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司俊杰; 杨沁清; 高俊华; 滕达; 王启明; 郭丽伟; 周均铭;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院物理研究所;
锗化硅; 硅; 图形衬底; 结构; 光致发光;
机译:块状单晶SiGe和Si衬底上Si / SiGe应变层超晶格的生长和表征
机译:在Si(001)衬底上通过混合外延生长的松弛SiGe梯度缓冲液上的应变Ge-SiGe异质结构的XRD分析
机译:关于绝缘体上的SiGe和SiGe虚拟衬底上生长的应变Si的应变波动的起源
机译:在体晶SiGe衬底上UHV / CVD Si / SiGe应变层超晶格的生长和表征
机译:在红外光电探测器应用的锑化镓衬底上的应变平衡砷化铟-砷化铟铟II型超晶格。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:Si衬底上SiGe群岛的组合结构和光致发光研究:与现实能级计算的比较
机译:si1-xGex / si和si / Ge应变层超晶格的光致发光研究
机译:具有平面和非平面结构的绝缘体上应变Si和弛豫Si或应变SiGe FET的协整方法
机译:在同一衬底上形成拉伸应变的SiGe鳍片和压缩应变的SiGe鳍片的方法和结构
机译:使用绝缘体上硅衬底上的应变Si / SiGe层增强移动NMOS和PMOS晶体管
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