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陈可明; 张翔九; 王迅;
复旦大学表面物理实验室;
应变层超晶格; GexSi1-x/Si; Ge/Si;
机译:暗场电子全息技术研究Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格中的应变和薄膜弛豫
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:评论“使用Si〜+预离子注入到Si衬底上以增强Ge_xsi_(1-x)变质缓冲层的应变弛豫,以在Si衬底上生长Ge层” [应用物理来吧90,083507(2007)]
机译:用Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格光电探测器检测1.3〜1.6μm范围内的光波
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:SiGe和Si / Ge超晶格对低能辐射的辐射响应的理论模拟
机译:Si(0.5)Ge(0.5)/ Si应变层超晶格的椭偏研究
机译:si / si(1-x)Ge(x)应变层超晶格的光谱椭偏特征
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:使具有较高Ge浓度的第一SiGe层的应变Si器件松弛以具有与具有较低Ge浓度的第二SiGe层基本相同的晶格常数
机译:利用激光退火形成应变Si沟道和Si 1-x Sub> Ge x Sub>源极/漏极结构
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