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Schaf.F; 苏世民;
不详;
Si/SiGe; 异质结构; 电子迁移率;
机译:通过硅衬底上生长的SiGe缓冲层的平面化来增强应变Ge异质结构的迁移率
机译:Si / SiGe / Si异质结构的准二维SiGe层中的电子空穴液体和激子分子
机译:应变 - Si层厚度对薄缓冲层中脱位分布和SiGe弛豫的影响 - Si / SiGe异质结构
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:在单个制造步骤中生成自对准SiO2 / Ge / SiO2 / SiGe栅堆叠异质结构的独特方法
机译:非常高迁移率的声电效应$ p $ -siGe / Ge / siGe 高磁场中低温下的异质结构
机译:蓝宝石衬底上siGe / si n-mODFET结构中的高电子迁移率
机译:具有SiGe / Si / SiGe衬底的具有高电子迁移率的半导体器件
机译:Si / Sige-具有高掺杂sige的异质双极晶体管-spacer
机译:包括层结构的MOS场效应晶体管,该层结构包括Si层和SiGe层或SiGeC层作为沟道区
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