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张彩珍; 刘肃; 陈永刚; 吴蓉; 刘春娟;
兰州交通大学,电子与信息工程学院,甘肃,兰州,730070;
兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;
兰州交通大学,自动化与电气工程学院,甘肃,兰州,730070;
异质结; SiGe缓冲层; SEM; QE;
机译:C-Si / A-Si:H异质结太阳能电池的模拟性能,NC-Si:H,μC-Si:H,A-SiC:H和A-SiGe:H发射器层
机译:在p / i界面处具有和不具有a-Si:H缓冲层的a-SiC:H / a-SiGe:H异质结薄膜太阳能电池的特性
机译:具有SiGe缓冲膜的β-SiC/ Si异质结的特性
机译:未掺杂的A-Si:H缓冲层对平面电导和寿命测量的HiS-Si:H缓冲层对A-Si:H / C-Si的异质结的影响
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:退火气氛对Ga2O3 / 4H-SiC n-n异质结二极管特性的影响
机译:浴缸普罗汉缓冲层在散装结构化阴极 - 有机层界面中插入浴缸缓冲层在散装 - 异质结太阳能电池中的影响
机译:使用多个siGe / si层的长波长堆叠siGe / si异质结内部光电发射红外探测器
机译:SiGe异质结双极晶体管和形成SiGe异质结双极晶体管的方法
机译:采用3D纳米结构缓冲层的异质结半导体器件,由于晶格不匹配而使薄膜中的缺陷最小化,从而改善了器件的特性
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