
5.Cathodoluminescence and TEM studies of HVPE GaN layers grown on porous SiC substrates

机译：在多孔SiC衬底上生长的HVPE GaN层的阴极发光和TEM研究
- 作者：Kolesnikova E;Mynbaeva M;Sitnikova A
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第4期
6.Instability of characteristics of SiC detectors subjected to extreme fluence of nuclear particles

机译：受到核粒子通量影响的SiC检测器特性的不稳定性
- 作者：Ivanov AM;Strokan NB;Bogdanova EV;Lebedev AA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第1期
- RADIATION-RESISTANCE;
- 8-MEV PROTONS;
- DEFECTS;
- DIODE;
- FILMS;
7.Silicon LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence, fabricated by erbium ion implantation and chemical-vapor deposition of polycrystalline silicon layers heavily doped with boron and phosphorus

机译：通过room离子注入和化学气相沉积重掺杂硼和磷的多晶硅层制成的具有室温位错相关发光的硅LED
- 作者：Sobolev NA;Emelyanov AM;Zabrodskii VV;Zabrodskaya NV;Sukhanov VL;Shek EI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第5期
- LIGHT-EMITTING-DIODES;
- STRUCTURAL DEFECTS;
- SI;
- ELECTROLUMINESCENCE;
- PHOTOLUMINESCENCE;
8.Manifestation of clustering of Ge atoms in the spectra of electron spin resonance of Si1-xGex alloys (0 < x < 0.057)

机译：Si1-xGex合金的电子自旋共振谱中Ge原子的团簇表现（0
- 作者：Veinger AI;Zabrodskii AG;Tisnek TV;Goloshchapov SI;Abrosimov NV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第6期
- ELECTROPHYSICAL PROPERTIES;
- SILICON;
- CRYSTALS;
- SI;
- GROWTH;
- DONORS;
9.Effect of atmospheric-air pressure on charge transport in structures with oxidized porous silicon

机译：大气压力对多孔氧化硅结构电荷传输的影响
- 作者：Bilenko DI;Belobrovaya OY;Zharkova EA;Terin DV;Khasina EI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第8期
- ELECTRICAL-PROPERTIES;
- GAS;
10.The effect of damaging radiation (p, e, gamma) on photovoltaic and tunneling GaAs and GaSb p-n junctions

机译：有害辐射（p，e，γ）对光伏和隧穿GaAs和GaSb p-n结的影响
- 作者：Andreev VM;Evstropov VV;Kalinovskii VS;Lantratov VM;Khvostikov VP
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第6期
11.Properties of GaInAsSb/GaSb (lambda=1.8-2.3 mu m) immersion lens photodiodes at 20-140 degrees C

机译：GaInAsSb / GaSb（λ= 1.8-2.3μm）浸没式透镜光电二极管在20-140摄氏度下的性能
- 作者：Karandashev SA;Matveev BA;Remennyi MA;Shlenskii AA;Lunin LS;Ratushnyi VI;Koryuk AV;Tarakanova NG
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第11期
- LEDS;
12.Contraction of the conducting region in an intrinsic semiconductor due to joule self-heating

机译：焦耳自热导致本征半导体中导电区域的收缩
- 作者：Rybakov FN;Melkikh AV;Povzner AA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第1期
- SYSTEM;
- MODEL;
13.Exciton states in semiconductor quantum dots in the modified effective mass approximation

机译：修正有效质量近似中半导体量子点的激子态
- 作者：Pokutnyi SI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第11期
- ZERO-DIMENSIONAL STRUCTURES;
- SIZE QUANTIZATION;
- POROUS SILICON;
- ELECTRONIC-PROPERTIES;
- OPTICAL-PROPERTIES;
- ENERGY-SPECTRUM;
- ABSORPTION;
- 1ST-PRINCIPLES;
- MICROCRYSTALS;
- LUMINESCENCE;
14.Specific features of dynamic injection and base layer modulation processes in power n(+)-p-p(+) diodes

机译：功率n（+）-p-p（+）二极管中动态注入和基础层调制过程的特定功能
- 作者：Mnatsakanov TT;Levinshtein ME;Tandoev AG;Yurkov SN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第11期
- AVALANCHE TRANSISTOR;
- EINSTEIN RELATION;
- SEMICONDUCTORS;
- TRANSPORT;
- DEVICES;
15.Mechanisms of recombination of nonequilibrium charge carriers in epitaxial CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23) layers

机译：外延CdxHg1-xTe（x = 0.20-0.23）层中非平衡电荷载流子复合的机理
- 作者：Ikusov DG;Sizov FF;Staryi SV;Teterkin VV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第2期
- HG1-XCDXTE;
- LIFETIME;
- HGCDTE;
16.Quadratic recombination in silicon and its influence on the bulk lifetime

机译：硅中的二次重组及其对整体寿命的影响
- 作者：Sachenko AV;Gorban AP;Kostylev VP;Sokolovskii IO
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第3期
- DEEP IMPURITY LEVELS;
- NONRADIATIVE RECOMBINATION;
- AUGER RECOMBINATION;
- SOLAR-CELLS;
17.The effect of irradiation on the properties of SiC and devices based on this compound

机译：辐照对SiC和基于该化合物的器件性能的影响
- 作者：Kalinina EV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第7期
18.Modulation optical spectroscopy of excitons in structures with GaAs multiple quantum wells separated by tunneling-nontransparent barriers

机译：GaAs多量子阱结构中激子的调制光谱由隧道-非透明势垒隔开
- 作者：Chaldyshev VV;Shkolnik AS;Evtikhiev VP;Holden T
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第12期
- BRAGG STRUCTURES;
- PERIODIC STRUCTURES;
- REFLECTANCE;
19.Longitudinal autosoliton motion across p-InSb in a transverse magnetic field

机译：横向磁场中穿过p-InSb的纵向自孤子运动
- 作者：Kamilov IK;Stepurenko AA;Gummetov AE;Kovalev AS
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第3期
- ELECTRON-HOLE PLASMA;
20.Charge transport in detectors on the basis of gallium arsenide compensated with chromium

机译：基于砷化镓和铬补偿的探测器中的电荷传输
- 作者：Ayzenshtat GI;Lelekov MA;Novikov VA;Okaevich LS;Tolbanov OP
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第5期
- SEMIINSULATING GAAS;
- REGION;
21.Sequential mechanism of electron transport in the resonant tunneling diode with thick barriers

机译：具有厚势垒的共振隧穿二极管中电子传输的顺序机制
- 作者：Alkeev NV;Averin SV;Dorofeev AA;Velling P;Khorenko E;Prost W;Tegude FJ
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第2期
- EQUIVALENT-CIRCUIT;
- MODEL;
22.Effect of energy-band bending on the thermopower in bipolar semiconductors

机译：能带弯曲对双极半导体中热功率的影响
- 作者：Konin A
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第3期
23.Effect of the buffer layer of GaSe intrinsic oxide with nanometer thickness on electrical, photoelectric, and emissive properties of ITO-GaSe heterostructures

机译：纳米厚度的GaSe本征氧化物缓冲层对ITO-GaSe异质结构的电，光电和发射性质的影响
- 作者：Drapak SI;Kovalyuk ZD
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第3期
- SOLAR-CELLS;
- THIN-FILM;
- INSE;
- OXIDATION;
- CRYSTALS;
- CONTACT;
- BARRIER;
24.Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures

机译：高温下硅台阶表面上金吸附的初始阶段
- 作者：Kosolobov SS;Song SA;Rodyakina EE;Latyshev AV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第4期
- SI(111) SURFACE;
- SI SURFACES;
- SUBLIMATION;
- ELECTROMIGRATION;
- INSTABILITY;
25.Isothermal polarization in thin-film Al-As2Se3-Al metal-dielectric-metal structures

机译：薄膜Al-As2Se3-Al金属-介电金属结构中的等温极化
- 作者：Avanesyan VT;Grabko GI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第12期
26.Lateral photoconductivity of Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots

机译：Ge量子点的Ge / Si异质结构的横向光电导
- 作者：Kondratenko SV;Nikolenko AS;Vakulenko OV;Golovinskiy SL;Kozyrev YN;Rubezhanskaya MY;Vodyanitsky AI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第8期
- WELL INFRARED PHOTODETECTORS;
- PHOTOCURRENT;
- ABSORPTION;
- GERMANIUM;
- SI;
27.Cathodoluminescence study of silicon oxide-silicon interface

机译：氧化硅-硅界面的阴极发光研究
- 作者：Zamoryanskaya MV;Sokolov VI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第4期
- DEFECT;
- LAYERS;
- SIO2;
28.The use of spatially ordered arrays of etched holes for fabrication of single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots

机译：蚀刻孔的空间有序阵列在基于亚单层InGaAs量子点的单模垂直腔表面发射激光器制造中的应用
- 作者：Kuzmenkov AG;Blokhin SA;Maleev NA;Sakharov AV;Tikhomirov VG;Maksimov MV;Ustinov VM;Kovsh AR;Mikhrin SS;Ledentsov NN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第10期
- VCSELS;
- POWER;
29.Specific features of molecules' pyrolysis on the epitaxial surface in the case of growth of the Si1-xGex layers from hydrides in vacuum

机译：Si1-xGex层由氢化物在真空中生长的情况下，分子在外延表面上的热解特征
- 作者：Orlov LK;Ivin SV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第1期
- CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;
- BEAM EPITAXY;
- THIN-FILMS;
- KINETICS;
- SILANE;
- SI;
- HYDROGEN;
- GERMANE;
- SEGREGATION;
- MECHANISMS;
30.Electrical properties and structure of chalcogenide glasses containing bivalent tin

机译：含二价锡的硫属化物玻璃的电性能和结构
- 作者：Bordovskii GA;Castro RA;Seregin PP;Terukov EI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第1期
31.Superconducting states of lead nanoinclusions in the stoichiometric PbTe matrix

机译：化学计量的PbTe基质中铅纳米夹杂物的超导状态
- 作者：Darchuk LA;Darchuk SD;Sizov FF;Golenkov AG
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第2期
- NARROW-GAP SEMICONDUCTORS;
- PARAMAGNETIC IMPURITIES;
- SINGLE-CRYSTALS;
- INCLUSIONS;
- PB1-XSNXTE;
- TELLURIDE;
- DEFECTS;
- FIELD;
32.Effect of the bias electric field on the spectral distribution of the photodielectric effect in the Schottky-barrier structures based on the cadmium-zinc telluride crystals

机译：偏置电场对碲化镉锌晶体的肖特基势垒结构中光电介质效应光谱分布的影响
- 作者：Komar VK;Puzikov VM;Chugai ON;Nalivaiko DP;Sulima SV;Abashin SL
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第6期
- NUCLEAR-DETECTORS;
- SINGLE-CRYSTALS;
- CENTERS;
- SEMICONDUCTORS;
- SILICON;
- CDTE;
33.Anomalous dependences of the diode barrier capacitance on bias voltage and temperature

机译：二极管势垒电容对偏置电压和温度的异常依赖性
- 作者：Murygin VI;Fattakhdinov AU;Loktev DA;Gundyrev VB
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第10期
34.Vacancy kinetics in heteropolytype epitaxy of SiC

机译：SiC异质外延中的空位动力学
- 作者：Davydov SY;Lebedev AA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第6期
35.Erbium ion electroluminescence in p(++)(+)-Si : Er(++) silicon diode structures

机译：p（++）/ n（+）/ n-Si中的ion离子电致发光：Er / n（++）硅二极管结构
- 作者：Kuznetsov VP;Remizov DY;Shmagin VB;Kudryavtsev KE;Shabanov VN;Obolensky SV;Belova OV;Kumetsov MV;Kornaukhov AV;Andreev BA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第11期
- MOLECULAR-BEAM EPITAXY;
- LIGHT-EMITTING-DIODES;
- SI-ER/SI STRUCTURES;
- EXCITATION;
36.Specific features of kinetics of molecular beam epitaxy of compounds in the GaN-AlN system

机译：GaN-AlN系统中化合物分子束外延动力学的特定特征
- 作者：Alekseev AN;Byrnaz AE;Krasovitsky DM;Pavlenko MV;Petrov SI;Pogorelsky YV;Sokolov IA;Sokolov MA;Stepanov MV;Shkurko AP
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第9期
- GROWTH;
- HFETS;
37.Capacitance studies of multilayer ensembles of InAs QDs in a GaAs matrix

机译：GaAs矩阵中InAs量子点多层集成体的电容研究
- 作者：Gutkin AA;Brunkov PN;Konnikov SG
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第11期
- QUANTUM DOTS;
38.Mechanism of the effect of the electric field of a surface acoustic wave on the low-temperature photoluminescence kinetics in type-II GaAs/AlAs superlattices

机译：表面声波电场对II型GaAs / AlAs超晶格中低温光致发光动力学的影响机理
- 作者：Gulyaev DV;Zhuravlev KS
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第2期
- IMPACT IONIZATION;
- EXCITON TRANSPORT;
- QUANTUM-WELLS;
- GAAS;
- RECOMBINATION;
- DECAY;
39.The role of surface phonons in the formation of the spectrum of polaron states in quantum dots

机译：表面声子在量子点中极化子态光谱形成中的作用
- 作者：Maslov AY;Proshina OV;Rusina AN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第7期
- BAND;
40.A mathematical simulation of the effect of the bistability of current characteristics in nanosized multiple-layer heavily doped heterostructures

机译：纳米多层重掺杂异质结构中电流特性双稳态影响的数学模拟
- 作者：Gergel VA;Zelenyi AP;Yakupov MN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第3期
- SEMICONDUCTOR;
41.Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix quantum well in the vicinity of metal-insulator transition

机译：金属-绝缘体跃迁附近的Ge1-xSix / Ge / Ge1-xSix量子阱中二维空穴气体的传输特性
- 作者：Arapov YG;Neverov VN;Harus GI;Shelushinina NG;Yakunin MV;Guldina SV;Karskanov IV;Kuznetsov OA;de Visser A;Ponomarenko L
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第11期
42.Double-band generation in quantum-well semiconductor laser at high injection levels

机译：高注入水平的量子阱半导体激光器中的双波段产生
- 作者：Vinokurov DA;Zorina SA;Kapitonov VA;Leshko AY;Lyutetskii AV;Nalet TA;Nikolaev DN;Pikhtin NA;Rudova NA;Slipchenko SO
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第10期
- POWER;
- HETEROSTRUCTURES;
43.The use of cathodoluminescence for the development of durable self-glowing crystals based on solid solutions YPO4-EuPO4

机译：阴极发光用于基于固溶体YPO4-EuPO4的耐用自发光晶体的开发
- 作者：Burakov BE;Garbuzov VM;Kitsay AA;Zirlin VA;Petrova MA;Domracheva YV;Zamoryanskaya MV;Kolesnikova EV;Yagovkina MA;Orlova MP
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第4期
44.Cathodoluminescence properties of yttrium aluminum garnet doped with Eu2+ and Eu3+ ions

机译：Eu2 +和Eu3 +离子掺杂的钇铝石榴石的阴极发光性质
- 作者：Trofimov AN;Petrova MA;Zamoryanskaya MV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第5期
45.Electroluminescence spectra of ultraviolet light-emitting diodes based on p-n-heterostructures coated with phosphors

机译：基于涂有荧光粉的p-n-异质结构的紫外发光二极管的电致发光光谱
- 作者：Galchina NA;Kogan LM;Soshchin NP;Shirokov SS;Yunovich AE
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2007年第9期
- INGAN/GAN HETEROSTRUCTURES;
- LUMINESCENCE SPECTRA;
- QUANTUM-WELLS;
- EFFICIENCY;
46.Variation in optical-absorption edge in SiNx layers with silicon clusters

机译：具有硅团簇的SiNx层中光吸收边缘的变化
- 作者：Efremov MD;Volodin VA;Marin DV;Arzhannikova SA;Kamaev GN;Kochubei SA;Popov AA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- FILMS;
47.Lateral ordering of GaAs nanowhiskers on GaAs(111)As and GaAs (110) surfaces during molecular-beam epitaxy

机译：分子束外延过程中GaAs（111）As和GaAs（110）表面上GaAs纳米晶须的横向排列
- 作者：Cirlin GE;Sibirev NV;Sartel C;Harmand JC
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第6期
- INDIUM-PHOSPHIDE NANOWIRES;
- TRANSISTORS;
48.Relaxation of excited donor states in silicon with emission of intervalley phonons

机译：发射间隔间隔声子使硅中激发的供体态弛豫
- 作者：Tsyplenkov VV;Demidov EV;Kovalevsky KA;Shastin VN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第9期
- STIMULATED-EMISSION;
- SEMICONDUCTORS;
49.Infrared transmittance spectra of photoluminescent oxide films with Si and Ge quantum dots formed by pulsed laser ablation

机译：通过脉冲激光烧蚀形成的具有Si和Ge量子点的光致发光氧化物膜的红外透射光谱
- 作者：Lisovskyy IP;Zlobin SA;Kaganovich EB;Manoilov EG;Begun EV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
- SILICON;
- IR;
50.Effect of temperature and illumination intensity on the formation of metastable states in a-Si : H

机译：温度和光照强度对a-Si：H中亚稳态形成的影响
- 作者：Kurova IA;Ormont NN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第4期
- FILMS;
51.Subterahertz self-oscillations in ultrafast self-modulation of optical absorption in GaAs

机译：GaAs中光吸收超快自调制的太赫兹自激振荡
- 作者：Ageeva N;Bronevoi I;Krivonosov A
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第12期
- PICOSECOND LIGHT-PULSES;
- INTERBAND ABSORPTION;
- STIMULATED-EMISSION;
- GALLIUM-ARSENIDE;
- SPECTRUM;
- SUPERLUMINESCENCE;
52.Residual resistance and Joule heat generation in bulk samples and nanostructures

机译：大量样品和纳米结构中的残余电阻和焦耳热
- 作者：Gurevich VL
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第8期
53.Spatial distribution of defects and the kinetics of nonequilibrium charge carriers in GaN wurtzite crystals doped with Sm, Eu, Er, Tm, and supplementary Zn impurities

机译：掺有Sm，Eu，Er，Tm和补充Zn杂质的GaN纤锌矿晶体中缺陷的空间分布和非平衡电荷载流子的动力学
- 作者：Mezdrogina MM;Krivolapchuk VV;Kozhanova YV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- ADDITIONALLY INTRODUCED ZN;
- PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA;
- LUMINESCENCE;
- MG;
54.NRZ-to-NRZM code converter based on gallium-arsenide heterojunction bipolar transistors

机译：基于砷化镓异质结双极晶体管的NRZ-to-NRZM代码转换器
- 作者：Timoshenkov VP;Bratov VA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第13期
55.Magnetooptical properties of a single CdMnSe/CdMgSe quantum well

机译：CdMnSe / CdMgSe单量子阱的磁光特性
- 作者：Reshina II;Ivanov SV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第11期
- EXCITON MAGNETIC POLARONS;
- NEGATIVELY CHARGED EXCITONS;
- SEMICONDUCTORS;
- CD1-XMNXTE;
- PHOTOLUMINESCENCE;
- SUPERLATTICES;
- TRANSITION;
- DYNAMICS;
56.Consideration of spontaneous polarization in the problem of NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC heterostructures formed by cubic (3C) and hexagonal (NH) silicon carbide polytypes

机译：在立方（3C）和六边形（NH）碳化硅形成的NH-SiC / 3C-SiC / NH-SiC异质结构问题中考虑自发极化
- 作者：Davydov SY;Troshin AV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第10期
- SIC POLYTYPES;
- STACKING-FAULTS;
- HETEROJUNCTIONS;
- ENERGY;
57.Electrical properties of Si : Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy

机译：通过升华分子束外延生长的Si：Er / Si层的电学性质
- 作者：Belova OV;Shabanov VN;Kasatkin AP;Kuznetsov OA;Yablonski AN;Kuznetsov MV;Kuznetsov VP;Kornaukhov AV;Andreev BA;Krasilnik ZF
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- ELECTRONS;
- MOBILITY;
- SILICON;
58.Optical studies of AlN-Si(100) films obtained by the method of high-frequency magnetron sputtering

机译：高频磁控溅射法制备AlN / n-Si（100）薄膜的光学研究
- 作者：Zayats NS;Ko VGBO;Gentsar PA;Litvin OS;Papusha VP;Sopinskii NV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- ALN;
59.Optical properties of AgGaxIn1-xSe2 alloys

机译：AgGaxIn1-xSe2合金的光学性质
- 作者：Bodnar IV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- ENERGY-GAP;
- DEPENDENCE;
60.Effect of the arsenic cracking zone temperature on the efficiency of arsenic incorporation in CdHgTe films in molecular-beam epitaxy

机译：分子束外延中砷裂解区温度对CdHgTe薄膜中砷掺入效率的影响
- 作者：Sidorov GY;Mikhailov NN;Varavin VS;Ikusov DG;Sidorov YG;Dvoretskii SA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第6期
- HGCDTE;
- LIFETIME;
- MBE;
61.Study of the properties of the surface of gallium arsenide by scanning atomic force microscopy

机译：扫描原子力显微镜研究砷化镓表面性质
- 作者：Bozhkov VG;Torkhov NA;Ivonin IV;Novikov VA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
- ELECTRON-EMISSION MICROSCOPY;
- SCHOTTKY-BARRIER FORMATION;
- UNIFIED DEFECT MODEL;
- HEIGHT;
- GAAS;
62.Carbon nanomaterial studied by atomic-force and electron microscopies

机译：碳纳米材料的原子力和电子显微镜研究
- 作者：Bobrinetskii II;Kukin VN;Nevolin VK;Simunin MM
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第13期
63.Lorentz number and Hall factor in degenerate semiconductors during resonance scattering of charge carriers

机译：载流子共振散射过程中退化半导体中的洛伦兹数和霍尔因子
- 作者：Prokofeva LV;Shabaldin AA;Korchagin VA;Nemov SA;Ravich YI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第10期
- THERMAL-CONDUCTIVITY;
- LEAD-TELLURIDE;
- PBTE-TI;
- STATES;
- IMPURITY;
- THALLIUM;
- HEAT;
- PBSE;
64.Sources of spontaneous emission based on indium arsenide

机译：基于砷化铟的自发辐射源
- 作者：Zotova NV;Ilinskaya ND;Karandashev SA;Matveev BA;Remennyi MA;Stus NM
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第6期
- LIGHT-EMITTING-DIODES;
- LIQUID-PHASE EPITAXY;
- BUILT-IN CAVITIES;
- MID-IR LEDS;
- 3.3 MU-M;
- QUANTUM EFFICIENCY;
- SURFACE RECOMBINATION;
- ROOM-TEMPERATURE;
- GAS-DETECTION;
- INTERFACE;
65.Effect of magnetic field on the current-voltage characteristic of the n-GaAs-p-Ge heterojunction

机译：磁场对n-GaAs-p-Ge异质结电流-电压特性的影响
- 作者：Gadjialiev MM;Pirmagomedov ZS
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第9期
66.The role of transport processes of nonequilibrium charge carriers in radiative properties of arrays of InAs/GaAs quantum dots

机译：非平衡电荷载流子的传输过程在InAs / GaAs量子点阵列辐射特性中的作用
- 作者：Shkolnik AS;Savelyev AV;Karachinsky LY;Gordew NY;Seisyan RP;Zegrya GG;Pellegrini S;Buller GS;Evtikhiev VP
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第3期
- RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE MEASUREMENTS;
- DECAY TIME MEASUREMENTS;
- 010 DIRECTION;
- SURFACES;
- LASERS;
- TEMPERATURE;
- EMISSION;
- STORAGE;
- INGAAS;
67.Wannier-Stark effect in Ge/Si quantum dot superlattices

机译：Ge / Si量子点超晶格中的Wannier-Stark效应
- 作者：Sobolev MM;Cirlin GE;Tonkikh AA;Zakharov ND
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第3期
- LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY;
- GAAS;
- LOCALIZATION;
- TRANSPORT;
- SINGLE;
- STATES;
- MOLECULE;
- WELL;
68.Effect of iodine impurity on relaxation of photoexcited silver chloride

机译：碘杂质对光激发氯化银弛豫的影响
- 作者：Vostrikova YV;Klyuev VG
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第3期
69.Decrease in effective electron mobility in the channel of a metal-oxide-semiconductor transistor as the gate length is decreased

机译：随着栅极长度的减小，有效金属迁移率在金属氧化物半导体晶体管的沟道中减小
- 作者：Frantsuzov AA;Boyarkina NI;Popov VP
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- SERIES RESISTANCE;
- MOSFETS;
- EXTRACTION;
- TRAPS;
70.Ionization of the sulfur-related DX Center in In1-xGaxP in an electric field

机译：电场中In1-xGaxP中与硫有关的DX中心的电离
- 作者：Krutogolov YK
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第2期
- DEEP CENTERS;
- ALXGA1-XAS;
- GAAS;
- SEMICONDUCTORS;
- EMISSION;
- SYMMETRY;
- BEHAVIOR;
- MODELS;
- DONORS;
- LEVEL;
71.Specific features of luminescence spectra of ZnS : O and ZnS : Cu(O) crystals in the context of the band anticrossing theory

机译：带反交叉理论背景下ZnS：O和ZnS：Cu（O）晶体的发光光谱的特定特征
- 作者：Morozova NK;Mideros DA;Galstyan VG;Gavrishchuk EM
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第9期
- PRESSURE;
72.Edge electroluminescence of the effective silicon point-junction light-emitting diode in the temperature range 80-300 K

机译：有效硅点结型发光二极管在80-300 K温度范围内的边缘电致发光
- 作者：Emelyanov AM
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第11期
- STABLE SPECTRAL CHARACTERISTICS;
- EXTENDED STRUCTURAL DEFECTS;
- RECOMBINATION RADIATION;
- INTERBAND-TRANSITIONS;
- ION-IMPLANTATION;
- REGION;
- LEDS;
- SI;
- LUMINESCENCE;
- BORON;
73.Injection-based photodetectors

机译：基于注入的光电探测器
- 作者：Vikulin IM;Kurmashev SD;Stafeev VI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第1期
74.Electroluminescence and phototrigger effect in single crystals of GaSxSe1-x alloys

机译：GaSxSe1-x合金单晶的电致发光和光触发效应
- 作者：Kyazym-Zade AG;Salmanov VM;Mokhtari AG;Dadashova VV;Agaeva AA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
75.Calculation of capacitance of self-compensated semiconductors with intercenter hops of one and two electrons (by the example of silicon with radiation defects)

机译：具有一个和两个电子的中心跃点的自补偿半导体的电容计算（以具有辐射缺陷的硅为例）
- 作者：Poklonski N;Vyrko S;Zabrodskii A
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第12期
- FERMI-LEVEL;
- AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS;
- CARRIER CONCENTRATION;
- MODEL;
- ENERGY;
- CONDUCTION;
- CRYSTALS;
- STATES;
76.Autosolitons in bistable system of silicon with deep impurity levels

机译：杂质水平高的硅双稳态体系中的自孤子
- 作者：Musaev AM
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第10期
77.Study of self-organization in disordered materials using information theory

机译：利用信息论研究无序材料的自组织
- 作者：Avacheva TG;Bodyagin NV;Vikhrov SP;Mursalov SM
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
78.Mechanisms of rectification of a high-frequency signal by a field-effect heterotransistor with a short channel

机译：短通道场效应异质晶体管对高频信号的整流机理
- 作者：Orlov ML
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第3期
- TERAHERTZ RADIATION;
- EFFECT TRANSISTORS;
- PLASMA-WAVES;
- DC CURRENT;
79.Photoluminescence spectra of n-ZnO/p-GaN :(Er+Zn) and p-AlGaN :(Er+Zn) heterostructures

机译：n-ZnO / p-GaN：（Er + Zn）和p-AlGaN：（Er + Zn）异质结构的光致发光光谱
- 作者：Mezdrogina MM;Krivolapchuk VV;Feoktistov NA;Danilovskii EY;Kuzmin RV;Razumov SV;Kukushkin SA;Osipov AV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第7期
- P-TYPE;
- CRYSTALS;
- EU;
- ER;
80.Effect of electric field in the course of obtaining alpha-SiOx:H(Er,O) films by dc magnetron sputtering on their composition and photoluminescence intensity of erbium ions

机译：直流磁控溅射制备α-SiOx：H（Er，O）薄膜过程中电场对their离子组成和光致发光强度的影响
- 作者：Undalov YK;Terukov EI;Gusev OB;Lebedev VM;Trapeznikova IN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第11期
- OXYGEN;
81.Critical thickness for the Stranski-Krastanov transition treated with the effect of segregation

机译：偏析处理的Stranski-Krastanov转变的临界厚度
- 作者：Yurasov DV;Drozdov YN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
- INGAAS/GAAS QUANTUM-WELLS;
- COHERENT;
- NANOSTRUCTURES;
- EPITAXY;
- DOTS;
- MORPHOLOGIES;
- RELAXATION;
- EVOLUTION;
- STRESS;
- GROWTH;
82.Superfluid-insulator transition in 'Dirty' ultracold Fermi gas

机译：“肮脏”超冷费米气体中的超流体-绝缘体转变
- 作者：Shklovskii BI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第8期
- LOCALIZATION;
- PERCOLATION;
83.Specific features of the generation-recombination properties of bistable defects in semiconductors: Manifestation in Hoffmann's function

机译：半导体双稳态缺陷的产生-重组性质的特定特征：霍夫曼函数的表现
- 作者：Nikitina AG;Zuev VV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第10期
- ELECTRONIC CORRELATION-ENERGY;
- DIFFERENTIAL EVALUATION;
- AMPHOTERIC CENTERS;
- NEGATIVE-U;
- SILICON;
- DONORS;
84.Enhancement of photoluminescence of structures with nanocrystalline silicon stimulated by low-dose irradiation with gamma-ray photons

机译：低剂量伽马射线光子辐照刺激的纳米晶体硅增强结构的光致发光
- 作者：Lisovskyy IP;Indutnii IZ;Muravskaya MV;Voitovich VV;Gule EG;Shepelyavyi PE
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
- SIOX FILMS;
- PASSIVATION;
- EMISSION;
- ORDER;
- IR;
85.Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals

机译：离子能量损失率对硅纳米晶注入过程中缺陷形成的影响
- 作者：Kachurin GA;Cherkova SG;Marin DV;Gutakovskii AK;Cherkov AG;Volodin VA
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第9期
- SI NANOCRYSTALS;
- MOLECULAR-DYNAMICS;
- IRRADIATION;
- AMORPHIZATION;
- CRYSTALLINE;
86.Measurement and comparison of silicon p-i-n-photodiodes with ac impedance at different voltages

机译：在不同电压下具有交流阻抗的p-i-n硅光电二极管的测量和比较
- 作者：Ozden S;Bayhan H;Donmez A;Bayhan M
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第7期
- DIFFERENT TEMPERATURES;
- PARAMETERS;
- SPECTROSCOPY;
- BSFR;
87.Emission spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum well heterostructures: Model of the two-dimensional joint density of states

机译：InGaN / AlGaN / GaN量子阱异质结构的发射光谱：二维状态联合密度模型
- 作者：Badgutdinov ML;Yunovich AE
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第4期
- LIGHT-EMITTING-DIODES;
- ELECTRICAL-PROPERTIES;
- LUMINESCENCE SPECTRA;
- BLUE;
88.Specific features of formation of GaAs nanowire crystals during molecular beam epitaxy on different silicon surfaces

机译：不同硅表面上分子束外延过程中GaAs纳米线晶体形成的特定特征
- 作者：Samsonenko Y;Cirlin GE;Egorov V;Polyakov N;Ulin V;Dubrovskii V
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第12期
- GROWTH;
- MECHANISM;
- SI(100);
89.The sandwich InGaAs/GaAs quantum dot structure for IR photoelectric detectors

机译：红外光电探测器的InGaAs / GaAs夹心量子点结构
- 作者：Moldavskaya LD;Vostokov NV;Gaponova DM;Daniltsev VM;Drozdov MN;Drozdov YN;Shashkin VI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第1期
- CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;
- 1.3 MU-M;
- INFRARED PHOTODETECTORS;
- PHASE EPITAXY;
- PHOTOLUMINESCENCE;
- INAS/GAAS;
- TEMPERATURE;
90.Optical orientation of holes in strained nanostructures

机译：应变纳米结构中孔的光学取向
- 作者：Averkiev NS;Sablina NI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第3期
- SEMICONDUCTORS;
91.Magnetic susceptibility of Bi2Te3-Sb2Te3 alloys

机译：Bi2Te3-Sb2Te3合金的磁化率
- 作者：Stepanov NP;Gilfanov AK;Ivanova LD;Granatkina YV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第4期
92.The binding energy of excitons and X (+) and X (-) trions in one-dimensional systems

机译：一维系统中激子与X（+）和X（-）三子的结合能
- 作者：Semina M;Sergeev R;Suris R
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第12期
- GROUND-STATE ENERGY;
- CHARGED EXCITONS;
- QUANTUM WIRES;
- SEMICONDUCTORS;
- NANOSTRUCTURES;
- IONIZATION;
- ABSORPTION;
- SPECTRA;
- FIELD;
- DOTS;
93.Properties of MIS structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

机译：基于分子束外延生长的梯度间隙HgCdTe的MIS结构性质
- 作者：Voitsekhovskii AV;Nesmelov SN;Dzyadookh SM;Varavin VS;Dvoretskii SA;Mikhailov NN;Sidorov YG;Vasiliev VV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第11期
94.Composition and parameters of domains resulting from spinodal decomposition of quaternary alloys in epitaxial GaInP/Ga (x) In1-xAsyP1-y/GaInP/GaAs(001) heterostructures

机译：外延GaInP / Ga（x）In1-xAsyP1-y / GaInP / GaAs（001）异质结构中四元合金旋节线分解产生的畴的组成和参数
- 作者：Domashevskaya EP;Gordienko NN;Rumyantseva NA;Agapov BL;Seredin PV;Bityutskaya LA;Arsentev IN;Vavilova LS;Tarasov IS
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第9期
- MISCIBILITY-GAP;
- SOLID-SOLUTIONS;
95.Boundary instability of a two-dimensional electron fluid

机译：二维电子流体的边界不稳定性
- 作者：Dyakonov MI
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第8期
- TRANSISTOR;
96.Generation of superradiation in quantum dot nanoheterostructures

机译：量子点纳米异质结构中超辐射的产生
- 作者：Savelyev AV;Karachinsky LY;Novikov II;Gordeev NY;Seisyan RP;Zegrya GG
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第6期
- SUPERFLUORESCENCE;
- SEMICONDUCTORS;
97.Properties and structure of (As2Se3)(1-z) (SnSe2) (z-x) (Tl2Se) (x) and (As2Se3)(1-z) (SnSe) (z-x) (Tl2Se) (x) glasses

机译：（As2Se3）（1-z）（SnSe2）（z-x）（Tl2Se）（x）和（As2Se3）（1-z）（SnSe）（z-x）（Tl2Se）（x）玻璃的性质和结构
- 作者：Bordovsky GA;Marchenko AV;Terukov EI;Seregin PP;Likhodeeva TV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第11期
98.Theoretical study of auger recombination processes in deep quantum wells

机译：深量子阱中俄歇重组过程的理论研究
- 作者：Danilov LV;Zegrya GG
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
- HETEROSTRUCTURES;
99.Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures

机译：w-GaN / AlGaN（0001）双势垒结构中隧道电流的磁滞
- 作者：Razzhuvalov AN;Grinyaev SN
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第5期
- MOLECULAR-BEAM EPITAXY;
- SPONTANEOUS POLARIZATION;
- INTRINSIC BISTABILITY;
- DIODES;
- HETEROSTRUCTURES;
- FIELDS;
100.Features of long-term relaxation of capacitance in rectifying structures based on n-ZnP2

机译：基于n-ZnP2的整流结构中电容的长期弛豫特性
- 作者：Stamov IG;Tkachenko DV
- 期刊名称：《Semiconductors》 | 2008年第6期
- SCHOTTKY-BARRIER;
- ZNP2 CRYSTALS;
- EXCITONS;

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