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何萌; 吕惠宾; 黄延红; 相文峰; 赵昆; 陈正豪; 周岳亮; 金奎娟; 杨国桢;
中国科学院物理研究所,北京100080;
不详;
激光分子束外延; 外延生长; Si衬底; La1-xSrxMnO3薄膜; 单晶薄膜;
机译:激光分子束外延在SrTiO_3(111)单晶衬底上异质外延生长SnO_2薄膜
机译:生长温度和变质缓冲层对分子束外延生长在Si衬底上InAs薄膜电子迁移率的影响
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:使用元素源分子束外延的Si_2-图案Si衬底上的Si_(1-X)Ge_x的选择性外延生长
机译:硅上激光分子束外延生长和Ⅲ族氮化物薄膜异质结构的性质。
机译:通过分子束外延生长在GaAs衬底上的铝薄膜中的磁传输
机译:激光分子束外延在Si上外延生长SrTiO₃薄膜
机译:分子束外延生长的si衬底上的Insb红外光电探测器
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:分子束外延生长形成的薄膜的导电类型的控制方法及使用该方法的分子束外延装置
机译:单晶薄膜分子束外延生长的方法及用于产生原子氢的装置
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