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真空科学与技术学报

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  • 国内刊号/CN：11-5177/TB
    国际刊号/ISSN：1672-7126
  • 发行周期：月刊
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  • 主管单位：中国真空学会
    主办单位：中国科学技术协会
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真空科学与技术学报 >2024年第7期
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共4384条结果
  • 摘要：采用扫描式差热 (DSC)分析、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)、梯度样品磁强计 (AGM)和磁力显微镜 (MFM) ,研究磁控溅射制备的Co80 .8Nb14 Zr5.2 磁性薄膜 ,在 4 85℃～ 5 5 0℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化 30s后的薄膜结构和磁性。结果表明 ,非晶薄膜的晶化温度在 4 2 0℃～ 4 5 0℃ ,Avrami指数在 1.17～ 1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co Nb Zr薄膜的磁性能受晶粒大小和晶粒对非晶基体形成应力以及磁晶各向异性的共同影响。
  • 摘要：一、发表在中国科协系统学术期刊中所有学术论文，必须在摘要后列出不少于4个关键词。从技术角度考虑，没有关键词的论文应列入非学术论文类。
  • 摘要：本文比较了室温下每原子质量单位能量相同的As_2^+和As^+注入(100)Si所引入的辐射损伤。结果表明,As_2^+注入引入的辐射损伤大于As^+注入的辐射损伤,损伤增强因子N_D(mol)/2N_D(atom)在5keV/atom至250keV/atom注入能量范围内随入射离子的能量的增大而增加。
  • 摘要：利用现代激光蒸发薄膜沉积技术，完成了Sc2O3＋W薄膜的沉积实验研究，并应用于薄膜型钪系阴极的研制。初步实验表明，这一方法具有稳定、易控、省时、省料和工艺重复性好的优点。所研制的阴极显示了优异的发射性能和良好的激活与耐高温特性。
  • 摘要：在涡旋真空泵相关试验的基础上,通过大型有限元分析软件ANSYS对其工作过程的温度场进行了模拟分析.相关结果表明,软件分析基本上可以反映涡旋真空泵运行过程中温度场分布及变化情况,从而为其设计参数及相关因素的确定提供有效的分析手段.
  • 摘要：采用电子束反应蒸发方法 ,在单晶Si(0 0 1)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜 ,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射 (XRD)分析及光致荧光激发谱(PLE)测量 ,研究了衬底材料结构特性、生长温度及反应气氛中充O2 对ZnO薄膜的晶体结构和晶体光学吸收特性的影响。结果表明 :①衬底温度对沉积的ZnO薄膜的晶体结构影响显著 ,玻璃衬底上生长ZnO薄膜的最佳温度比Si(0 0 1)衬底上生长的最佳温度要高 70℃ ;②虽在最佳生长条件下获得的ZnO薄膜的XRD结果 (半高宽和衍射强度 )相近 ,但光学吸收特性有较大差异 ,Si(0 0 1)衬底上生长的ZnO薄膜优于玻璃衬底上生长的ZnO薄膜 ;③反应气氛中的O2 分压对XRD结构影响不大 ,但对PLE谱影响显著 ,充O2
  • 摘要：针对大型冻干设备控制对象复杂,可靠性及控制精度要求高,特别是冻干设备中加热系统的大惯性、纯滞后、非线性以及时变等特点,在FD-200冻干设备控制系统设计中,采用二次热源控温法,并选用带自动修改调节因子的Fuzzy控制算法,实现对加热搁板温度的控制;采用PID控制调节电动调节充气阀的开度以控制干燥仓的充气量,实现对干燥仓压力的控制;手动调节制冷系统的制冷量和蒸发温度,实现对冷阱温度的控制。碎冰冻干实验和小葱冻干实验表明,加热搁板温度控制精度为±0.6℃,干燥仓压力控制精度为±4 Pa,冷阱温度控制精度±2.5℃,各控制精度均能较好地满足冻干工艺要求。
  • 摘要：Metallo-organic compounds of lanthanum, zirconium are synthesized Crack-free PLZT（8/0/100） films are derived from MOD process using multilayer spinning technique onto silicon, glass ceramic, sapphire and lithium niobate substrates. Two modifications of perovskite structure can be obtained for PLZT（8/0/100）, one is rhombohedral（a=3.948A.a=89.61°）when annealed in air at 550℃. another is tetragonal （a= 3.909A. c=4.046A, c/a= 1.036）when annealed in air over 1100C. PLZT（8 / 66 / 35） films are prepared using same process onto sapphire, lithium niobate and silicon covered with a layer of AI2O3 film. and then fired in air in the temperature range of 650℃to 700℃The PLZT films deposited on Y127°LiNbO3 substrate appear strong （101） preferential
  • 摘要：用磁控溅射法在集成了铂加热电极的Si基膜片型微结构单元上制备了SnO2 和SnO2 Ag敏感薄膜。用温度调制方式和锯齿波加热方式研究了薄膜的电学特性 ,讨论了银催化剂、湿度及氧分压对SnO2 电学特性的影响。从温度调制方式下测得的电阻 温度曲线可以区分由热激发过程和由表面反应过程引起的膜电阻变化。这种方法为研究气敏薄膜表面反应过程和气敏响应机理开辟了新的途径。
  • 摘要：等离子体轰击聚酰亚胺表面会提高挠性印制电路板中溅射铜膜与聚酰亚胺基板的附着力,同时聚酰亚胺表面亲水性随之改变。本文通过改变轰击等离子体种类、轰击电流、轰击时间和轰击气压等条件,研究这些工艺参数与聚酰亚胺表面亲水性的相互关系。在等离子体轰击处理后的聚酰亚胺上磁控溅射镀铜并电镀加厚,利用剥离强度测试仪测量铜膜与聚酰亚胺基板的附着力,并分析亲水性与附着力之间的关系。研究发现,等离子体轰击可以增强聚酰亚胺的亲水性及聚酰亚胺基板与铜膜的附着力,且亲水性越好的样品,溅射镀铜后铜膜与基板的附着力也越好,并得到了等离子体轰击参数与亲水性的关系;研究表明可以把测量亲水性作为聚酰亚胺表面等离子体轰击效果的一种评价方法。
  • 摘要：线圈终端盒是保证国际热核聚变实验堆装置可靠运行的关键部件之一,为磁体系统与低温车间、电源大厅、数据采集系统和低温控制元件提供4.5K的超低温工作环境。线圈终端盒内设有80K冷屏,以吸收室温环境对其内部工作空间带来的辐射热负荷。本文首先根据传热学原理对线圈终端盒冷屏热性能进行理论分析,确定了冷屏的结构型式,然后再对线圈终端盒冷屏结构建模,利用有限元流固体耦合分析软件FLUENT进行了数值模拟仿真分析,最后以设计分析结果为依据制作1∶1线圈终端盒整体实验系统进行实验验证,并对实验数据和数值模拟结果进行了分析比较,结果非常吻合,为下一轮冷屏结构的设计及大规模生产提供了可靠的依据。
  • 摘要：运用XPS和AES研究了PZT薄膜／Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应：在热处理过程中，气氛中的氧气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT／Si界面上，并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散到样品表面形成SiO2表面层。此外，在PZT／Si界面上，Ti的氧化物和Si发生还原反应，形成了TISix金属硅化物，并残留在PZT膜层和SiO2界面层中。在PZT膜层内，有机结碳和钛的氧化物发生还原反应形成了TiCx物种，并存在于PZT膜层中。
  • 摘要：利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术,在Si(100)上制备氮化碳薄膜,并对薄膜进行了拉曼(Raman)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子谱(XPS)等结构的表征。发现溅射靶功率对制膜工艺、薄膜的结构和表面形貌产生很大影响。随着溅射靶功率的增大,薄膜的沉积速率减小,表面粗糙度增大,薄膜结构中的sp2含量增加。
  • 摘要：用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.
  • 摘要：在检漏工作中，要定量地确定被检漏孔的漏率，需要将漏率的量值从气体微流量标准或漏率标准正确地传递到质谱检漏仪。在这个传递过程中，对参考漏孔的校准是一个很重要的环节。以国内外有关的标准和文献为基础，对真空漏孔的常用校准方法──定容变压法、恒压变容法、变容变压法和比较法分别给予分析和介绍。
  • 摘要：类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜。磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到 1万亿字节 /英寸2 。这要求读写磁头距离磁盘更近 ,即需要一层仅 1nm～ 2nm厚的类金刚石薄膜。四面体结构的非晶碳膜能够满足磁存储技术的要求 ,即形成原子尺度平滑、连续、致密 ,只有几个原子层厚的碳膜。磁过滤阴极弧方法、等离子体增强化学气相沉积方法可用来制备符合要求的超薄碳膜。
  • 摘要：本文用程序升温热脱附谱(TDS)及程序升温表面反应谱(TPRS),研究了SmMnO_3及SmFeO_3表面上CO与O_2的吸附与反应。实验表明,在SmMnO_3表面上,室温时就存在能与CO反应生成CO_2的氧物种,而对SmFeO_3来说,在温度为620K以前检测不到能与CO反应生化CO_2的氧物种。当CO与O_2先后吸附于SmMnO_3及SmFeO_3表面,则它们的TPRS都出现CO_2,但两者仍有区别。对SmMnO_2在室温以上的TPRS谱都有两个CO_2脱附峰,而对SmFeO_3则只有在较高温度吸附时才出现CO_2的第二个峰,且第二个峰的峰高在333K与451K间有一个极大值,表明在SmFeO_3上O_2在第二吸附中心的吸附是一个活化吸附过程。
  • 摘要：采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱。用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术分析了薄膜的化学成分。随着气体流量比R的增大a-C:F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大。a-C:F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升。a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制。随着C-C含量的增大,π价带态和π*导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加。
  • 摘要：用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。
  • 摘要：从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析 ,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素。通过对光电阴极制备技术改造 ,使二代近贴聚焦像增强器的管子时间响应小于 2ns。
  • 摘要：利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)方法,以CH4、Ar和H2为气源,在CR-39树脂材料上制备出了含氢非晶碳膜(a-C∶H膜)。研究了不同偏压对a-C∶H膜生长过程和光学特性的影响。使用激光拉曼光谱(Raman)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的结构和成分进行了表征,分别使用纳米压痕仪和紫外一可见光分光光度计测试了样品的机械和光学特性。结果表明,自偏压对a-C:H膜的生长具有重要影响。随着自偏压的升高,所沉积a-C∶H膜中的sp3含量降低,薄膜的硬度和光学透过率也下降。
  • 摘要：La-Mo合金丝是一种新型发射材料,文中叙述使用FEM、SEM、FIM、APFIM法研究其表面特性所得到的结果。
  • 摘要：前栅极碳纳米管场发射显示板是一种常用的场致发射器件。该器件通过栅极与阴极之间形成的电场产生场致发射电子,在阳极高压的作用下,电子从电场中获得能量,轰击荧光粉产生可见光。本文采用模拟计算的方法研究了标准结构场发射区域内的电场分布、阴极表面的发射情况、电子轨迹和着屏束斑。并研究了关键结构参数在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极着屏束斑的影响。计算结果显示,阴极发射状况和阳极束斑对结构参数的变化非常敏感,也证明了前栅极结构对工艺要求十分严格。
  • 摘要：利用溅射-气体-聚集（SGA）共沉积法，分别在方华膜和光学石英玻璃衬底上制备了Cu团簇嵌理在CaF_2介质中的Cu／CaF_2复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜（TEM）分析表明，样品为多晶结构；样品的分光光谱仪测量和光Kerr响应表明，Cu金属的表面等离子体共振吸收频率明显依赖于样品中Cu团簇的大小，随着团簇尺寸的减小，样品共振吸收峰发生红移；并且在吸收峰位附近，表现出较大的第三级非线性系数。
  • 摘要：采用数值方法 ,研究了新型荫罩式PDP(SM PDP)放电单元的着火特性 ,并与传统表面放电式PDP(ACC PDP)作了比较。计算了沿不同放电路径下的气体着火电压 ,讨论并分析了两种结构中 ,某些结构参数的变化对于着火特性的影响。模拟发现 ,SM PDP单元的着火电压要低于ACC PDP ,且在两种结构中 ,电极间距、放电空间大小、介质层对着火电压的影响程度也有一些不同。
  • 摘要：制备CaCu3Ti4O12陶瓷,在50 K^300 K温区范围内测试试样介电性能。研究结果表明,CaCu3Ti4O12结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的大小、出现低介电常数向高介电常数转变时对应温度的高低以及对极化粒子的温度活化响应弥散程度有直接的影响。随晶界和缺陷的下降,极化粒子受缺陷相互作用相应减弱,产生松弛时需要克服的势垒下降,对应的产生松弛的温度随之降低。材料的结晶越完整,极化粒子的温度活化响应弥散现象越小,由低到高介电常数的转变速度越快。
  • 摘要：研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活系统,该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活,并可在线测量阴极的光谱响应曲线。利用该系统分别进行了智能激活和人工激活实验,采集了激活过程中的光电流变化曲线,分析发现,和智能激活过程相比,由于人工激活过程出现了误操作,相邻光电流峰值间的差值下降很快,Cs、O交替的次数也较少。人工激活过程中Cs、O交替6次,光电流最大值为43μA,激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度为796μA/lm。智能激活过程中Cs、O交替9次,光电流最大值为65μA,激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度为1100μA/lm。
  • 摘要：运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜／Si界面化学结构和性能的影响：在PZT薄膜和Si基底间增加Pt扩散阻挡层，可以抑制TiCx物种和TiSix物种的形成，促进PZT薄膜的形成反应。Pt扩散阻挡层的存在阻断了氧和Si的相互扩散反应，促进PZT物种形成钙钛矿型晶体结构，使得形成的PZT薄膜具有和体相材料相近的高介电常数和铁电性能。

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