Si(110)衬底上AlN薄膜的激光分子束外延法制备及其光电性能研究

目录

声明

摘要

1．1引言

1．2 AlN的晶体结构与应用

1．2．2 AlN的应用

1．3 AlN薄膜的制备方法及生长过程

1．3．1 AlN薄膜的制备方法

1．3．2薄膜的生长过程

1．3．3影响薄膜生长的因素

1．4 AlN薄膜的研究进展

1．4．2 Si(110)衬底上生长氮化物薄膜的研究进展

1．5论文的研究意义和研究内容

1．5．1论文的研究意义

1．5．2论文的研究内容

2．1实验材料

2．2衬底材料清洗

2．3激光分子束外延AlN薄膜的工艺

2．4薄膜的测试表征手段

第三章工艺参数对AlN薄膜显微组织结构的影响

3．1衬底温度对AlN薄膜显微组织结构的影响

3．1．1衬底温度对AlN薄膜晶体质量的影响

3．1．2衬底温度对AlN薄膜表面形貌的影响

3．2氮气分压对AlN薄膜显微组织结构的影响

3．2．1氮气分压对AlN薄膜结晶质量的影响

3．2．2氮气分压对AlN薄膜表面形貌的影响

3．3激光频率对AlN薄膜显微组织结构的影响

3．3．1激光频率对AlN薄膜结晶质量的影响

3．3．2激光频率对AlN薄膜表面形貌的影响

3．4 AlN／Si(110)的界面形貌

3．5本章小结

第四章AlN薄膜的光电性能

4．1工艺参数对立方AlN薄膜光学性能的影响

4．1．1紫外-可见反射光谱表征及分析

4．1．2光致发光(PL)表征及分析

4．2 AlN／Si p-n结的电学性能

4．2．1伏安(I-V)特性

4．2．2电致发光(EL)特性

4．3本章小结

第五章结论

参考文献

致谢

攻读学位期间发表的论文情况