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Journal of Materials Science. Materials in Electronics
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志。电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
1.020
发文量:13587
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1.
Characterization of Sn-doped BST thin films on LaNiO_3-coated Si substrate
机译:
LaNiO_3涂层的Si衬底上掺Sn的BST薄膜的特性
作者:
Wencheng Hu
;
Chuanren Yang
;
Xiaobo Liu
;
Wei He
;
Xianzhong Tang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
2.
Electrical properties and interfacial reaction of BGA package with underfill
机译:
底部填充BGA封装的电学性质和界面反应
作者:
Bo-In Noh
;
Seung-Boo Jung
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
3.
Effect of zinc additions on structure and properties of Sn-Ag eutectic lead-free solder alloy
机译:
锌添加量对Sn-Ag共晶无铅焊料合金结构和性能的影响
作者:
Mustafa Kamal
;
El Said Gouda
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
4.
Influences of particle size upon room temperature structure of BaTiO_3 thin films on p-Si substrates
机译:
粒径对p-Si衬底上BaTiO_3薄膜室温结构的影响
作者:
Ki-Deuk Min
;
Jongwon Lee
;
Taek Yeong Lee
;
Jong Han Chun
;
Hong-Kee Lee
;
Dae Jung Kim
;
Yong Dae Choi
;
Bong Gyoo Cho
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
5.
Zero and negative temperature coefficients of resistivity of rapidly solidified Bi-Sn alloys using melt-spinning technique
机译:
熔融纺丝技术快速凝固的Bi-Sn合金电阻率的零温度系数和负温度系数
作者:
Mustafa Kamal
;
Tarek El-Ashram
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
6.
The effect of glass addition on the dielectric properties of barium strontium titanate
机译:
玻璃添加量对钛酸锶锶钡介电性能的影响
作者:
B. R. Priya Rani
;
M. T. Sebastian
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
7.
Characterization of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) 50/50 copolymer films as a gate dielectric
机译:
聚(偏二氟乙烯-三氟乙烯)50/50共聚物薄膜作为栅极电介质的特性
作者:
Soojin Wi
;
N. Senthilkumar
;
Shi-Woo Rhee
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
8.
Preparation and characterization of Co-Fe-B thin films produced by electroless deposition
机译:
化学沉积制备的Co-Fe-B薄膜的制备与表征
作者:
N. Dadvand
;
G. Jarjoura
;
G. J. Kipouros
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
9.
Activation kinetics of the As acceptor in HgCdTe
机译:
HgCdTe中As受体的活化动力学
作者:
D. Shaw
;
P. Capper
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
10.
Hydrothermal preparation and properties of nanocrystalline ZnS:Mn
机译:
ZnS:Mn纳米晶的水热制备及性能
作者:
Zhouyun Ren
;
Hua Yang
;
Lianchun Shen
;
Sang Do Han
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
11.
Electrical properties of some Y_2O_3 and/or Fe_2O_3-containing lithium silicate glasses and glass-ceramics
机译:
某些含Y_2O_3和/或Fe_2O_3的硅酸锂玻璃和玻璃陶瓷的电性能
作者:
Mohamed M. Gomaa
;
Hussein Darwish
;
Saad M. Salman
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
12.
Field emission properties of carbon nanotube pastes examined using design of experiments
机译:
使用实验设计检查碳纳米管浆料的场发射特性
作者:
Nono Darsono
;
Sung-Wook Kwon
;
Dang-Hyok Yoon
;
Jaemyung Kim
;
Heesung Moon
;
Seoung-Uk Park
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
13.
Stability of impurity-vacancy pairs in germanium carbide
机译:
碳化锗中的杂质-空位对的稳定性
作者:
Alexander Chroneos
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
14.
Dielectric and piezoelectric properties of Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-BaNb_2O_6 lead-free piezoelectric ceramics
机译:
Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-BaNb_2O_6无铅压电陶瓷的介电和压电性能
作者:
Changrong Zhou
;
Xinyu Liu
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
15.
Encapsulation of silver particles using co-axial jetting
机译:
使用同轴喷射包封银颗粒
作者:
S. R. Samarasinghe
;
K. Balasubramanian
;
M. J. Edirisinghe
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第1期
16.
Anisotropic lattice coherency of GaAs nanocrystals deposited on Si(100) surface by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延沉积在Si(100)表面的GaAs纳米晶体的各向异性晶格相干性
作者:
Hiroyuki Usui
;
Hidehiro Yasuda
;
Hirotaro Mori
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
17.
Atomic layer deposition of hafnium oxide dielectrics on silicon and germanium substrates
机译:
氧化ha电介质在硅和锗衬底上的原子层沉积
作者:
D. W. McNeill
;
S. Bhattacharya
;
H. Wadsworth
;
F. H. Ruddell
;
S. J. N. Mitchell
;
B. M. Armstrong
;
H. S. Gamble
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
18.
Au agglomerates observed in the out-diffusion process of supersaturated high-temperature substitutional Au in Si
机译:
在Si中过饱和高温置换Au的扩散过程中观察到Au的团聚
作者:
M. Morooka
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
19.
Carrier lifetime analysis in thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by gate-induced drain current transients
机译:
通过栅极感应的漏极电流瞬态分析薄栅氧化物FD-SOI n-MOSFET的载流子寿命
作者:
K. Hayama
;
K. Takakura
;
H. Ohyama
;
J. M. Rafi
;
A. Mercha
;
E. Simoen
;
C. Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
20.
Degradation of SiC-MESFETs by irradiation
机译:
辐照降解SiC-MESFET
作者:
H. Ohyama
;
K. Takakura
;
K. Uemura
;
K. Shigaki
;
T. Kudou
;
T. Matsumoto
;
M. Arai
;
S. Kuboyama
;
C. Kamezawa
;
E. Simoen
;
C. Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
21.
Dislocations at the interface between sapphire and GaN
机译:
蓝宝石与GaN之间的界面处的位错
作者:
A. Lankinen
;
T. Lang
;
S. Suihkonen
;
O. Svensk
;
A. Saeynaetjoki
;
T. O. Tuomi
;
P. J. McNally
;
M. Odnoblyudov
;
V. Bougrov
;
A. N. Danilewsky
;
P. Bergman
;
R. Simon
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
22.
Double-polysilicon self-aligned lateral bipolar transistor
机译:
双多晶硅自对准横向双极晶体管
作者:
P. Pengpad
;
D. M. Bagnall
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
23.
GaN based high temperature strain gauges
机译:
GaN基高温应变片
作者:
V. Tilak
;
J. Jiang
;
P. Batoni
;
A. Knobloch
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
24.
In-line characterization of dielectric constant and leakage currents of low-k films with corona charge method
机译:
电晕电荷法在线表征低k膜的介电常数和漏电流
作者:
D. Fossati
;
C. Beitia
;
L. Plantier
;
G. Imbert
;
S. Passefort
;
M. Desbois
;
F. Volpi
;
J.-C. Royer
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
25.
Negative photoinduced current and negative differential characteristics of new optoelectronic sensors with InAs/GaAs nanostructure for visual recognition
机译:
具有InAs / GaAs纳米结构的新型光电传感器的负光感应电流和负微分特性,可用于视觉识别
作者:
Y. Matsui
;
Y. Miyoshi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
26.
Radiation damages of GaAlAs LEDs by 70-MeV proton and 2-MeV electron irradiation
机译:
70 MeV质子和2 MeV电子辐射对GaAlAs LED的辐射损伤
作者:
H. Ohyama
;
H. Shitogiden
;
K. Takakura
;
K. Shigaki
;
S. Kuboyama
;
C. Kamesawa
;
E. Simoen
;
C. Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
27.
Si/SiGe near-infrared photodetectors grown using low pressure chemical vapour deposition
机译:
使用低压化学气相沉积法生长的Si / SiGe近红外光电探测器
作者:
P. Iamraksa
;
N. S. Lloyd
;
D. M. Bagnall
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
28.
Structural, optical and electrical characterization of undoped ZnMgO film grown by spray pyrolysis method
机译:
喷雾热解法制备未掺杂ZnMgO薄膜的结构,光电特性
作者:
K. Yoshino
;
S. Oyama
;
M. Yoneta
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
29.
UV Raman spectroscopy of group IV nanocrystals embedded in a SiO_2 matrix
机译:
嵌入SiO_2基质的IV型纳米晶体的UV拉曼光谱。
作者:
A. C. Prieto
;
A. Torres
;
J. Jimenez
;
A. Rodriguez
;
J. Sangrador
;
T. Rodriguez
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
30.
Dislocations in GaAs p-i-n diodes grown by hydride vapour phase epitaxy
机译:
氢化物气相外延生长的GaAs p-i-n二极管中的位错
作者:
A. Saeynaetjoki
;
A. Lankinen
;
T. O. Tuomi
;
P. J. McNally
;
A. Danilewsky
;
Y. Zhilyaev
;
L. Fedorov
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
31.
Dislocations of ZnO single crystals examined by X-ray topography and photoluminescence
机译:
X射线形貌和光致发光检查ZnO单晶的位错
作者:
K. Yoshino
;
M. Yoneta
;
I. Yonenaga
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
32.
Editorial
机译:
社论
作者:
Patrick McNally
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
33.
Electrical studies on sputtered CuCl thin films
机译:
溅射CuCl薄膜的电学研究
作者:
Gomathi Natarajan
;
R. T. Rajendra Kumar
;
S. Daniels
;
D. C. Cameron
;
P. J. McNally
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
34.
High temperature assessment of nitride-based devices
机译:
氮化物基器件的高温评估
作者:
R. Cuerdo
;
J. Pedros
;
A. Navarro
;
A. F. Brana
;
J. L. Pau
;
E. Munoz
;
F. Calle
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
35.
In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs
机译:
GaAs上外延稀GaAsN缺陷的原位光反射和同步X射线形貌研究
作者:
O. Reentilae
;
A. Lankinen
;
M. Mattila
;
A. Saeynaetjoki
;
T. O. Tuomi
;
H. Lipsanen
;
L. OReilly
;
P. J. McNally
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
36.
Morphological, optical and electrical properties of γ CuCl deposited by vacuum evaporation
机译:
真空蒸发沉积γCuCl的形貌,光电特性
作者:
Francis Olabanji Lucas
;
A. Mitra
;
P. J. McNally
;
L. OReilly
;
S. Daniels
;
Gomathi Natarajan
;
K. Durose
;
Y. Y. Proskuryakov
;
D. C. Cameron
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
37.
Non-equilibrium Green's function method for modeling quantum electron transport in nano-scale devices with anisotropic multiband structure
机译:
各向异性多带结构纳米器件中量子电子传输建模的非平衡格林函数方法
作者:
Helmy Fitriawan
;
Matsuto Ogawa
;
Satofumi Souma
;
Tanroku Miyoshi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
38.
Optical property and crystalline quarity of Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films
机译:
Si和Ge添加的β-Ga_2O_3薄膜的光学性质和晶体质量
作者:
K. Takakura
;
T. Kudou
;
K. Hayama
;
K. Shigaki
;
H. Ohyama
;
K. Kayamoto
;
M. Shibuya
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
39.
Effect of inter-electrode spacing on structural and electrical properties of RF sputtered AlN films
机译:
电极间距对射频溅射AlN薄膜结构和电性能的影响
作者:
J. P. Kar
;
S. Mukherjee
;
G. Bose
;
S. Tuli
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
40.
Effect of preparation methods on microstructures and microwave dielectric properties of Ba(Mg_(1/3)Nb2/3)O_3 ceramics
机译:
制备方法对Ba(Mg_(1/3)Nb2 / 3)O_3陶瓷微观结构和微波介电性能的影响
作者:
Z. Q. Tian
;
H. Wang
;
W. J. Huang
;
C. Y. Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
41.
Effects of activation time on the electrochemical capacitance of activated carbon nanotubes
机译:
活化时间对活性炭纳米管电化学电容的影响
作者:
Q. Jiang
;
Q. Zhang
;
B. Du
;
R. L. Zou
;
Y. H. Liu
;
Y. Zhao
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
42.
GeSe_2-Ga_2S_3-PbI_2 as materials for IR-stimulated optical second harmonic generation
机译:
GeSe_2-Ga_2S_3-PbI_2作为红外激发光二次谐波产生的材料
作者:
Jean Ebothe
;
W. Imiolek
;
K. J. Plucinski
;
D. Hui
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
43.
Structure and photochromism of polyoxometalates nanoparticles in cross-linked polymer networks
机译:
交联聚合物网络中多金属氧酸盐纳米粒子的结构和光致变色
作者:
Jie Chen
;
Yan Liu
;
Wei Feng
;
Wei-Min Cai
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
44.
The effects of third alloying elements on the bulk Ag_3Sn formation in slowly cooled Sn-3.5Ag lead-free solder
机译:
第三合金元素对缓慢冷却的Sn-3.5Ag无铅焊料中大量Ag_3Sn形成的影响
作者:
Jun Shen
;
Shiqiang Lai
;
Yongchang Liu
;
Houxiu Gao
;
Jun Wei
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
45.
BaTiO_3 and SrBiO_(2.5) two phase system NTC thermistors
机译:
BaTiO_3和SrBiO_(2.5)两相系统NTC热敏电阻
作者:
Xvqiong Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
46.
Effect of Al content on the formation of intermetallic compounds in Sn-Ag-Zn lead-free solder
机译:
Al含量对Sn-Ag-Zn无铅焊料中金属间化合物形成的影响
作者:
J. B. Wan
;
Y. C. Liu
;
C. Wei
;
Z. M. Gao
;
C. S. Ma
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
47.
Effect of temperature on thermally induced defects in silicon
机译:
温度对硅中热致缺陷的影响
作者:
Akbar Ali
;
Abdul Majid
;
M. Nawaz Saleh
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
48.
Effects of bonding frequency on Au wedge wire bondability
机译:
键合频率对金楔形键合能力的影响
作者:
Yu Hin Chan
;
Jang-Kyo Kim
;
Deming Liu
;
Peter C. K. Liu
;
Yiu Ming Cheung
;
Ming Wai Ng
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
49.
Influence of deposition parameters on preferred orientation of RF magnetron sputtered BST thin films
机译:
沉积参数对射频磁控溅射BST薄膜择优取向的影响
作者:
Songzhan Li
;
Yanqin Yang
;
L. Liu
;
T. J. Zhang
;
W. H. Huang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
50.
Phase relations in the Cu_2Te-A_l2Te_3 semiconductor system
机译:
Cu_2Te-A_l2Te_3半导体系统中的相位关系
作者:
B. V. Korzun
;
A. A. Fadzeyeva
;
K. Bente
;
Th. Doering
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
51.
Preparation of CdS_xSe_(1-x) films by brush plating technique and their characteristics
机译:
刷镀法制备CdS_xSe_(1-x)薄膜及其特性
作者:
K. R. Murali
;
P. Elango
;
P. Andavan
;
K. Venkatachalam
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
52.
Pulse plated zinc sulphide films and their characteristics
机译:
脉冲镀硫化锌膜及其特性
作者:
K. R. Murali
;
J. Abirami
;
T. Balasubramanian
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
关键词:
ZnS fims;
Ⅱ-Ⅵ;
pulse plating;
properties;
53.
Seed-layer controlled synthesis of well-aligned ZnO nanowire arrays via a low temperature aqueous solution method
机译:
通过低温水溶液法晶种可控地合成取向良好的ZnO纳米线阵列
作者:
Ming Wang
;
Chang-Hui Ye
;
Ye Zhang
;
Hui-Xin Wang
;
Xiao-Yan Zeng
;
Li-De Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
54.
Strain oriented microstructural change during the fabrication of free-standing PbSe micro-rods
机译:
自立式PbSe微棒制造过程中应变取向的微观结构变化
作者:
S. Mukherjee
;
S. Jain
;
F. Zhao
;
J. P. Kar
;
D. Li ? Z. Shi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第3期
55.
Creep property of composite solders reinforced by nano-sized particles
机译:
纳米颗粒增强的复合焊料的蠕变性能
作者:
Yaowu Shi
;
Jianping Liu
;
Zhidong Xia
;
Yongping Lei
;
Fu Guo
;
Xiaoyan Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
56.
Microstructure and dielectric properties of BaTiO_3-based X7R ceramics
机译:
BaTiO_3基X7R陶瓷的微观结构和介电性能
作者:
Liying Chen
;
Shunhua Wu
;
Shuang Wang
;
Guoqing Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
57.
Microstructure and dielectric properties of BaZr_xTi_(1-x)O_3 ceramics
机译:
BaZr_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微观结构和介电性能
作者:
Hongwei Chen
;
Chuanren Yang
;
Chunlin Fu
;
Jun Shi
;
Jihua Zhang
;
Wenjian Leng
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
58.
Modeling vacancy injection from the silicon/silicon-nitride interface
机译:
从硅/硅氮化物界面模拟空位注入
作者:
Mohammad Hasanuzzaman
;
Yaser M. Haddara
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
59.
Modified thermoelectric figure of merit estimated from enhanced mobility of [100] oriented beta-FeSi_2 thin film
机译:
根据[100]取向的β-FeSi_2薄膜迁移率的提高估算出热电性能的修正值
作者:
Hirofumi Kakemoto
;
Tohru Higuchi
;
Hajime Shibata
;
Satoshi Wada
;
Takaaki Tsurumi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
60.
Raman scattering studies of ultrashallow Sb implants in strained Si
机译:
应变硅中超浅Sb植入物的拉曼散射研究
作者:
L. OReilly
;
N. S. Bennett
;
P. J. McNally
;
B. J. Sealy
;
N. E. B. Cowern
;
A. Lankinen
;
T. O. Tuomi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
61.
Thermal annealing behaviour on Schottky barrier parameters and structural properties of Au contacts to n-type GaN
机译:
热退火行为对肖特基势垒参数和Au接触n型GaN的结构性能的影响
作者:
K. Jagadeswara Reddy
;
Varra Rajagopal Reddy
;
P. Narasimha Reddy
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
62.
Thermal creep and fracture behaviors of the lead-free Sn-Ag-Cu-Bi solder interconnections under different stress levels
机译:
无应力Sn-Ag-Cu-Bi焊料互连在不同应力水平下的热蠕变和断裂行为
作者:
X. P. Zhang
;
L. M. Yin
;
C. B. Yu
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
63.
Thickness dependence of refractive index and optical gap of PMMA layers prepared under electrical field
机译:
电场作用下制备的PMMA层的折射率与光学间隙的厚度依赖性
作者:
V. Svorcik
;
O. Lyutakov
;
I. Huttel
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
64.
Characteristics of sol-gel dip coated Ceria films
机译:
溶胶-凝胶浸涂二氧化铈薄膜的特性
作者:
K. R. Murali
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
65.
Dependence of Cu/In ratio of structural and electrical characterization of CuInS_2 crystal
机译:
Cu / In比对CuInS_2晶体结构和电学特性的影响
作者:
K. Yoshino
;
K. Nomoto
;
A. Kinoshita
;
T. Ikari
;
Y. Akaki
;
T. Yoshitake
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
66.
Determination of carrier mobility vs resistivity relation in Czochralski-grown n- and p-type Si_xGe_(1-x) (0.93 < x < 0.96) single crystals
机译:
Czochralski生长的n型和p型Si_xGe_(1-x)(0.93
作者:
I. Yonenaga
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
67.
Dielectric and piezoelectric characterization of PSZT-BT ceramics for capacitor applications
机译:
用于电容器的PSZT-BT陶瓷的介电和压电特性
作者:
Ramam Koduri
;
Jose Rodrigo Anfossi Orellana
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
68.
Electrical and morphological characterization of polyaniline/ sulfonated poly(arylene ether sulfone) composite films
机译:
聚苯胺/磺化聚(亚芳基醚砜)复合薄膜的电学和形貌表征
作者:
Nurdan D. Sankir
;
Mehmet Sankir
;
Richard O. Claus
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
69.
Investigation on the synthesis of (Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3 and the modulation effect of CaTiO_3
机译:
(Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3的合成及CaTiO_3的调制效应研究
作者:
Ying Yuan
;
Shuren Zhang
;
Xiaohua Zhou
;
Longcheng Xiang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
70.
PTCR characteristics of semiconducting barium titanate ceramics produced by high-energy ball-milling
机译:
高能球磨制备半导体钛酸钡陶瓷的PTCR特性
作者:
K. Park
;
J.-G. Ha
;
C.-W. Kim
;
Jun-Gyu Kim
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
71.
Size effects in small scaled lead-free solder joints
机译:
小型无铅焊点的尺寸效应
作者:
P. Zimprich
;
A. Betzwar-Kotas
;
G. Khatibi
;
B. Weiss
;
H. Ipser
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
72.
Synthesis and luminescent characterization of YAl_3(BO_3)_4:Tb~(3+) phosphors
机译:
YAl_3(BO_3)_4:Tb〜(3+)荧光粉的合成及发光特性
作者:
Zhouyun Ren
;
Chunyan Tao
;
Hua Yang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
73.
Synthesis and luminescent properties of Sr_4Al_(14)O_25:Eu~(2+) blue-green emitting phosphor for white light-emitting diodes (LEDs)
机译:
Sr_4Al_(14)O_25:Eu〜(2+)蓝绿色荧光粉的合成及发光特性
作者:
Zhanchao Wu
;
Jianxin Shi
;
Jing Wang
;
Menglian Gong
;
Qiang Su
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
74.
In-house development of co-fireable thick film silver conductor for LTCC applications
机译:
内部开发用于LTCC应用的可共烧厚膜银导体
作者:
Shweta Jagtap
;
Varsha Deshpande
;
Vivek Rane
;
Sunit Rane
;
Girish Phatak
;
Dinesh Amalnerkar
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
75.
Microwave dielectric properties of Ba_4LaTiNb_(3-x)Ta_xO_(15) ceramics
机译:
Ba_4LaTiNb_(3-x)Ta_xO_(15)陶瓷的微波介电性能
作者:
Dongyun Gui
;
Hui Zhang
;
Liang Fang
;
Lihui Xue
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
76.
Nanoindentation for measuring individual phase mechanical properties of lead free solder alloy
机译:
用于测量无铅焊料合金单相机械性能的纳米压痕
作者:
Yong Sun
;
Jin Liang
;
Zhi-Hui Xu
;
Guofeng Wang
;
Xiaodong Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
77.
Doping of phthalocyanine films: structural reorganization versus acceptor effect
机译:
酞菁薄膜的掺杂:结构重组与受体效应
作者:
Georgy L. Pakhomov
;
Dmitry A. Kosterin
;
Lev G. Pakhomov
;
Tzung-Fang Guo
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
78.
Effect of homo-buffer layers on the optical properties of ZnO thin films grown by pulsed laser deposition on Si (100)
机译:
均质缓冲层对通过脉冲激光沉积在Si(100)上生长的ZnO薄膜的光学性能的影响
作者:
Weiwei Dong
;
Xuebin Zhu
;
Ruhua Tao
;
Xiaodong Fang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
79.
Effect of Mn substitutions on dielectric properties of high dielectric constant BaTiO_3-based ceramic
机译:
Mn替代对高介电常数BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响
作者:
Shunhua Wu
;
Shuang Wang
;
Liying Chen
;
Xiaoyong Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
80.
Effects of working pressure on the electrical and optical properties of aluminum-doped zinc oxide thin films
机译:
工作压力对掺铝氧化锌薄膜电和光学性能的影响
作者:
Yeon-Keon Moon
;
Borae Bang
;
Se-Hyun Kim
;
Chang-Oh Jeong
;
Jong-Wan Park
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
81.
FT-IR, Raman and UV-VIS spectroscopic studies of copper doped 3Bi_2O_3·B_2O_3 glass matix
机译:
掺铜3Bi_2O_3·B_2O_3玻璃基质的FT-IR,拉曼光谱和UV-VIS光谱研究
作者:
Ioan Ardelean
;
Simona Cora
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
82.
Effect of erbium oxide on synthesis and magnetic properties of yttrium-iron garnet nanoparticles in organic medium
机译:
氧化er对有机介质中钇铁石榴石纳米粒子合成和磁性的影响
作者:
Haitao Xu
;
Hua Yang
;
Lei Lu
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
83.
Elect rode posit ion of tin: a simple approach
机译:
电沉积锡:一种简单的方法
作者:
Anqiang He
;
Qi Liu
;
Douglas G. Ivey
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
84.
Gas sensing properties of nano SnO_2 based thick films prepared by dip coating method with effect of molarity of PtCl_2 solution
机译:
PtCl_2溶液摩尔浓度的浸涂法制备纳米SnO_2基厚膜的气敏特性
作者:
Anil D. Garje
;
Rohini C. Aiyer
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
85.
Modeling silicon-germanium interdiffusion by the vacancy exchange and interstitial mechanisms
机译:
通过空位交换和间隙机制模拟硅锗相互扩散
作者:
Mohammad Hasanuzzaman
;
Yaser M. Haddara
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
86.
Nanoporous ZnO thin films deposited by electrochemical anodization: effect of UV light
机译:
电化学阳极氧化沉积纳米多孔ZnO薄膜:紫外光的影响
作者:
P. K. Basu
;
N. Saha
;
S. Maji
;
H. Saha
;
Sukumar Basu
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
87.
Phase formation and microstructure of Nd~(3+) doped Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3 prepared by sol-gel method
机译:
溶胶-凝胶法制备Nd〜(3+)掺杂Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3的相形成和微观结构
作者:
Aylin Sakar-Deliormanli
;
Erdal Celik
;
Mehmet Polat
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
88.
Profile of the wafer level ECD gold bumps under variable parameters
机译:
可变参数下晶圆级ECD金凸块的轮廓
作者:
X. M. Jing
;
G. Engelmann
;
D. Chen
;
J. Wolf
;
O. Ehrmann
;
H. Reichl
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
89.
Synthesis and characterization of copper substituted lithium manganate spinels
机译:
铜取代锰酸锂尖晶石的合成与表征
作者:
K. R. Murali
;
T. Saravanan
;
M. Jayachandran
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第6期
90.
Conformal growth and characterization of hafnium silicate thin film by MOCVD using HTB (hafnium tertra-tert-butoxide) and TDEAS (tetrakis-diethylamino silane)
机译:
使用HTB(四叔丁醇ha)和IDEAS(四-二甲基氨基硅烷)通过MOCVD适形生长和表征硅酸ha薄膜
作者:
Jaehyun Kim
;
Kijung Yong
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
91.
Impedance studies of polycrystalline tin oxide
机译:
多晶氧化锡的阻抗研究
作者:
James R. Currie
;
Ashok K. Batra
;
Mohammad A. Alim
;
Manmohan D. Aggarwal
;
Ravindra B. Lal
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
92.
EPR and mixed electronic-ionic conductivity studies of pure and manganese doped layered Potassium-Lithium tetra titanates (K_(1.9)Li_(0.1)Ti_4O_9)
机译:
EPR和纯锰掺杂层状钛酸钾-四锂(K_(1.9)Li_(0.1)Ti_4O_9)的EPR和混合电子离子电导率研究
作者:
D. Pal
;
Shripal
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
93.
Nanostructure engineering in porous columnar thin films: recent advances
机译:
多孔柱状薄膜的纳米结构工程:最新进展
作者:
John J. Steele
;
Michael J. Brett
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
94.
Optical properties of amorphous/crystalline ZnO nano-powder prepared by solid state reaction
机译:
固相反应制备非晶/结晶ZnO纳米粉的光学性质
作者:
Haiming Zhang
;
Guoxiang Chen
;
Guangwu Yang
;
Jiavvei Zhang
;
Xiaoyuan Lu
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
95.
Study of polycrystalline ZnTe (ZnTe:Cu) thin films for photovoltaic cells
机译:
用于光伏电池的多晶ZnTe(ZnTe:Cu)薄膜的研究
作者:
Wenwu Wang
;
Gengpei Xia
;
Jiagui Zheng
;
Lianghuan Feng
;
Ruiying Hao
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
96.
Effect of dopants on the low temperature microwave dielectric properties of Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3 ceramics
机译:
掺杂剂对Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷低温微波介电性能的影响
作者:
Manoj Raama Varma
;
N. D. Kataria
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
97.
Effect of annealing on leakage current characteristics of Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt thin-film capacitors
机译:
退火对Pt / Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 / Pt薄膜电容器漏电流特性的影响
作者:
Chunlin Fu
;
Fusheng Pan
;
Hongwei Chen
;
Wei Cai
;
Chuanren Yang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
98.
Dependence of the electrical and optical properties of sputter-deposited ZnO:Ga films on the annealing temperature, time, and atmosphere
机译:
溅射沉积的ZnO:Ga薄膜的电学和光学特性对退火温度,时间和气氛的依赖性
作者:
Keunbin Yim
;
Chongmu Lee
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
99.
Iron and gold related defects in water quenched silicon
机译:
水淬硅中与铁和金有关的缺陷
作者:
Akbar Ali
;
Abdul Majid
;
M. N. Saleh
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
100.
In situ nanoparticulate-reinforced lead-free Sn-Ag composite prepared by rapid solidification
机译:
快速凝固原位制备纳米颗粒增强无铅锡银复合材料
作者:
J. Shen
;
Y. C. Liu
;
H. X. Gao
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第4期
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