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在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格

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摘要

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．

著录项

来源
《半导体学报》 |1996年第1期|1-5|共5页
作者
盛篪; 周铁城; 龚大卫; 樊永良; 王建宝; 张翔九; 王迅;
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作者单位

复旦大学应用表面物理实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.105;
关键词
元素半导体; 锗; SiGe合金; 硅; 超晶格; 外延生长;

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