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王元樟; 陈路; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 方维政; 何力;
中国电子学会;
中国光学光电子行业协会;
倒易点二维扫描图; 剪切应变; 正应变; 分子束外延; 晶格应变;
机译:使用HgTe / CdTe超晶格界面层改善CdZnTe(211)B衬底上HgCdTe的分子束外延生长
机译:分子束外延在倾斜Si(211)衬底上CdTe的异质外延
机译:Hg在CdTe(211)B / Si(211)上的吸附及HgCdTe(211)B的分子束外延生长的原位椭偏研究
机译:(211)B CdZnTe衬底上分子束外延生长HgCdTe的现状
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:分子束外延生长的CdTe脱落剂对(211)Ba GaAs衬底的互核空间映射研究
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。
机译:通过Si衬底上的分子束外延形成的Sigesn虚拟基板,用于GESN的应变生长
机译:通过分子束外延在Si衬底上生长CdTe层的方法
机译:高能效,大衬底,通过分子束外延以高沉积速率生长的多晶CdTe薄膜多晶CdTe薄膜半导体光伏电池结构,用于太阳能发电
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