一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，涉及Ge/Si_1-xGe_x超晶格结构及其制备。本发明的高质量应变Ge/Si_1-xGe_x超晶格结构，包括Si衬底、在Si衬底上依次外延生长的Si_0.2Ge_0.8虚拟衬底层、B掺杂Si_0.2Ge_0.8外延层、Si_0.2Ge_0.8阻挡层、Ge/Si_1-xGe_x超晶格层、P掺杂Si_0.2Ge_0.8外延层、Si_0.2Ge_0.8阻挡层和Si保护层，且0.6≤x≤0.7。本发明采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层，所得超晶格结构具有位错缺陷密度低、厚度薄、界面/表面平整、Ge/Si_1-xGe_x超晶格处于应变状态等特性；且质量高，特别适于制作硅基激光器和波导调制器。