用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法。将清洗处理后氮气吹干的氟晶云母衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至300～800℃，将纯O₂经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室真空度为1×10^‑6～1×10^‑5Torr，以纯金属Zn为金属源，在衬底上外延ZnO单晶薄膜。采用本发明方法可以以准范德华外延方式生长高质量的ZnO单晶薄膜，为低成本、大尺寸、柔性、自支撑ZnO基量子阱光电器件奠定基础。