Si缓冲层的生长温度对SiGe组分、结构的影响

摘要

本文利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓冲层Si的生长温度之间的关系.研究表明,在外延薄膜中Ge的含量为32±2﹪;当Si缓冲层生长温度在400-500℃范围内,SiGe外延层质量高,没有生长位错出现.X射线反射及原子力显微镜则显示对应最光滑的SiGe外延层表面的Si缓冲层的生长温度为450℃,相应的表面粗糙度仅为大约15(A).